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公开(公告)号：CN114459624A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210082116.9
申请日：2022-01-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种内埋式薄膜热电偶及其制备方法。内埋式薄膜热电偶包括基底、电极薄膜以及保护膜。基底的表面内凹形成电极槽，电极薄膜设于电极槽内，保护膜覆盖于基底的设有电极槽的表面。通过对热电偶的结构进行设置，使电极薄膜内埋在基底表面内凹形成的电极槽内，并通过保护膜的覆盖对电极薄膜进行封装。此时，电极薄膜与基底之间具有良好的结合力，并且电极薄膜以内埋式的方式位于保护膜和基底之间，这样可以在使用过程中有效降低电极薄膜的脱落风险，提高热电偶的使用稳定性。
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公开(公告)号：CN108447770B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810190973.4
申请日：2018-03-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅薄膜制备方法。首先，提供一硅衬底。其次，将所述硅衬底放入氧化炉内，所述氧化炉内的温度为1000℃‑1200℃。然后，向所述氧化炉内通入氧气，所述氧气流量为9slm/min‑10slm/min。向所述氧化炉中通入氧气4min‑6min后，向所述氧化炉内通入氢气并点火，所述氢气的流量为14slm/min‑14.6slm/min，在所述硅衬底表面形成第一二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN111422821A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010174353.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种微系统封装方法。微系统封装方法通过在基板上集成接口电极和微型器件通用电路，并在基板面向微型器件通用电路的一侧形成带有至少一个开放腔室的预成型封装体，可以完成微系统架构的集成。通过使预成型封装体包覆微型器件通用电路可以提高上述微系统架构的集成度和可量产性，通过将接口电极暴露于开放腔室内可以提高微系统架构的开放性，为后续在接口电极上集成并封装微型器件提供开放式接口电极，可以实现微型器件的灵活选型和场景适用。
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公开(公告)号：CN110806432A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911133641.3
申请日：2019-11-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请涉及一种微热板和微热板的制作方法。粘附层设置于石英玻璃基底的表面。电极层设置于粘附层远离石英玻璃的表面。石英玻璃基底远离粘附层的表面设置有凹槽。由于石英玻璃基底具有热导率低的特性，石英玻璃基底与环境的热传导能力较差，从而能够降低微热板的功耗，提高能量利用效率。同时，石英玻璃基底具有绝缘耐高温的特性，因此在石英玻璃基底的表面可以省去绝缘材料，从而简化了“三明治”薄膜结构，提高了热稳定性。同时，凹槽可以减少石英玻璃基底的热容，降低功耗。同时由于凹槽具有底部。因此可以对粘附层和电极层起到支撑的作用，增强了结构强度，避免粘附层和电极层由于悬空由于移动或者振动等情况而损坏。
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公开(公告)号：CN108447785A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810159571.8
申请日：2018-02-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00531 , B81C2201/0132
Abstract: 本发明涉及基于SOG圆片的深硅刻蚀方法，包括：提供一SOG圆片，SOG圆片置于一平板上；在SOG圆片的硅结构层上形成一硬掩膜层；在硬掩膜层上形成一光刻胶层并曝光、显影以曝露部分硬掩膜层；对曝露的部分硬掩膜层进行刻蚀以曝露部分硅结构层；对曝露的部分硅结构层在一腔室内进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，深感应耦合等离子体干法刻蚀包括第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，第一刻蚀阶段包括循环进行的第一钝化步骤、第一预刻蚀步骤和第一刻蚀步骤，第二刻蚀阶段包括循环进行的第二钝化步骤、第二预刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，其中，第一刻蚀步骤及第二刻蚀步骤中的压力均为30mTorr～40mTorr、刻蚀时间和平板处的射频功率均随循环的周期的增加而逐渐增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108389780A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810162625.6
申请日：2018-02-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/02 , B81C1/00 , C23C16/34 , C23C16/505
CPC classification number: H01L21/02225 , B81C1/00349 , B81C1/00365 , C23C16/345 , C23C16/505 , H01L21/02109
Abstract: 本发明涉及氮化硅薄膜及其制备方法，包括：提供一基底；将所述基底置于反应腔室内，向所述反应腔室通入反应气体；以及通过等离子体增强化学气相沉积法在所述基底上进行沉积得到氮化硅薄膜；其中，所述反应气体包括硅源和氮源，所述硅源的通入流量为2000标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟，所述氮源的通入流量为400标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，所述等离子体增强化学气相沉积法中的沉积温度为250℃～350℃，射频的高频功率为600W～900W，射频的低频功率为25W～100W。该方法具有沉积速率快、沉积温度低的优点，同时，采用该制备方法得到的氮化硅薄膜的本征应力为-150MPa～30MPa。
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公开(公告)号：CN104229719A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410400532.4
申请日：2014-08-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有原子蒸气腔室的MEMS器件及其形成方法。其中该MEMS器件包括：硅衬底，硅衬底中具有至少一个窗口；相同的第一玻璃基片和第二玻璃基片，第一玻璃基片位于硅衬底之上，第二玻璃基片位于硅衬底之下，其中，窗口与第一玻璃基片和第二玻璃基片形成密封的原子蒸气腔室，原子蒸气腔室中具有碱金属材料；加热线圈，加热线圈由透明导电材料构成，位于第一玻璃基片上表面中窗口对应处以及第二玻璃基片下表面中窗口对应处二者中至少之一；以及加热电极，加热电极与加热线圈相连。本发明的具有原子蒸气腔室的MEMS器件具有加热效率高、测温准确、可以实现更高水平的器件微型化、密封性好等优点。
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公开(公告)号：CN102142336A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010617623.5
申请日：2010-12-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 静电和电磁混合驱动全集成MEMS继电器及其制备方法属于继电器的设计制造技术领域，其特征在于：(1)该继电器采用电磁和静电两种驱动方式；(2)通过键合形成硅—玻璃或硅—硅整体结构；(3)该继电器为双端固支形结构，分为上活动极板13和下固定极板6，上活动极板简称上极板和下固定极板简称下极板均为金属，可降低接触电阻；(4)在硅结构上电镀CoNiMnP形成永磁体阵列；(5)在玻璃结构上电镀Ti/Au或Cr/Au以及淀积Si3N4绝缘层，形成两层线圈结构。本发明MEMS继电器具有驱动电压低、负载电流大的特点，在电子信息、工业控制、能源管理、交通、通讯、航空航天和军用领域中应用广泛。
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公开(公告)号：CN101257016B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810103810.4
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/00 , H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8247 , H01G4/33 , H01G4/08
Abstract: 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于PZT薄膜Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3，制备PZT先驱体溶液中各元素的摩尔百分比Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，由所述PZT薄膜作为介质层形成的三维结构PZT电容，其形态致密，均匀性大于95％，厚度为1500埃，相应的提出了制备时所用的DLI-MOCVD方法，以及各阶段控制参数和系统参数。
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公开(公告)号：CN101840781A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010152297.5
申请日：2010-04-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种框架式可变电容及其制备方法属于微电子机械系统MEMS器件技术领域，其特征在于所述框架式可变电容器由三维梳齿状驱动电极和三维梳齿状可调电容器构成，是一种双向可动结构，高频或射频信号可以通过所述框架式可变电容的框架结构上的细长而弯曲的悬臂梁引入，电容的可调比小，但电容绝对值大，也可以通过所述框架式可变电容的框架结构上的框架引入，电容可调比大，但电容绝对值小，提出了该可变电容的优选设计参数，相应地提出了制备方法。本发明既可完成对电容值的控制，并能有效提高电容的品质因数Q以及电容的可调比。
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