-
公开(公告)号：CN115924837A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211498564.3
申请日：2022-11-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种圆片级封装结构及其制作方法。一种圆片级封装结构包括衬底层、器件层和盖帽层，器件层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合。盖帽层形成于所述衬底层上，且与所述衬底层之间形成阳极键合，以与所述衬底层围设出一用于收纳所述器件层的真空腔。其中，所述衬底层的上表面设有电极，所述盖帽层上贯穿设有朝向所述电极的通孔，所述通孔内填充有互连结构，所述互连结构与所述电极电性连接。该圆片级封装结构所需的键合压力更小，成本更低，工艺更简单，稳定性更高。
-
公开(公告)号：CN108447979B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201810191291.5
申请日：2018-03-08
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/332 , H01L41/113
Abstract: 本申请提供一种压电薄膜传感器及其制备方法。所述压电薄膜传感器的制备方法包括提供一种压电薄膜层状结构。所述压电薄膜层状结构包括基底、第一绝缘层、压电薄膜器件和第二绝缘层。利用干法刻蚀将所述第二绝缘层与所述压电薄膜器件相对的部分去除，并漏出部分所述第二表面。对于所述第二表面漏出的部分进行刻蚀，刻蚀深度等于所述基底的厚度。
-
公开(公告)号：CN108389780B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201810162625.6
申请日：2018-02-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/02 , B81C1/00 , C23C16/34 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及氮化硅薄膜及其制备方法，包括：提供一基底；将所述基底置于反应腔室内，向所述反应腔室通入反应气体；以及通过等离子体增强化学气相沉积法在所述基底上进行沉积得到氮化硅薄膜；其中，所述反应气体包括硅源和氮源，所述硅源的通入流量为2000标准毫升/分钟～3000标准毫升/分钟，所述氮源的通入流量为400标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，所述等离子体增强化学气相沉积法中的沉积温度为250℃～350℃，射频的高频功率为600W～900W，射频的低频功率为25W～100W。该方法具有沉积速率快、沉积温度低的优点，同时，采用该制备方法得到的氮化硅薄膜的本征应力为‑150MPa～30MPa。
-
公开(公告)号：CN108383078B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201810167198.0
申请日：2018-02-28
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供的一种硅针阵列的制备方法，在硅片的所有表面沉积生长保护膜。保护膜在刻蚀面形成硅片保护层。在进行刻蚀以及腐蚀硅的处理过程中，通过保护膜可以对硅片进行保护。通过第一掩膜为遮挡，在硅片上选定的区域中对硅片保护层进行干法刻蚀，且只刻蚀覆盖区域以外的区域。在硅片的刻蚀面刻蚀形成所述第二掩膜。干法刻蚀直接利用刻蚀硅片保护层实现掩膜图形化，无需使用腐蚀液，消除了腐蚀液各向同性腐蚀带来的线宽损失。同时，通过硅针阵列的制备方法对硅片进行加工的步骤少，过程简单、容易操作，且成本低。
-
公开(公告)号：CN108461273B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810161459.8
申请日：2018-02-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种磁芯线圈的制备方法，包括如下步骤：1)制备底层导线；2)制备第一铜立柱层和第一绝缘层，其中第一绝缘层由第一光刻胶直接固化形成；3)制备磁芯导电层；4)制备第二铜立柱层、第二绝缘层、磁芯；5)制备第三铜立柱层、第三绝缘层，其中第三绝缘层由第三光刻胶直接固化形成；6)制备上层导线。本发明提供的磁芯线圈的制造方法，将三维图像分割为相互独立相互联系的二维的层结构，通过将磁芯线圈划分为多个相互独立且相互联系的层结构，通过简单的分层制造能够获得结构复杂的磁芯线圈，不需后续的刻蚀工艺，适合低成本的三维磁感线圈的制作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108447770A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810190973.4
申请日：2018-03-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅薄膜制备方法。首先，提供一硅衬底。其次，将所述硅衬底放入氧化炉内，所述氧化炉内的温度为1000℃-1200℃。然后，向所述氧化炉内通入氧气，所述氧气流量为9slm/min-10slm/min。向所述氧化炉中通入氧气4min-6min后，向所述氧化炉内通入氢气并点火，所述氢气的流量为14slm/min-14.6slm/min，在所述硅衬底表面形成第一二氧化硅层。
-
公开(公告)号：CN105093155B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510528324.7
申请日：2015-08-25
Applicant: 清华大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提出一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统及其控制方法，包括：激励信号源；基座；三轴微动平台，与基座固定相连，用于对微机电系统MEMS磁通门磁强计的位置进行调整；芯片固定装置，用于固定微机电系统MEMS磁通门磁强计，其设置在三轴微动平台的顶部，以跟随三轴微动平台移动；探针卡，分别与基座、激励信号源和微机电系统MEMS磁通门磁强计连接，用于在与微机电系统MEMS磁通门磁强计导通时，导出微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号；数据采集装置，与探针卡相连，用于采集输出信号；处理装置，与数据采集装置相连，用于接收微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号，并对输出信号进行锁相放大，以得到测试结果。本发明具有成本低、易于实现的优点。
-
公开(公告)号：CN103943420A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410151001.6
申请日：2014-04-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS继电器，包括：至少一个悬臂梁开关对，其包括两个呈轴对称分布且自由端位置邻近的悬臂梁开关，每个悬臂梁开关包括：悬臂结构；与悬臂结构的固定端相连的驱动上电极；位于悬臂结构下方的驱动下电极；位于悬臂结构的自由端的且与其绝缘的开关动触点；位于开关动触点下方的两个开关静触点；开关引线，开关引线与开关静触点相连，用于输出控制信号，其中，当两个悬臂梁开关为并联时，开关引线包括呈中心对称分布的两个F形引线；其中，当两个悬臂梁开关为串联时，开关引线包括呈轴对称分布的一个U形引线和两个L形引线。本发明的MEMS继电器具有布局紧凑，承载电压或承载功率高的优点。本发明还公开了一种悬臂梁开关及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN101840781B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010152297.5
申请日：2010-04-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种框架式可变电容及其制备方法属于微电子机械系统MEMS器件技术领域，其特征在于所述框架式可变电容器由三维梳齿状驱动电极和三维梳齿状可调电容器构成，是一种双向可动结构，高频或射频信号可以通过所述框架式可变电容的框架结构上的细长而弯曲的悬臂梁引入，电容的可调比小，但电容绝对值大，也可以通过所述框架式可变电容的框架结构上的框架引入，电容可调比大，但电容绝对值小，提出了该可变电容的优选设计参数，相应地提出了制备方法。本发明既可完成对电容值的控制，并能有效提高电容的品质因数Q以及电容的可调比。
-
公开(公告)号：CN101640144A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910091536.8
申请日：2009-08-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种金属结构静电驱动的MEMS继电器及其制备方法，属于继电器的设计制造技术领域。其特征在于，该继电器为双端固支形结构，分为上活动极板7和下固定极板4，上活动极板简称上极板和下固定极板简称下极板均为金属，可降低接触电阻。上极板开有阻尼孔9，可减小开关时的阻尼效应，同时也利于牺牲层8释放，保证结构完整，可防止出现结构释放时翻转侧倾失效。下极板采用上部绝缘材料层5和下部绝缘材料层3整体包覆，可以有效防止上、下极板接触后导通并保证上极板与衬底绝缘。本发明MEMS继电器具有驱动电压低、负载电流大的特点，在电子信息、工业控制、能源管理、交通、通讯、航空航天和军用领域中应用广泛。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
79
records
(took 0.02 seconds)
