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公开(公告)号：CN102074474A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910189541.2
申请日：2009-11-24
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/8238 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种双极晶体管的制造方法，包括：形成CMOS栅极，在所述栅极上低压沉积正硅酸乙酯层，进行侧墙软腐蚀工艺，对所述正硅酸乙酯层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷，形成CMOS源漏极。本发明对形成侧墙的膜层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷，增大了电流工作区间，从而很大程度的改善了垂直NPN双极晶体管的电流增益。
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公开(公告)号：CN103050398B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110311498.X
申请日：2011-10-14
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7685 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/76837 , H01L21/76838 , H01L24/03
Abstract: 一种半导体厚金属结构的制作方法，包括厚金属沉积步骤、金属图形化步骤以及钝化步骤，其中在厚金属沉积步骤中，采用Ti-TiN叠层结构作为抗反射层，实现4um金属腐蚀无残留。在金属图形化步骤中，采用N2进行侧壁保护，实现4um金属凹凸结构倾斜角度接近90度，并通过增加一步主过刻步骤，实现4um金属凹凸结构侧壁的光滑。采用半满的钝化填充结构，实现在4um金属厚度下的1.5um金属间隙有效钝化保护。最终实现线宽/间距1.5um/1.5um的4um厚金属结构的制作。
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公开(公告)号：CN103050398A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110311498.X
申请日：2011-10-14
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/7685 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/76837 , H01L21/76838 , H01L24/03
Abstract: 一种半导体厚金属结构的制作方法，包括厚金属沉积步骤、金属图形化步骤以及钝化步骤，其中在厚金属沉积步骤中，采用Ti-TiN叠层结构作为抗反射层，实现4um金属腐蚀无残留。在金属图形化步骤中，采用N2进行侧壁保护，实现4um金属凹凸结构倾斜角度接近90度，并通过增加一步主过刻步骤，实现4um金属凹凸结构侧壁的光滑。采用半满的钝化填充结构，实现在4um金属厚度下的1.5um金属间隙有效钝化保护。最终实现线宽/间距1.5um/1.5um的4um厚金属结构的制作。
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公开(公告)号：CN102088037B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910188618.4
申请日：2009-12-04
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/866 , H01L21/329
Abstract: 一种齐纳二极管，包括N型衬底，在N型衬底之上的表面氧化膜，在N型衬底内的阳极区，阴极区在阳极区之内，还包括阳极区之内的N型注入区，该N型较低漂移区围住阴极结弧面处。采用本发明的结构可以避免齐纳二极管在阴极结的弧面处击穿，可以较精确地决定齐纳击穿，提高击穿电压的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102820332A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110151714.9
申请日：2011-06-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/22 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种与MOS管集成的垂直型双极结型晶体管及其制备方法，属于双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor，BJT）技术领域。该垂直型BJT中，其中所述MOS管和所述垂直型BJT形成于衬底的外延层上，所述垂直型BJT包括由上至下依次设置的发射区、基区、集电区以及第一埋层，其中，所述集电区和所述第一埋层通过所述衬底中的初始埋层向外延层扩散而一体化地形成。该垂直型BJT性能好，其制备方法过程简单、制备成本低、工艺周期短。
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公开(公告)号：CN102544092A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010593032.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/092 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/265 , H01L21/823814 , H01L29/1083 , H01L29/7833
Abstract: 本发明提供了一种CMOS器件及其制造方法，所述CMOS器件，包括轻掺杂漏区域，所述轻掺杂漏区域中设置有一层掺杂层；所述掺杂层中掺杂的离子导电类型与轻掺杂漏区域中掺杂的离子导电类型相反。本发明所提供的CMOS器件及其制造方法中，在器件的轻掺杂漏区域中形成了一层掺杂层，且该掺杂层中掺杂的离子导电类型与轻掺杂漏区域中掺杂的离子导电类型相反，因此，当轻掺杂漏区注入剂量提高相应值时，所述掺杂层能够配合衬底加快轻掺杂区的耗尽速度，使其仍能达到全耗尽，这样既保证了该器件的击穿电压不变，又由于轻掺杂漏区浓度的提升，降低了器件的导通电阻，从而提高了器件的开态电流。
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公开(公告)号：CN102386211A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010269279.5
申请日：2010-08-31
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L29/1087 , H01L29/7835
Abstract: 一种LDMOS器件，包括源区，栅极区，漏区，体区以及掺杂类型与体区相反的漂移区，体区在衬底区之上，漂移区在漏区和体区之间。LDMOS器件还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层位于漂移区之上，栅极区之下。采用本发明的结构，可以提高器件的击穿电压，有利于降低导通电阻，使器件的功耗降低。并且在调整制造过程中，调整绝缘介质层和漂移区的结深对其他器件的较小。
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公开(公告)号：CN102088037A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910188618.4
申请日：2009-12-04
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/866 , H01L21/329
Abstract: 一种齐纳二极管，包括N型衬底，在N型衬底之上的表面氧化膜，在N型衬底内的阳极区，阴极区在阳极区之内，还包括阳极区之内的N型注入区，该N型较低漂移区围住阴极结弧面处。采用本发明的结构可以避免齐纳二极管在阴极结的弧面处击穿，可以较精确地决定齐纳击穿，提高击穿电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN102088031A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910188704.5
申请日：2009-12-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L21/266 , H01L29/0634 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/7835
Abstract: 一种NLDMOS器件，包括浮置-P型结构，第一场氧区，第二场氧区，N型漂移区，第一场氧区和第二场氧区位于N型漂移区之上相对设置，所述浮置-P型结构位于N型漂移区的中部，所述的第一场氧区和第二场氧区不是连在一起，两者之间的有源区的宽度配合注入浮置-P型结构的长度。采用本发明的结构，不但可以提高半导体器件的击穿电压，而且有效地降低了导通电阻，同时减小了对高能注入的需求，降低了对工艺机台的限制，生产中容易实现。
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