公开(公告)号：CN1577028A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410071231.8

申请日：2004-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/20 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0289 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 当半非晶TFT用于形成信号线驱动器电路和像素时，需要大的幅度来驱动该像素，由此需要高的电源电压。另一方面，当移位寄存器由具有单一导电率的晶体管构成时，需要自举电路，将超过电源的电压施加给特定的元件。因此，利用单一电源并不是可以既实现驱动幅度又实现可靠性的。根据本发明，提供具有单一导电率的电平移位器来解决这样的问题。

公开(公告)号：CN102844847B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201180019418.1

申请日：2011-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  古野诚

IPC: H01L21/316 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02266 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种利用DC溅射法形成氧化镓膜的沉积方法。本发明的目的之一还在于提供一种半导体装置的制造方法，在该半导体装置中将氧化镓膜用作晶体管的栅极绝缘层等的绝缘层。使用含有氧化镓（也写为GaOX）的氧化物靶材并且通过DC溅射法或脉冲DC溅射方式形成绝缘膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小于1.5，优选为0.01以上且0.5以下，更优选为0.1以上且0.2以下。该氧化物靶材具有导电性，并且在氧气体气氛或氧气体和如氩等的稀有气体的混合气氛下进行溅射。

公开(公告)号：CN101047192B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200710092146.3

申请日：2007-04-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/7883

Abstract: 非易失性半导体存储器件本发明目的在于提供一种在写性质和电荷保持特性方面优异的非易失性半导体存储器件。提供其中在一对杂质区之间形成沟道形成区的半导体衬底，并在半导体衬底上方提供第一绝缘层、浮栅电极、第二绝缘层和控栅电极。浮栅电极至少包括两层。优选与第一绝缘层接触的第一浮栅电极的能带隙比半导体衬底的小。还优选第二浮栅电极由金属材料、合金材料或金属化合物材料形成。这是因为，通过降低浮栅电极导带的底能级比半导体衬底中的沟道形成区的低，可以提高载流子注入特性和电荷保持特性。

公开(公告)号：CN102844847A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180019418.1

申请日：2011-04-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  古野诚

IPC: H01L21/316 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02266 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L28/60 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种利用DC溅射法形成氧化镓膜的沉积方法。本发明的目的之一还在于提供一种半导体装置的制造方法，在该半导体装置中将氧化镓膜用作晶体管的栅极绝缘层等的绝缘层。使用含有氧化镓（也写为GaOX）的氧化物靶材并且通过DC溅射法或脉冲DC溅射方式形成绝缘膜。氧化物靶材含有GaOX，其中X小于1.5，优选为0.01以上且0.5以下，更优选为0.1以上且0.2以下。该氧化物靶材具有导电性，并且在氧气体气氛或氧气体和如氩等的稀有气体的混合气氛下进行溅射。

公开(公告)号：CN101043038B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200710087894.2

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明的目的在于提供一种写入特性及电荷保持特性优越的非易失性半导体存储装置。在本发明中，提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上层部分提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。浮动栅至少为二层结构，与第一绝缘层接触的第一层优选小于半导体层的带隙。这是为了通过使浮动栅的传导带的底部的能级低于半导体层的沟道形成区域的传导带的底部的能级，而提高载流子注入性且提高电荷保持特性。

公开(公告)号：CN101369401B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810168724.1

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/32 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN101567397A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910136911.6

申请日：2009-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  鸟海聪志 ,  横井智和 ,  古野诚

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的目的在于提供一种光电转换特性提高且具有高成本竞争力的光电转换装置。一种包括半导体结的光电转换装置，具有在杂质半导体层上针状结晶成长了的半导体层。所述杂质半导体层由微晶半导体形成并包含一种导电型的杂质。在微晶半导体层上，在成膜时将稀释气体的流量(代表为氢)设定为半导体材料气体(代表为硅烷)的1倍以上且6倍以下形成非晶半导体层。在膜的形成方向上，即从微晶半导体层向非晶半导体层的方向使具有其顶端变细的立体形状的结晶成长。

公开(公告)号：CN100437308C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410069693.6

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 当像素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动像素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。