公开(公告)号：CN103943420B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201410151001.6

申请日：2014-04-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  马波 ,  常双凯 ,  张高飞 ,  尤政

IPC: H01H59/00 ,  H01H49/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS继电器，包括：至少一个悬臂梁开关对，其包括两个呈轴对称分布且自由端位置邻近的悬臂梁开关，每个悬臂梁开关包括：悬臂结构；与悬臂结构的固定端相连的驱动上电极；位于悬臂结构下方的驱动下电极；位于悬臂结构的自由端的且与其绝缘的开关动触点；位于开关动触点下方的两个开关静触点；开关引线，开关引线与开关静触点相连，用于输出控制信号，其中，当两个悬臂梁开关为并联时，开关引线包括呈中心对称分布的两个F形引线；其中，当两个悬臂梁开关为串联时，开关引线包括呈轴对称分布的一个U形引线和两个L形引线。本发明的MEMS继电器具有布局紧凑，承载电压或承载功率高的优点。本发明还公开了一种悬臂梁开关及其形成方法。

公开(公告)号：CN103943420A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410151001.6

申请日：2014-04-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  马波 ,  常双凯 ,  张高飞 ,  尤政

IPC: H01H59/00 ,  H01H49/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS继电器，包括：至少一个悬臂梁开关对，其包括两个呈轴对称分布且自由端位置邻近的悬臂梁开关，每个悬臂梁开关包括：悬臂结构；与悬臂结构的固定端相连的驱动上电极；位于悬臂结构下方的驱动下电极；位于悬臂结构的自由端的且与其绝缘的开关动触点；位于开关动触点下方的两个开关静触点；开关引线，开关引线与开关静触点相连，用于输出控制信号，其中，当两个悬臂梁开关为并联时，开关引线包括呈中心对称分布的两个F形引线；其中，当两个悬臂梁开关为串联时，开关引线包括呈轴对称分布的一个U形引线和两个L形引线。本发明的MEMS继电器具有布局紧凑，承载电压或承载功率高的优点。本发明还公开了一种悬臂梁开关及其形成方法。

公开(公告)号：CN103000410B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210469926.6

申请日：2012-11-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  张高飞 ,  常双凯 ,  马波 ,  尤政

IPC: H01H11/00 ,  H01H59/00

Abstract: MEMS桥膜结构静电驱动继电器的制备方法属于MEMS器件的设计制造领域，其特征在于：（1）该继电器工艺采用绝缘体上硅SOI（Silicon On Insulator）与玻璃片（或硅片）键合的方式；（2）通过键合形成硅—玻璃或硅—硅整体结构；（3）SOI片的顶层硅厚度决定了桥膜结构中桥膜厚度。本继电器桥膜结构以体硅工艺为主，避免了表面硅工艺牺牲层释放不彻底的问题，从而有效提高桥膜结构质量，在MEMS继电器、开关、传感器等方面有重要应用。

公开(公告)号：CN103000410A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210469926.6

申请日：2012-11-19

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  张高飞 ,  常双凯 ,  马波 ,  尤政

IPC: H01H11/00 ,  H01H59/00

Abstract: MEMS桥膜结构静电驱动继电器的制备方法属于MEMS器件的设计制造领域，其特征在于：（1）该继电器工艺采用绝缘体上硅SOI（Silicon On Insulator）与玻璃片（或硅片）键合的方式；（2）通过键合形成硅—玻璃或硅—硅整体结构；（3）SOI片的顶层硅厚度决定了桥膜结构中桥膜厚度。本继电器桥膜结构以体硅工艺为主，避免了表面硅工艺牺牲层释放不彻底的问题，从而有效提高桥膜结构质量，在MEMS继电器、开关、传感器等方面有重要应用。