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公开(公告)号：CN1512265A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310120313.2
申请日：2003-12-05
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0395
摘要： 本发明揭示了用于光阻剂的外涂层组合物及降低光阻剂图案线宽的方法。更具体地，在由常规光刻过程所制得的光阻剂图案的整个表面上涂布包含酸的外涂层组合物，从而使酸扩散入光阻剂图案中。其中酸扩散到达的部分的光阻剂以碱性溶液显影而移除。结果，可降低正性光阻剂图案的线宽，还可避免负性光阻剂图案的线宽在随后的使用SEM测量线宽的过程中变细。
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公开(公告)号：CN1471132A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03102902.7
申请日：2003-01-21
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/949 , Y10S438/952
摘要： 一种半导体器件的图案形成方法，由在形成半导体器件的光刻胶图案的过程中在防反射膜上形成细微弯曲，来增大光刻胶与防反射膜间的接触面积，并能防止光刻胶图案崩溃现象，同时，重复积层有不同折射率和吸光度的两层防反射膜，能防止因防反射膜的弯曲而降低图案关键尺寸的均匀度。一种半导体器件的图案形成方法包括：在被蚀刻层的上部涂布第一层有机防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第一层有机防反射膜；在第一层防反射膜上部，涂布有与第一层防反射膜不同折射率和吸光度的第二层防反射膜组成物，对其进行烘烤形成第二层防反射膜；对形成的防反射膜进行蚀刻，而在防反射膜上形成细微弯曲；在有机防反射膜上涂布光刻胶，曝光显影后形成光刻胶图案。
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公开(公告)号：CN1330288A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01118895.2
申请日：2001-06-29
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0395 , Y10S430/115 , Y10S430/117 , Y10S430/122 , Y10S430/124 , Y10S430/126
摘要： 本发明涉及一种含有光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物,更具体涉及一种包括(a)光致抗蚀剂树脂,(b)光产酸剂,(c)有机溶剂和(d)光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物。该光致抗蚀剂组合物能降低或阻止由于光致抗蚀剂上部组合物产生的酸浓度相对于光致抗蚀剂下部组合物产生的酸浓度高所造成的倾斜图像的生成。
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公开(公告)号：CN101216669B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200710136304.0
申请日：2007-07-13
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/028 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/40 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要： 本发明公开一种光阻剂组成物、以及在半导体器件中形成精细图案的方法。所述光阻剂组成物包含：基础树脂、丙烯酸或甲基丙烯酸与3，3-二甲氧基丙烯的共聚物、光致酸产生剂、有机碱、以及有机溶剂，并且用于通过双重图案化在半导体器件中形成精细图案。本发明的方法可以显著地减少蚀刻和硬掩模沉积工序中的步骤数量，从而可以减少工时和制造成本，如此有助于提高半导体器件的产率。
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公开(公告)号：CN101362812B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810126685.9
申请日：2008-06-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F228/04 , C08L41/00 , C08K5/42 , G03F7/004 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/091 , C09D133/14 , C08L2666/02
摘要： 本发明公开一种抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法，所述聚合物用于通过交联获得具有高折射率的抗反射膜。含有所述聚合物的所述抗反射性组成物特别适用于镶嵌工序及半导体器件制造过程中的使用ArF(193nm)的浸没式光刻工序。
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公开(公告)号：CN100590526C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200510136300.3
申请日：2005-12-27
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 一种包含由式1所示重复单元的用于浸渍光刻的聚合物，及含有该聚合物的光致抗蚀剂组合物。由本发明的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂薄膜是高度抗溶解的，即防止光酸发生剂溶解于浸渍光刻的水溶液中，从而防止曝光导致的曝光透镜污染和光致抗蚀剂图案的变形。
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公开(公告)号：CN101362812A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810126685.9
申请日：2008-06-20
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： C08F228/04 , C08L41/00 , C08K5/42 , G03F7/004 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/091 , C09D133/14 , C08L2666/02
摘要： 本发明公开一种抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法，所述聚合物用于通过交联获得具有高折射率的抗反射膜。含有所述聚合物的所述抗反射性组成物特别适用于镶嵌工序及半导体器件制造过程中的使用ArF(193nm)的浸没式光刻工序。
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公开(公告)号：CN100394585C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510137500.0
申请日：2005-12-26
申请人： 海力士半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/8229 , H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在基片上形成层间绝缘层；形成穿透到层间绝缘层中的存储节点接触塞；形成通过在层间绝缘层上堆叠第一保护阻挡层和牺牲层所形成的堆叠结构；以具有使存储节点接触塞的上部开放的沟槽的方式来对第一保护阻挡层和牺牲层执行蚀刻工艺；在沟槽内部形成具有柱型的存储节点；形成填充具有柱型的存储节点的内部的第二保护阻挡层；通过执行湿汲出工艺来移除牺牲层；移除第一保护阻挡层和第二保护阻挡层；以及在存储节点上依次形成电介质层和板节点。
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公开(公告)号：CN101192515A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710122961.X
申请日：2007-07-04
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/16
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 本发明公开一种使用湿浸式光刻工序形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括：在湿浸式光刻工序中以烷溶剂或醇来预处理光阻膜的顶部，以形成均匀的上方涂覆膜。
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公开(公告)号：CN100383666C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410069634.9
申请日：2004-07-15
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 郑载昌
CPC分类号： G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/115 , Y10S430/12 , Y10S430/143 , Y10S430/146 , Y10S430/167
摘要： 本发明涉及用于远紫外区的光致抗蚀剂的组合物以及用于形成光致抗蚀剂图案的方法。更具体地，小于50nm而不塌陷的精细光致抗蚀剂图案以EUV(远紫外线)作为曝光光源，使用包含三聚氰胺衍生物及聚乙烯基苯酚的负型光致抗蚀剂组合物来形成。
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