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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102368535B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110354547.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种可擦写式双层薄膜结构的阻变式存储单元及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡与钼靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备二氧化锡阻变薄膜和氧化钼氧存储层，并采用直流磁控溅射法制备钼顶电极和铂钛底电极测试器件的阻变特性。与单层SnO2薄膜阻变存储单元相比，具有SnO2/MoOx双层薄膜结构的存储单元无需高电压初始化，擦写测试无需限制电流，写入电压一致性有明显改善。脉冲扫描测试中，高低阻态之比大于20，可擦写次数大于4×104次，高低阻态维持时间大于2×104秒等特性。本发明制备的阻变存储单元在非易失性存储领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103247758B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310157318.6
申请日：2013-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于非易失性存储器件技术领域，具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡薄膜作为阻变层，氧化钼薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极的金属镍薄膜，氧化锡薄膜，氧化钼薄膜，作为顶电极的金属钼薄膜。本发明在低温条件下(~100℃)利用直流磁控溅射技术，在基板依次制备金属镍薄膜、氧化锡薄膜、氧化钼薄膜、金属钼薄膜。本发明制备的阻变存储单元具有良好的弯折耐久性等特性，在非易失性存储领域、柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102368535A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110354547.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种可擦写式双层薄膜结构的阻变式存储单元及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡与钼靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备二氧化锡阻变薄膜和氧化钼氧存储层，并采用直流磁控溅射法制备钼顶电极和铂钛底电极测试器件的阻变特性。与单层SnO2薄膜阻变存储单元相比，具有SnO2/MoOx双层薄膜结构的存储单元无需高电压初始化，擦写测试无需限制电流，写入电压一致性有明显改善。脉冲扫描测试中，高低阻态之比大于20，可擦写次数大于4×104次，高低阻态维持时间大于2×104秒等特性。本发明制备的阻变存储单元在非易失性存储领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103247758A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310157318.6
申请日：2013-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于非易失性存储器件技术领域，具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡薄膜作为阻变层，氧化钼薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极的金属镍薄膜，氧化锡薄膜，氧化钼薄膜，作为顶电极的金属钼薄膜。本发明在低温条件下(~100℃)利用直流磁控溅射技术，在基板依次制备金属镍薄膜、氧化锡薄膜、氧化钼薄膜、金属钼薄膜。本发明制备的阻变存储单元具有良好的弯折耐久性等特性，在非易失性存储领域、柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102260846A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206115.2
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于非易失性电阻式存储器件技术领域，具体为一种多晶二氧化锡阻变薄膜及其制备方法与应用。本发明以玻璃为基板，用纯金属锡靶材，在一定温度条件下利用直流磁控溅射技术，制备多晶二氧化锡半导体阻变薄膜。采用直流磁控溅射法制备镍顶电极和铂钛底电极测试多晶二氧化锡阻变薄膜的阻变特性。多晶二氧化锡阻变薄膜的高低阻态之比大于100，直流扫描可擦写次数大于250次，高低阻态维持时间大于106秒。该多晶二氧化锡阻变薄膜可作为阻变存储器的阻变材料。本发明还涉及以多晶二氧化锡薄膜为阻变材料的阻变存储器。本发明在非易失性存储领域具有良好的应用前景。
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