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公开(公告)号：CN108461273B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810161459.8
申请日：2018-02-27
申请人： 清华大学
摘要： 本发明涉及一种磁芯线圈的制备方法，包括如下步骤：1)制备底层导线；2)制备第一铜立柱层和第一绝缘层，其中第一绝缘层由第一光刻胶直接固化形成；3)制备磁芯导电层；4)制备第二铜立柱层、第二绝缘层、磁芯；5)制备第三铜立柱层、第三绝缘层，其中第三绝缘层由第三光刻胶直接固化形成；6)制备上层导线。本发明提供的磁芯线圈的制造方法，将三维图像分割为相互独立相互联系的二维的层结构，通过将磁芯线圈划分为多个相互独立且相互联系的层结构，通过简单的分层制造能够获得结构复杂的磁芯线圈，不需后续的刻蚀工艺，适合低成本的三维磁感线圈的制作。
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公开(公告)号：CN107832123A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710828913.6
申请日：2017-09-14
CPC分类号： G06F9/4881 , G06F9/5011 , G06F2209/484 , G06F2209/5017 , G06N5/043
摘要： 本发明提供了一种技术预见方法。该方法包括：接收任务发布者定义的技术预见任务，所述技术预见任务被划分为一个或多个技术预见子任务；给所述一个或多个技术预见子任务中的每个子任务赋予唯一的任务标识码，所述任务标识码指示任务类型；针对所述一个或多个技术预见子任务中的每个子任务，确定与所述子任务的任务标识码匹配的资源标识码所标识的资源，其中所述资源标识码指示资源适用的子任务类型；调用所确定的资源来求解所述子任务；以及根据所述一个或多个技术预见子任务中的每个子任务的求解结果，确定所述技术预见任务的技术预见结果。
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公开(公告)号：CN105093155B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510528324.7
申请日：2015-08-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提出一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统及其控制方法，包括：激励信号源；基座；三轴微动平台，与基座固定相连，用于对微机电系统MEMS磁通门磁强计的位置进行调整；芯片固定装置，用于固定微机电系统MEMS磁通门磁强计，其设置在三轴微动平台的顶部，以跟随三轴微动平台移动；探针卡，分别与基座、激励信号源和微机电系统MEMS磁通门磁强计连接，用于在与微机电系统MEMS磁通门磁强计导通时，导出微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号；数据采集装置，与探针卡相连，用于采集输出信号；处理装置，与数据采集装置相连，用于接收微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号，并对输出信号进行锁相放大，以得到测试结果。本发明具有成本低、易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN101640144A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910091536.8
申请日：2009-08-25
申请人： 清华大学
摘要： 一种金属结构静电驱动的MEMS继电器及其制备方法，属于继电器的设计制造技术领域。其特征在于，该继电器为双端固支形结构，分为上活动极板7和下固定极板4，上活动极板简称上极板和下固定极板简称下极板均为金属，可降低接触电阻。上极板开有阻尼孔9，可减小开关时的阻尼效应，同时也利于牺牲层8释放，保证结构完整，可防止出现结构释放时翻转侧倾失效。下极板采用上部绝缘材料层5和下部绝缘材料层3整体包覆，可以有效防止上、下极板接触后导通并保证上极板与衬底绝缘。本发明MEMS继电器具有驱动电压低、负载电流大的特点，在电子信息、工业控制、能源管理、交通、通讯、航空航天和军用领域中应用广泛。
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公开(公告)号：CN107729378A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710828902.8
申请日：2017-09-14
IPC分类号： G06F17/30
CPC分类号： G06F17/30539
摘要： 本发明提供一种数据标注方法,包括：数据标注任务分配步骤，根据待标注数据的数据标识码和标注者标识码,将待标注的数据标注任务与标注者进行匹配，并依据匹配结果将所述待标注的数据标注任务分配给所述标注者；数据标注步骤，依据所要求的标注形式对所述待标注数据进行标注；结果收集和整合步骤，在所述待标注的数据标注任务的标注结果都提交之后，根据所述标注者的标注积分以及所述标注结果，整合所述标注结果，推测出正确标签。
