公开(公告)号：CN102484028B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080027722.6

申请日：2010-06-22

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 威尔汉·P·普拉托 ,  奈尔·J·巴森 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J9/38

CPC classification number: H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30466

Abstract: 在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。

公开(公告)号：CN102301453A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005824.8

申请日：2010-02-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 詹姆士·S·贝福 ,  史费特那·瑞都凡诺史费特那 ,  具本雄 ,  威尔汉·P·普拉托 ,  法兰克·辛克莱 ,  杰弗里·D·里斯查尔 ,  奎格·R·钱尼 ,  史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 ,  捷葛泰普·玫尔 ,  艾利克·R·科步 ,  肯尼夫·H·普许尔 ,  沙杜·佩特尔 ,  维克多·M·本夫尼斯特

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/09 ,  H01J37/304 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542

Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。

公开(公告)号：CN102232241A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200980148112.9

申请日：2009-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  奎格·R·钱尼 ,  法兰克·辛克莱 ,  奈尔·J·巴森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室之前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。在另一实施例中，使用多样的气体，其中一种或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室之前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一个或多个额外的气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外的等离子。

公开(公告)号：CN101589449A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880002948.3

申请日：2008-01-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 艾力克斯恩德·S·培尔 ,  奎格·R·钱尼

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01J27/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32412 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082 ,  H01L21/265

Abstract: 揭示一种具有气体稀释的离子源(202a)的改善效能并延长生命期的技术。在一特定例示性实施例中，此技术可被实现为一种具有气体稀释的离子注入机中的离子源的改善效能并延长生命期的方法。此方法可包含：将预定量的掺杂气体释放至离子源腔室(202)中，及将预定量的稀释气体释放至离子源腔室中。稀释气体可包含用于稀释掺杂气体以改善离子源的效能并延长其生命期的含氙气体与含氢气体的混合物。