公开(公告)号：CN1645578A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510006329.X

申请日：2000-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 河崎律子 ,  笠原健司 ,  大谷久

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78645 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

公开(公告)号：CN1599040A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410086941.8

申请日：2000-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笠原健司 ,  河崎律子 ,  大谷久 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/324 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0676 ,  H01L21/2026

Abstract: 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io′满足关系0＜Io′/Io＜1或1＜Io′/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。

公开(公告)号：CN1516230A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN01137487.X

申请日：2000-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  田中幸一郎 ,  笠原健司 ,  河崎律子

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  Y10S438/904

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；以及通过用连续波激光束照射半导体薄膜使其结晶；其中连续波激光束在半导体薄膜上的照射区域为长宽比大于或等于10的椭圆形；以及其中连续波激光束是固态激光器的二次、三次或四次谐波。

公开(公告)号：CN1421899A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152955.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G06F9/45

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。

公开(公告)号：CN1346152A

公开(公告)日：2002-04-24

申请号：CN01124907.2

申请日：2001-06-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三津木亨 ,  笠原健司 ,  浅见勇臣 ,  高野圭惠 ,  志知武司 ,  小久保千穗 ,  荒井康行

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78684

Abstract: TFT具有由晶体半导体薄膜形成的沟道形成区,所述晶体半导体薄膜通过热处理使包含硅作为主要成分和锗的非晶半导体薄膜结晶而获得,锗的含量不小于0.1原子%但不大于10原子%同时添加金属元素,其中:通过电子背反射衍射图样方法测定时,相对于半导体薄膜的表面,不少于20%的晶格面{101}具有不大于10度的角度,相对于半导体薄膜的表面,不多于3%的晶格面{001}具有不大于10度的角度,以及相对于半导体薄膜的表面,不多于5%的晶格面{111}具有不大于10度的角度。