公开(公告)号：CN105765751A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064741.4

申请日：2014-11-20

Applicant: 株式会社村田制作所 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 梅田圭一 ,  本多淳史 ,  秋山守人 ,  西久保桂子 ,  长濑智美

IPC: H01L41/187 ,  C23C14/34 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02

CPC classification number: H01L41/183 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C16/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17 ,  H04R17/02 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。

公开(公告)号：CN105659495A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480041241.9

申请日：2014-08-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一

IPC: H03H9/17 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/17 ,  H03H3/02 ,  H03H9/0504 ,  H03H9/13 ,  H03H9/174 ,  H03H9/21 ,  H03H2003/0407

Abstract: 本发明涉及压电谐振器及其制造方法。提供一种抑制了基于Si的厚度偏差的谐振频率的偏差的压电谐振器。压电谐振器(1)具备单晶Si(5)、设置在上述单晶Si(5)上的由氮化铝构成的压电膜(8)、以及被设置成夹着上述压电膜(8)的第一电极和第二电极(6、7)，在由上述氮化铝构成的压电膜(8)掺杂有除了氮以及铝的元素，除了上述单晶Si(5)的部分的音速的合成音速实质上与上述单晶Si(5)的音速一致。

公开(公告)号：CN105210294A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480026840.3

申请日：2014-05-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 西村俊雄 ,  梅田圭一 ,  长谷贵志 ,  竹山佳介 ,  岸武彦 ,  山田宏

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/09 ,  H01L41/047 ,  H01L41/083 ,  H03H9/02448 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/2452 ,  H03H2009/155

Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。

公开(公告)号：CN104321965A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380026199.9

申请日：2013-05-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一

IPC: H03H9/17 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187

CPC classification number: H03H9/171 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02086 ,  H03H9/0211 ,  H03H9/173 ,  H03H9/547

Abstract: 本发明提供一种Q值高，并且能够抑制谐振频率以下的频率范围内的乱真的体波谐振器。体波谐振器(1)，在基板(2)上，按照具有被从基板(2)的上表面声分离的部分的方式，层叠含钪的氮化铝膜(3)，在含钪的氮化铝膜(3)的一面形成第1电极(4)，在另一面形成第2电极(5)，相对于第1电极(4)，第2电极(5)隔着含钪的氮化铝膜(3)而重合，从而构成压电振动部，在将含钪的氮化铝膜(3)中的Sc与Al的合计设为100原子％时，钪含有浓度处于5原子％以上、43原子％以下的范围。

公开(公告)号：CN101292422B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200680035920.0

申请日：2006-02-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 梅田圭一 ,  河村秀树

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/54 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/18

CPC classification number: H03H9/02086 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/173 ,  H03H9/175 ,  H03H9/584 ,  H03H9/587

Abstract: 本发明提供一种可以抑制短波长乱真的压电薄膜谐振器。薄膜部的一部分由基板12支持，薄膜部的从基板12音响性分离的部分中含有：a)夹持压电膜16的一对电极14、18在俯视图中重叠的振动部24；b)沿着振动部24的外周的至少一部分设置在压电膜16或电极18上的附加膜20。设x(MN·秒/m3)为由密度和杨氏模量的积的平方根定义的附加膜20的音响阻抗，附加膜20的密度和厚度的积为A，电极14、18的密度和厚度的积为B，y＝A/B，满足：(i)9.0≤x＜44.0时，0.0092·x+0.88≤y＜0.067·x+0.60 ···(1a)(ii)44.0≤x＜79.0时，-0.0035·x+1.45≤y＜0.015·x+2.9 ···(1b)。