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公开(公告)号：CN103038889B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201180037647.6
申请日：2011-12-27
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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公开(公告)号：CN103732790A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039725.0
申请日：2012-09-06
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3426 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其含有烧结体，所述烧结体含有掺杂有Ga的氧化铟、或掺杂有Al的氧化铟，相对于Ga与铟的合计或Al与铟的合计含有大于100原子ppm且在1100原子ppm以下的显示正4价原子价的金属，晶体结构实质上由氧化铟的方铁锰矿结构构成。
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公开(公告)号：CN103038889A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037647.6
申请日：2011-12-27
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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公开(公告)号：CN110678433B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201880020911.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及氧化物烧结体及制造方法、薄膜及薄膜晶体管、电子设备、溅射靶。其中，氧化物烧结体以下述式(1)～(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且，以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al元素，0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(4)式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。
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公开(公告)号：CN110678433A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880020911.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物烧结体，其特征在于，以下述式(1)～(3)所规定的范围的原子比含有In元素、Y元素以及Ga元素，0.80≦In/(In+Y+Ga)≦0.96…(1)0.02≦Y/(In+Y+Ga)≦0.10…(2)0.02≦Ga/(In+Y+Ga)≦0.15…(3)并且，以下述式(4)所规定的范围的原子比含有Al元素，0.005≦Al/(In+Y+Ga+Al)≦0.07…(4)式中，In、Y、Ga、Al分别表示氧化物烧结体中的In元素、Y元素、Ga元素以及Al元素的原子数。
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公开(公告)号：CN105873881A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480070391.2
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/762 , C04B2235/764 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3491 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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公开(公告)号：CN103474469B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310336580.7
申请日：2011-12-27
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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公开(公告)号：CN103474469A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310336580.7
申请日：2011-12-27
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。
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