公开(公告)号：CN100449816C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510027788.6

申请日：2005-07-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  李喜峰 ,  章壮健 ,  黄丽 ,  缪维娜

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3:Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3:Pt，W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3:Pt，W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101308877A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810039602.2

申请日：2008-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  王颖华 ,  施展

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于透明电子学领域，具体为一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法。本发明以p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明半导体薄膜和n型掺钨氧化铟(In2O3:W)透明导电薄膜相结合，构成CuAlS2:Zn－In2O3:W透明半导体薄膜二极管。本发明以普通玻璃为基板，首先利用脉冲等离子体沉积镀膜法生长一层p型导电CuAlS2:Zn薄膜，然后在室温条件下利用反应直流磁控溅射法在CuAlS2:Zn薄膜上制备一层n型导电In2O3:W薄膜。所制备的薄膜二极管显示出良好的二极管整流特性，且透明性良好，构成了一种新型的异质结透明半导体薄膜二极管。本发明获得的透明半导体薄膜二极管在新型光电子器件领域具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101262016A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810036559.4

申请日：2008-04-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  施展 ,  杨铭 ,  王颖华

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1－xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。

公开(公告)号：CN101101931A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710044240.1

申请日：2007-07-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  李桂锋 ,  李喜峰

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝Mo，W)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钼或钨的镶嵌靶，在基板温度为室温的条件下采用反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有非晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、相对高的载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在柔性太阳能电池领域和近红外传感器等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN117770077A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410068157.1

申请日：2024-01-17

Applicant: 复旦大学 ,  上海市园林科学规划研究院

Inventor： 刘泽康 ,  张群 ,  鞠瑞亭 ,  吴纪华

IPC: A01G22/00 ,  C12Q1/6895

Abstract: 本发明提供了一种通过提高海三棱藨草遗传多样性促进滨海湿地生态系统抵抗外来植物互花米草入侵的方法，属于生态工程技术领域。所述通过提高海三棱藨草遗传多样性促进滨海湿地生态系统抵抗外来植物互花米草入侵的方法，包括以下步骤：S1、海三棱藨草不同遗传资源种群的采集与扩繁，得到海三棱藨草球茎；S2、将步骤S1中扩繁得到的海三棱藨草球茎进行基因型的鉴定和选择；S3、将步骤S2中选择出的海三棱藨草球茎进行遗传多样性的搭配；S4、将步骤S3中进行遗传多样性搭配后的海三棱藨草球茎种植在修复区域。本发明方法中以基因型搭配的模式种植高遗传多样性海三棱藨草种群，使高遗传多样性种群能更好的发挥作用，进而达到生态防治的目的。

公开(公告)号：CN110098260A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910287859.8

申请日：2019-04-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  沈杰 ,  李凯文 ,  黄瑜婷 ,  盛楚明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法，半导体薄膜晶体管制备方法包括以下步骤：提供一带有二氧化硅介质层的硅衬底，采用磁控溅射法在其上依次制备稀土元素Tm掺杂SnO2有源层，以及ITO透明导电薄膜源漏电极。本发明采用物理方法将稀土Tm元素掺杂进SnO2薄膜中，有效地抑制了SnO2半导体的氧空位，制备得到的TmSnO薄膜的禁带宽度大于3.8 eV。将制备得到的TmSnO薄膜应用于晶体管，得到的场效应薄膜晶体管具有优良的综合性能，优化的场效应迁移率大于5.0 cm2V-1s-1，开关比大于107，阈值电压大于-3 V，亚阈值摆幅小于0.7 Vdec-1，具有一定的产业应用前景。

公开(公告)号：CN108336146A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810133252.X

申请日：2018-02-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  李喜峰 ,  杨建文 ,  林东 ,  李凯文

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体为一种基于Al2O3高k介质层的GaxSn1-xO薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用溶液法在硅基片上制备Al2O3高k介质层和GaxSn1-xO沟道层，源漏电极采用ITO或Al电极，形成具有一定电学功能的底栅结构型TFT器件。本发明将传统的溶液制备Al2O3介质层技术和无铟GaxSn1-xO双金属氧化物沟道有机结合，实现了高性能的场效应TFT器件，最佳的性能参数为场效应迁移率76.3 cm2V-1s-1，饱和迁移率71.6 cm2V-1s-1，开关比1.8×107，阈值电压0.67V，亚阈值摆幅76mVdec-1。

公开(公告)号：CN102368535B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110354547.8

申请日：2011-11-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  刘宝营

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种可擦写式双层薄膜结构的阻变式存储单元及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡与钼靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备二氧化锡阻变薄膜和氧化钼氧存储层，并采用直流磁控溅射法制备钼顶电极和铂钛底电极测试器件的阻变特性。与单层SnO2薄膜阻变存储单元相比，具有SnO2/MoOx双层薄膜结构的存储单元无需高电压初始化，擦写测试无需限制电流，写入电压一致性有明显改善。脉冲扫描测试中，高低阻态之比大于20，可擦写次数大于4×104次，高低阻态维持时间大于2×104秒等特性。本发明制备的阻变存储单元在非易失性存储领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102121335A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201110053293.6

申请日：2011-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陆起涌 ,  张群 ,  杨絮 ,  贾思强

IPC: E05B49/00 ,  H04B5/00 ,  H04M11/00

Abstract: 本发明属于电子锁技术领域，具体涉及一种基于随机数开锁的蓝牙电子锁系统。系统分为钥匙和锁两部分。钥匙是带有蓝牙功能的智能手机；锁包括电源转换、单片机、蓝牙收发模块、LCD液晶显示器、GPRS模块、电子锁具。钥匙端和锁端通过蓝牙进行通信，发送开锁数据；锁和钥匙之间传输的数据是由锁端产生的随机数。与以往的蓝牙电子锁系统相比，通过锁端产生的随机数以及此随机数仅使用一次的特点，增加了非法开锁的难度和成本。随机数由锁端产生，用户以安全方式获得并保存以便下次使用；一旦发生手机遗失盗取等情况，用户可以通过GPRS模块与锁进行联系，取消原开锁的随机数，并产生及获取新的随机数。该系统具有简单、安全的特性。

公开(公告)号：CN101413099A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810203477.4

申请日：2008-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  黄延伟 ,  李桂峰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为一种掺钨二氧化锡(SnO2:W)多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在温度为室温的石英玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，在适当的靶材成分、沉积压强、脉冲电流、脉冲电压以及后热处理技术下制备获得具有多晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围(400－700nm)高透射率、以及近红外范围(700－2500nm)高透射率等优良的光学和电学特性。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器、特别是近红外传感器以及太阳能电池等领域具有良好的应用前景。