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公开(公告)号：CN117296449A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034336.2
申请日：2022-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/02
Abstract: 本发明的一个方式提供一种方便性或可靠性优异的新颖显示装置。组合多个像素区域(也称为显示区域)来实现设置在汽车内的构件用显示装置。具体而言，将显示面弯曲的显示器设置为汽车等车辆的内部装饰。在具有曲面的支撑体中设置布线层，该布线层与像素区域的信号线的一部分电连接。另外，通过使邻接的多个像素区域以其间的间隙较小的方式重叠，可以使像素区域与其他像素区域的接缝不显著，优选使该接缝看不到。
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公开(公告)号：CN117276339A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310664561.0
申请日：2018-07-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。
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公开(公告)号：CN117199333A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310673114.1
申请日：2023-06-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一个方式为了实现从锂离子二次电池获得稳定的电力供给，进一步提高锂离子二次电池的热安全性。本发明的一个方式通过使正极活性物质的表层部含氟或者使氟吸附在正极活性物质的表面，来抑制锂离子二次电池着火或过热，从而提高热安全性。通过使氟吸附在正极活性物质的表面，吸附的氟可以与其附近的电解液等发生反应，由此可以抑制电解液的热分解等。
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公开(公告)号：CN117178314A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280027309.2
申请日：2022-04-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 本发明的一个方式提供一种具有摄像功能的显示装置。提供一种开口率高的显示装置或摄像装置。显示装置包括第一发光元件及受光元件。第一发光元件中依次层叠有第一像素电极、第一有机层及公共电极。受光元件中依次层叠有第二像素电极、第二有机层及公共电极。第一有机层包括第一发光层，第二有机层包括光电转换层。在第一发光元件与受光元件之间的区域中包括第一层及第二层。第一层与第二有机层重叠且包含与第一有机层相同的材料。第二层与第一有机层重叠且包含与第二有机层相同的材料。在第一发光元件与受光元件之间的区域中，第一有机层的端部与第一层的端部对置，第二有机层的端部与第二层的端部对置。
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公开(公告)号：CN117157695A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280028291.8
申请日：2022-04-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种视角宽的显示装置。显示装置包括衬底上的第一发光元件以及第二发光元件。第一发光元件包括第一像素电极、第一有机层以及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二有机层以及公共电极。在俯视衬底时，第一发光元件有第一边以及短于第一边的第二边。正面方向的色度和第一方向的色度的色度差与正面方向的色度和第二方向的色度的色度差之差的绝对值为0.05以下。第一方向的衬底上的投影平行于第一边，第二方向的衬底上的投影平行于第二边。第一方向和衬底表面的法线方向所形成的角为70度，第二方向和衬底表面的法线方向所形成的角为70度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326435B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202010145469.X
申请日：2011-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 山崎舜平
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/383 , H01L21/477 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/26 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。一个实施方式的目的之一是对包括氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源电极及漏电极以及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；对去除了氢原子的氧化物半导体膜进行氧掺杂处理来对氧化物半导体膜供给氧原子；在被供给有氧原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN117099482A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024269.6
申请日：2022-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种显示品质及可靠性高的显示装置。一种包括第一发光元件、以与第一发光元件相邻的方式配置的第二发光元件、第一保护层、第二保护层以及绝缘层的显示装置。第一发光元件包括第一像素电极、第一EL层及公共电极，第二发光元件包括第二像素电极、第二EL层及公共电极。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一保护层具有与第一像素电极的侧面、第二像素电极的侧面、第一EL层的侧面及第二EL层的侧面重叠的区域。绝缘层设置在第一保护层上，第二保护层设置在绝缘层上。公共电极设置在第一EL层上、第二EL层上及第二保护层上。
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公开(公告)号：CN117044393A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023454.3
申请日：2022-03-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/10
Abstract: 提供一种可以连续处理有机化合物膜的加工至密封的工序的制造装置。一种可以连续进行发光器件的图案化工序以及使有机层的表面及侧面密封以不暴露于大气的工序的制造装置，可以形成高亮度、高可靠性的微型发光器件。此外，该制造装置可以组装于按发光器件的工序顺序配置有装置的直列式制造装置，可以以高处理量进行制造。
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公开(公告)号：CN110462803B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880020208.6
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H10B12/00 , H01L29/786 , H03K19/17736
Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。
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公开(公告)号：CN110731013B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880037249.6
申请日：2018-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 山崎舜平
IPC: H10B43/30 , H01L21/336 , H10B43/27 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种每单位面积的存储容量大的半导体装置。本发明是一种包括存储晶体管的半导体装置，存储晶体管包括具有开口的导电体、以与开口的内侧面接触的方式设置的第一绝缘体、以与第一绝缘体的内侧接触的方式设置的第二绝缘体、以与第二绝缘体的内侧接触的方式设置的第三绝缘体、以与第三绝缘体的内侧接触的方式设置的第一氧化物、以及以与第一氧化物的内侧接触的方式设置的第二氧化物，第二氧化物的能隙比第一氧化物的能隙窄。
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