公开(公告)号：CN108780279A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780015881.6

申请日：2017-03-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  西卷裕和 ,  田村护 ,  坂本力丸 ,  德永光

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供，能够形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆用组合物。作为解决方法是一种光固化性高低差基板被覆用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，上述化合物(E)包含部分结构(I)和部分结构(II)，并且该部分结构(II)包含通过环氧基与能够产生质子的化合物之间的反应而产生的羟基，该部分结构(I)为选自下述式(1-1)～式(1-5)中的至少一种、或是式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合，部分结构(II)为下述式(2-1)或式(2-2)的部分结构。此外，关于上述组合物，在化合物(E)中，以0≤(环氧基)/(羟基)≤0.5的摩尔比包含环氧基和羟基，以0.01≤(部分结构(II))/(部分结构(I)+部分结构(II))≤0.8的摩尔比包含部分结构(II)。

公开(公告)号：CN112513738B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN201980050814.7

申请日：2019-07-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/42

Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。

公开(公告)号：CN110546568B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880024514.7

申请日：2018-04-11

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤贵文 ,  德永光 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物。解决手段是一种等离子体固化性高低差基板被覆膜形成用组合物，其包含化合物(E)和溶剂(F)，所述化合物(E)包含选自下述式(1‑1)～式(1‑7)所示的部分结构(I)中的至少一种结构。(式中，R1、R1a、R3、R5a和R6a各自独立地表示碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑、‑NRb‑或由它们的组合形成的2价基团，R5各自独立地表示氮原子、或由氮原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数6～40的亚芳基(该亚烷基和亚芳基可以任意地被1个或2个以上酰胺基或氨基取代)、氧原子、羰基、硫原子、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的3价基团，R2、R2a、R4、和R6各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、或由氢原子与选自碳原子数1～10的亚烷基、氧原子、羰基、‑C(O)‑NRa‑和‑NRb‑中的至少一个以上基团的组合形成的1价基团，Ra表示氢原子或碳原子数1～10的烷基，Rb表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷基羰基，n表示1～10的重复单元数，并且虚线表示与相邻原子结合的化学键。)#imgabs0#

公开(公告)号：CN109154778B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201780030002.7

申请日：2017-05-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 西卷裕和 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/00 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)和/或式(1b)所示的重复结构单元的聚合物、和溶剂。[式(1a)和(1b)中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基或杂环基，R4表示氢原子、苯基或萘基，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，p表示3～500的整数，X表示苯环，与该苯环结合的2个‑C(CH3)2‑基处于间位或对位的关系。]

公开(公告)号：CN110582728A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880028518.2

申请日：2018-04-10

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  桥本雄人 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08K5/13 ,  C08K5/132 ,  C08L101/00

Abstract: 本发明的课题是提供耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种耐受过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：树脂；下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物；交联剂；交联催化剂；以及溶剂，其中，相对于上述树脂，以80质量％为上限含有上述式(1a)、式(1b)或式(1c)所示的化合物，并含有5质量％～40质量％的上述交联剂。(式中，X表示羰基或亚甲基，l和m各自独立地表示满足3≤l+m≤10的关系式的0～5的整数，n表示2～5的整数，u和v各自独立地表示满足3≤u+v≤8的关系式的0～4的整数，R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、羟基、可以具有至少1个羟基作为取代基且可以在主链具有至少1个双键的碳原子数1～10的烃基、或可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数6～20的芳基，在R1、R2、R3和R4表示该碳原子数1～10的烃基的情况下，R1和R2、R3和R4可以与它们所结合的环碳原子一起形成苯环，该苯环可以具有至少1个羟基作为取代基，j和k各自独立地表示0或1。)

公开(公告)号：CN109643065A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053181.6

申请日：2017-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 齐藤大悟 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成兼具耐热性、平坦化性、和耐蚀刻性的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜的材料。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：包含下述式(1)(在式(1)中，R1为包含至少2个胺和至少3个碳原子数6～40的芳香族环的有机基，R2和R3分别为氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、杂环基、或它们的组合，并且，该烷基、该芳基、该杂环基可以被卤基、硝基、氨基、甲酰基、烷氧基、或羟基取代，或者R2和R3可以一起形成环)所示的单元结构的聚合物。上述组合物中，R1为由N,N’-二苯基-1,4-苯二胺衍生的2价有机基。

公开(公告)号：CN109563234A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047436.8

申请日：2017-07-31

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  桥本圭祐 ,  坂本力丸

IPC: C08G59/14 ,  C08G59/68 ,  G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供用于在基板上形成具有平坦化性的被膜的光固化性组合物，其对图案的填充性高，能够形成不发生热收缩的涂膜。解决手段是一种光固化性组合物，其包含：包含光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构的至少1个化合物；以及溶剂。上述化合物为分子内具有1个以上光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构的化合物。上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构存在于同一分子内的化合物，或者上述化合物为光分解性含氮结构和/或光分解性含硫结构、和烃结构分别存在于不同分子间的化合物的组合。烃结构为碳原子数1～40的饱和或不饱和，且为直链、支链或环状的烃基。光分解性含氮结构包含通过紫外线照射而产生的反应性含氮官能团或反应性含碳官能团，光分解性含硫结构为包含通过紫外线照射而产生的有机硫自由基、或碳自由基的结构。

公开(公告)号：CN108885403A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022967.1

申请日：2017-04-17

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柄泽凉 ,  桥本圭祐

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物。式(1)的结构单元为式(2)的结构单元。本发明提供半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过对该抗蚀剂照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻而形成图案的工序，通过该图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻而形成图案的工序，以及，通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。