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公开(公告)号：CN1713400A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200510078194.8
申请日：2005-06-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/82 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L43/08 , H03K19/173
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/161 , H01L29/66984 , Y10S977/932 , Y10S977/933 , Y10S977/936
Abstract: 一种自旋晶体管，包括第一导电层，该第一导电层由在第一方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极之一；第二导电层，该第二导电层由在第一方向和第二方向中的一个方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极中的另一个，所述第二方向与所述第一方向反平行。该自旋晶体管还包括沟道区，该沟道区位于第一导电层和第二导电层之间，并且在第一导电层和第二导电层之间引入电子自旋；栅电极，该栅电极位于沟道区之上；以及隧道势垒膜，该隧道势垒膜位于沟道区和第一导电层及第二导电层中的二者至少一个之间。
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公开(公告)号：CN1489152A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03155426.1
申请日：2003-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/16 , Y10T428/24917
Abstract: 提供一种磁电阻效应元件和磁存储器，具有热稳定的磁性结构、同时能降低写入信息时所必要的切换磁场。该磁电阻效应元件包括：磁化方向被固定的第一基准层；以及磁化方向随着外部磁场的变化而变化的存储层，该存储层有易磁化轴方向比难磁化轴方向长的本体部、和沿该本体部的中央部的难磁化轴方向设置的突出部。
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公开(公告)号：CN107689416A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710109879.7
申请日：2017-02-28
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN102651234B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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公开(公告)号：CN101546600B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910129709.0
申请日：2009-03-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C14/0081 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/02 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , H03K19/0944 , H03K19/18
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其特征在于，具备：N沟道型自旋FET(SN1)，在其源端以及漏端间具有取高电阻状态和低电阻状态之一的磁隧道结或半导体-磁性体结，在栅端输入输入信号，在源端施加第一电源电位，漏端与输出端相连接；P沟道型FET(P1)，在其栅端输入时钟信号，在源端施加比上述第一电源电位高的第二电源电位，漏端与上述输出端相连接；后级电路(12)，其输入端与上述输出端相连接；以及控制电路(11)，在使上述P沟道型FET(P1)导通而开始了上述输出端的充电之后，使上述P沟道型FET(P1)截止从而结束上述充电，并将上述输入信号提供给上述N沟道型自旋FET(SN1)的栅端。
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公开(公告)号：CN102651234A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043857.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/161 , G11C15/046 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。
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公开(公告)号：CN101140944B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710153622.8
申请日：2007-09-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/22 , H01L29/66 , H01L29/772 , G11C11/15 , G11C11/16
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/228 , H01L29/66984
Abstract: 一种自旋存储器，包括：磁阻元件(17)，其具有磁化方向被固定的第一铁磁层、磁化方向变化的第二铁磁层、以及在第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一非磁性层；下电极(16)和上电极(18)，其延展方向相对第二铁磁层的难磁化轴的夹角在45度到90度之间，并且两者在长度方向上的一个端部之间夹着磁阻元件；被连接到下电极在长度方向上的另一个端部的开关元件(14)；以及被连接到上电极在长度方向上的另一个端部的位线(20)，其中，通过将自旋极化电子供给到第二铁磁层并将磁场从下电极和上电极施加到第二铁磁层上来进行写入。
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公开(公告)号：CN101378072A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810213097.9
申请日：2008-08-28
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F10/3268 , H01L43/08
Abstract: 本发明的一个方面的自旋FET包括源/漏区域(13，14)，源/漏区域(13，14)之间的沟道区域，和沟道区域之上的栅电极(16)。源/漏区域(13，14)中的每一个包括由低逸出功材料(13)和铁磁物质(14)组成的堆结构。低逸出功材料(13)是由非氧化Mg，K，Ca，Sc中的一种组成的非氧化物或包含50at％或更多的所述非氧化物的合金。
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公开(公告)号：CN100452233C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610002435.5
申请日：2006-01-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , G11C11/16 , H01L43/08
Abstract: 根据本发明的一种自旋注入磁随机存取存储器，包括磁电阻元件，该磁电阻元件具有其磁化方向固定的磁性固定层、其磁化方向可以通过注入自旋极化电子改变的磁性记录层、和提供在磁性固定层和磁性记录层之间的隧道势垒层；位线，该位线使自旋注入电流通过磁电阻元件，自旋注入电流用于产生自旋极化的电子；写入字线，辅助电流通过该写入字线，辅助电流用于沿着磁电阻元件的易磁化轴方向产生辅助磁场；以及驱动器/接收器，该驱动器/接收器确定自旋注入电流的方向和辅助电流的方向。
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公开(公告)号：CN100407470C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN02160830.X
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 齐藤好昭
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/18 , G11C2213/74 , G11C2213/75 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 提供一种磁开关元件和磁存储器。该磁开关元件具备磁化(M1)实质上已固定的强磁性层，和设置在来自上述强磁性层的磁场所波及的范围内，通过施加电压从常磁状态迁移到强磁状态的磁性半导体层(10)，其特征在于：在给上述磁性半导体层加上电压时，在上述磁性半导体层内形成与上述强磁性层的上述磁化方向对应的磁化(M2)的磁开关元件和采用设置2个磁开关元件的办法，进行对磁阻效应元件的记录层的写入的磁存储器。
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