公开(公告)号：CN108447770A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810190973.4

申请日：2018-03-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  尤政 ,  范成林 ,  刘通

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种二氧化硅薄膜制备方法。首先，提供一硅衬底。其次，将所述硅衬底放入氧化炉内，所述氧化炉内的温度为1000℃-1200℃。然后，向所述氧化炉内通入氧气，所述氧气流量为9slm/min-10slm/min。向所述氧化炉中通入氧气4min-6min后，向所述氧化炉内通入氢气并点火，所述氢气的流量为14slm/min-14.6slm/min，在所述硅衬底表面形成第一二氧化硅层。

公开(公告)号：CN108447770B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201810190973.4

申请日：2018-03-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 阮勇 ,  尤政 ,  范成林 ,  刘通

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种二氧化硅薄膜制备方法。首先，提供一硅衬底。其次，将所述硅衬底放入氧化炉内，所述氧化炉内的温度为1000℃‑1200℃。然后，向所述氧化炉内通入氧气，所述氧气流量为9slm/min‑10slm/min。向所述氧化炉中通入氧气4min‑6min后，向所述氧化炉内通入氢气并点火，所述氢气的流量为14slm/min‑14.6slm/min，在所述硅衬底表面形成第一二氧化硅层。