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公开(公告)号:CN112698185A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011616455.8
申请日:2020-12-31
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Inventor: 樊强
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供一种器件窗口检验方法、装置、设备和存储介质,该方法包括:获取待测批次中每个晶圆上每个芯片的器件性能信息,其中所述芯片内设置有性能监控测试单元,所述器件性能信息由所述性能监控测试单元测试得到;根据每个所述芯片的所述器件性能信息,对所述晶圆中的芯片进行分类;对分类后的芯片组做器件窗口检验,生成所述芯片产品的最终器件窗口。本申请可以快速挑选合适的产品器件窗口检验所需的芯片(die)样本,更准确地检验新的器件窗口,快速修正器件目标值。同时适用于“新产品导入(tape‑out)试生产(engineer lot phase)”和“量产(mass production)产品器件目标值转移(device target shift)”事宜。
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公开(公告)号:CN112698185B
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202011616455.8
申请日:2020-12-31
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
Inventor: 樊强
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供一种器件窗口检验方法、装置、设备和存储介质,该方法包括:获取待测批次中每个晶圆上每个芯片的器件性能信息,其中所述芯片内设置有性能监控测试单元,所述器件性能信息由所述性能监控测试单元测试得到;根据每个所述芯片的所述器件性能信息,对所述晶圆中的芯片进行分类;对分类后的芯片组做器件窗口检验,生成所述芯片产品的最终器件窗口。本申请可以快速挑选合适的产品器件窗口检验所需的芯片(die)样本,更准确地检验新的器件窗口,快速修正器件目标值。同时适用于“新产品导入(tape‑out)试生产(engineer lot phase)”和“量产(mass production)产品器件目标值转移(device target shift)”事宜。
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公开(公告)号:CN113764368A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202111244112.8
申请日:2021-10-25
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明提供一种芯片及芯片散热装置,其中,芯片包括:衬底和器件层;所述器件层位于所述衬底的上方,所述器件层用于装载器件;所述衬底的背面开设有储液沟道;所述储液沟道用于装载散热介质,以对芯片进行降温。本发明能够提高芯片的散热效率。
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公开(公告)号:CN215933580U
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202122572377.2
申请日:2021-10-25
Applicant: 海光信息技术股份有限公司
IPC: H01L23/473
Abstract: 本实用新型提供一种芯片及芯片散热装置,其中,芯片包括:衬底和器件层;所述器件层位于所述衬底的上方,所述器件层用于装载器件;所述衬底的背面开设有储液沟道;所述储液沟道用于装载散热介质,以对芯片进行降温。本实用新型能够提高芯片的散热效率。
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