一种测试用封装基板、封装基板的测试方法及测试系统

    公开(公告)号:CN113990837A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111366572.8

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 本发明提供了一种测试用封装基板、封装基板的测试方法及测试系统,该测试用封装基板包括第一介质层、两组布线层。两组布线层分别层叠在第一介质层的两个面上;每组布线层包括依次层叠在第一介质层对应面上的至少两层布线层;同组布线层中任意相邻的两层布线层之间均通过第二介质层隔开。还包括至少一组测试用电路结构;每组测试用电路结构包括设置在布线层、第一介质层或第二介质层中的待测结构。通过提供测试用封装基板,采用不同的测试电流对待测结构进行电气性能测试,能够准确且详细的获得不同尺寸待测结构的电气性能参数,建立起电气性能数据库,为封装基板的设计和核检提供较为准确的电气性能参数参考标准。

    加速处理器加速卡及其制作方法

    公开(公告)号:CN112616245A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011468696.2

    申请日:2020-12-14

    Abstract: 本发明提供一种加速处理器加速卡及其制作方法。所述加速处理器加速卡包括:PCB板、加速处理器模块和多个电源模块;所述多个电源模块和所述加速处理器模块固定设置于所述PCB板的第一表面,所述PCB板在所述第一表面开设有第一通孔和第二通孔,所述多个电源模块与所述加速处理器模块通过所述第一通孔和所述第二通孔电连接。本发明所提供的加速处理器加速卡空间利用率高。

    一种裸片的电源噪声测试结构

    公开(公告)号:CN112379185A

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN202011236909.9

    申请日:2020-11-06

    Abstract: 本发明提供了一种裸片的电源噪声测试结构,通过采用第一引入端电源和地焊盘与第一去耦电容断开,在通过第一引出端电源和地焊盘测试裸片上的待测试电源和地连接点的电源噪声时,测试信号及反馈信号直接通过裸片上的待测试电源和地连接点传输给封装基板上的第一引入端电源和地焊盘,之后通过第一引入端电源和地焊盘直接传输给第一引出端电源和地焊盘,没有经过第一去耦电容去噪,使测得的电源噪声为裸片上的待测试电源和地连接点的真实电源噪声。即将裸片上的待测试电源和地触点单独引出,形成裸片上的待测试电源和地触点到封装基板上的第一引出端电源和地焊盘的独立传输路径,以去除封装基板对裸片上电源噪声测试的影响。

    一种芯片及主板
    35.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213366593U

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202022824312.8

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本实用新型提供了一种芯片及主板,该芯片包括具有相对的第一面及第二面的封装基板、设置在封装基板第一面的至少一个内存裸片。封装基板第一面设置有中央处理器裸片,中央处理器裸片与至少一个内存裸片中的每个内存裸片均电连接,以向每个内存裸片中写入数据或从每个内存裸片中读取数据。封装基板的第二面设置有用于与印刷电路板电连接的引脚,中央处理器裸片还与第二面的引脚电连接。通过将中央处理器裸片及至少一个内存裸片封装在一个封装基板上,且每个内存裸片均与中央处理器裸片电连接,从而通过封装基板上的中央处理器裸片及内存裸片即可工作,提高了芯片及主板的集成度,能够减小主板的印刷电路板的面积,简化系统设计,提高系统可靠性。

    芯片封装基板和封装芯片
    36.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216902913U

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202220581297.5

    申请日:2022-03-17

    Abstract: 本实用新型提供一种芯片封装基板,包括:树脂基板,所述树脂基板上设置有封装接口;硅基板,所述硅基板具有第一接口和第二接口,所述第一接口具有多个传输信号的第一焊球,所述第二接口具有多个传输信号的第二焊球,所述第一焊球与所述第二焊球之间一一对应的通信连接;所述第一接口的尺寸小于所述第二接口的尺寸,所述第一接口与目标封装芯片的芯片接口适配,所述第二接口与所述封装接口电连接。本实用新型提供的芯片封装基板,能够为芯片提供小尺寸的接口,从而,在芯片制备过程中降低芯片接口的尺寸,降低成本。

    芯片及芯片散热装置
    37.
    实用新型

    公开(公告)号:CN215933580U

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202122572377.2

    申请日:2021-10-25

    Abstract: 本实用新型提供一种芯片及芯片散热装置,其中,芯片包括:衬底和器件层;所述器件层位于所述衬底的上方,所述器件层用于装载器件;所述衬底的背面开设有储液沟道;所述储液沟道用于装载散热介质,以对芯片进行降温。本实用新型能够提高芯片的散热效率。

    一种芯片
    38.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216902934U

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202220582408.4

    申请日:2022-03-17

    Abstract: 本申请的实施例公开了一种芯片,涉及芯片技术领域,为便于减少有机基板的层数,降低有机基本的成本而发明。所述芯片包括:至少两个微凸点焊球包括第一微凸点焊球和第二微凸点焊球;第一基板具有第一金属线、第二金属线和第三金属线;第一金属线的线宽小于预定阈值,第二金属线的线宽和第三金属线的线宽大于所述预定阈值;第一金属线分别与至少两个微凸点焊球中的两个微凸点焊球相连;第一基板中、远离晶粒的一侧具有第一过孔和第二过孔,第一过孔和第二过孔之间的距离大于第一微凸点焊球和第二微凸点焊球之间的距离;第二金属线分别与第一微凸点焊球和第一过孔相连;第三金属线分别与第二微凸点焊球和第二过孔相连。本申请适用于处理数据。

    一种硅基基板及芯片
    39.
    实用新型

    公开(公告)号:CN216902914U

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202220583934.2

    申请日:2022-03-17

    Abstract: 本实用新型实施例公开一种硅基基板及芯片,涉及半导体封装技术领域,方便通过同一硅基基板有效兼顾短距高密度的信号传输以及长距低损耗的信号传输。所述硅基基板包括:基板本体,所述基板本体中设置有至少两个过孔,所述至少两个过孔包括至少一个第一过孔以及至少一个第二过孔,所述第一过孔的横截面积大于所述第二过孔的横截面积;其中,所述第一过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第一金属线,所述第二过孔用于电连接布设在所述基板本体中的第二金属线,所述第一金属线的横截面积大于所述第二金属线的横截面积。本实用新型适用于芯片封装中。

    半导体封装器件
    40.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219123213U

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202223352432.8

    申请日:2022-12-13

    Abstract: 本实用新型实施例公开的半导体封装器件,涉及半导体技术领域,便于减少供电链路上的功耗损失。包括:封装基板;所述封装基板上具有互联导线,重布线层基板;所述重布线层基板布设于所述封装基板上;晶粒单元;所述晶粒单元的一部分连接于所述重布线层基板上,所述晶粒单元的另一部分连接于所述封装基板上;电源模块;所述电源模块位于所述晶粒单元的周边,且所述电源模块通过所述互联导线与所述晶粒单元电连接。本实用新型适用于芯片等器件封装场景中。

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