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公开(公告)号：CN102778232B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210240106.X
申请日：2012-07-10
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01C21/16
摘要： 本发明公开了一种微惯性测量装置，包括：壳体；顶盖，所述顶盖设在所述壳体的顶端且与所述壳体限定出腔室；主电路板，所述主电路板设在所述腔室内；微惯性测量组合，所述微惯性测量组合设在所述腔室内并与所述主电路板相连，所述微惯性测量组合包括三轴微机械陀螺仪、三轴微机械加速度计和三轴磁强计；和第一和第二双轴微机械加速度计，所述第一和第二双轴微机械加速度计分别设在所述腔室内且分别与所述主电路板相连。根据本发明的微惯性测量装置可用于测量微小飞行器高动态、大过载运动状态下运动参数，并计算出微小飞行器的运动姿态和运动轨迹。
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公开(公告)号：CN102307062A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110264296.4
申请日：2011-09-07
申请人： 清华大学
IPC分类号： H04B10/10
摘要： 本发明公开了属于无线能量传输技术领域的激光谐振耦合无线能量传输装置及方法。它由发射组件和接收组件构成，或者由第1-N发射装置和接收装置构成；激光束在发射端和接收端之间谐振，在空间上将激光束约束在发射端与接收端之间，同时振荡激光束从发射端提取能量然后在接收端释放能量，从而实现能量的无线高效传输。本发明的有益效果为：在空间上将光波场约束在发射端和接收端之间从而提高了能量的传输效率。本发明在近距离自由空间和远距离外层空间能够实现能量的无线高效传输和智能传输。
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公开(公告)号：CN101533075A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910131270.5
申请日：2009-04-13
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了传感器制造技术领域中的一种MEMS水平谐振式磁强计。技术方案是，MEMS水平谐振式磁强计的表头芯片由硅片和玻璃基底组成，硅片通过硅－玻璃阳极键合方式制作在玻璃基底表面；硅片由可动结构和固定结构组成，可动结构包括3个谐振梁和2或4组对称的梳齿电容极板；固定结构包括2或4组固定于玻璃基底的梳齿电容极板；谐振梁上表面制作有SiNx绝缘层；SiNx绝缘层上表面制作有金属导线层；玻璃基底表面制作10个金属极板；金属极板的宽大部分压焊引出10根电容检测导线；金属导线层两侧宽大部分通过压焊引出驱动电流导线。本发明的表头芯片内部结构层次分明，便于加工；并且具有更好的线性度和可扩展性。
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公开(公告)号：CN105093155A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510528324.7
申请日：2015-08-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明提出一种微机电系统MEMS磁通门磁强计测试系统及其控制方法，包括：激励信号源；基座；三轴微动平台，与基座固定相连，用于对微机电系统MEMS磁通门磁强计的位置进行调整；芯片固定装置，用于固定微机电系统MEMS磁通门磁强计，其设置在三轴微动平台的顶部，以跟随三轴微动平台移动；探针卡，分别与基座、激励信号源和微机电系统MEMS磁通门磁强计连接，用于在与微机电系统MEMS磁通门磁强计导通时，导出微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号；数据采集装置，与探针卡相连，用于采集输出信号；处理装置，与数据采集装置相连，用于接收微机电系统MEMS磁通门磁强计的输出信号，并对输出信号进行锁相放大，以得到测试结果。本发明具有成本低、易于实现的优点。
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公开(公告)号：CN101640144B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910091536.8
申请日：2009-08-25
申请人： 清华大学
摘要： 一种金属结构静电驱动的MEMS继电器及其制备方法属于继电器的设计制造技术领域，其特征在于，该继电器为双端固支形结构，分为上活动极板(7)和下固定极板(4)，上活动极板简称上极板和下固定极板简称下极板均为金属，可降低接触电阻。上极板开有阻尼孔(9)，可减小开关时的阻尼效应，同时也利于牺牲层(8)释放，保证结构完整，可防止出现结构释放时翻转侧倾失效。下极板采用上部绝缘材料层(5)和下部绝缘材料层(3)整体包覆，可以有效防止上、下极板接触后导通并保证上极板与衬底绝缘。本发明MEMS继电器具有驱动电压低、负载电流大的特点，在电子信息、工业控制、能源管理、交通、通讯、航空航天和军用领域中应用广泛。
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