-
公开(公告)号：CN111696853B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010581539.6
申请日：2016-01-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文涉及处理基板的方法。本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。
-
-
公开(公告)号：CN111696853A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010581539.6
申请日：2016-01-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文涉及处理基板的方法。本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。
-
公开(公告)号：CN107675143B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201710941749.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/509 , C23C16/517 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及包括双通道喷头的装置。本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
-
公开(公告)号：CN105830210B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201480069735.8
申请日：2014-11-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/8238 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分以形成低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面。在低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面上形成含金属介电层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107675143A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710941749.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/509 , C23C16/517 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及包括双通道喷头的装置。本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
-
公开(公告)号：CN107210196A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009234.X
申请日：2016-01-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。
-
公开(公告)号：CN106104775A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580006256.6
申请日：2015-01-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 段仁官 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , 周建华 , N·刘 , 陈一宏 , A·B·玛里克 , S·R·恭德哈勒卡尔
Abstract: 在一个实施例中，公开一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从约0.0196至0.2951，w的范围从约0.0131至0.1569，x的范围从约0.0164至0.0784，y的范围从约0.0197至0.1569，z的范围从约0.5882至0.6557，并且v+w+x+y+z＝1。
-
公开(公告)号：CN117293018A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311074164.4
申请日：2018-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3105 , H01L21/033
Abstract: 在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
-
公开(公告)号：CN110546753B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201880026884.4
申请日：2018-04-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3065
Abstract: 此处说明用于无缝间隙填充的方法，包括以下步骤：在特征中沉积膜；处理膜以改变某些膜特性；以及从顶部表面选择性地蚀刻膜。重复沉积、处理以及蚀刻的步骤以在特征中形成无缝间隙填充。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.027 seconds)
