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公开(公告)号：CN109148593B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810775365.X
申请日：2018-07-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种三元p型CuBi2O4薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用射频磁控溅射技术在热氧化SiO2基片上制备p型CuBi2O4沟道层，源漏电极采用Au、Ni、Cu或ITO电极，形成具有一定p型调制功能的底栅结构型TFT器件。本发明制备的CuBi2O4沟道层具有稳定的p型半导体特性，器件结构简单且制备工艺与微电子兼容，在OLED显示以及透明电子电路中具有广阔的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN102779758B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210257327.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法。该方法以铝掺杂铟锌氧化物获得铟锌铝氧化物半导体薄膜，改善铟锌氧化物半导体沟道层的性能。本发明利用一种成本低廉、工艺简单、大面积制备容易的浸渍提拉法工艺制备了表面平整、厚度均一而致密的铟锌铝氧化物薄膜，并将其应用于氧化物薄膜晶体管制备中。所制备的薄膜晶体管器件综合性能优良，具有较高饱和迁移率26.8 cm2/Vs，较低亚阈值摆幅0.24 V/decade，开关比大于104。
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公开(公告)号：CN102779758A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210257327.8
申请日：2012-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体为一种以铟锌铝氧化物为沟道层的薄膜晶体管的制备方法。该方法以铝掺杂铟锌氧化物获得铟锌铝氧化物半导体薄膜，改善铟锌氧化物半导体沟道层的性能。本发明利用一种成本低廉、工艺简单、大面积制备容易的浸渍提拉法工艺制备了表面平整、厚度均一而致密的铟锌铝氧化物薄膜，并将其应用于氧化物薄膜晶体管制备中。所制备的薄膜晶体管器件综合性能优良，具有较高饱和迁移率26.8cm2/Vs，较低亚阈值摆幅0.24V/decade，开关比大于104。
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公开(公告)号：CN102768945A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210240746.0
申请日：2012-07-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，具体为一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌（IGZO）半导体薄膜的低温处理方法。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，单乙醇胺为稳定剂，将In(NO3)3·4.5H2O、Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中，形成澄清稳定前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，在红外加热灯下照射得到平整透明的IGZO半导体薄膜。与传统溶胶凝胶法利用热板退火制备IGZO薄膜相比，利用红外加热灯照射的IGZO薄膜具备更优良的半导体及光学性能，且工艺温度更低，小于250℃。以此IGZO薄膜作为沟道层材料的薄膜晶体管，开关电流比大于5×106，饱和迁移率大于1.8cm2/Vs，亚阈值摆幅小于2.2V/dec。
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公开(公告)号：CN102121335B
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110053293.6
申请日：2011-03-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子锁技术领域，具体涉及一种基于随机数开锁的蓝牙电子锁系统。系统分为钥匙和锁两部分。钥匙是带有蓝牙功能的智能手机；锁包括电源转换、单片机、蓝牙收发模块、LCD液晶显示器、GPRS模块、电子锁具。钥匙端和锁端通过蓝牙进行通信，发送开锁数据；锁和钥匙之间传输的数据是由锁端产生的随机数。与以往的蓝牙电子锁系统相比，通过锁端产生的随机数以及此随机数仅使用一次的特点，增加了非法开锁的难度和成本。随机数由锁端产生，用户以安全方式获得并保存以便下次使用；一旦发生手机遗失盗取等情况，用户可以通过GPRS模块与锁进行联系，取消原开锁的随机数，并产生及获取新的随机数。该系统具有简单、安全的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101599437B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910055286.2
申请日：2009-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/363
Abstract: 本发明属薄膜晶体管技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法，包括步骤：采用铟锌合金或铟锌氧化物为靶材，在室温条件下用磁控溅射技术在基板上生长具有透明非晶结构的铟锌氧化物半导体薄膜，形成薄膜晶体管的沟道层；采用热蒸发法在沟道层上制备源电极和漏电极；采用提拉或旋涂法在源电极和漏电极上面覆盖一层聚乙烯吡咯烷酮有机溶液制成的有机介质层薄膜；并采用热蒸发法在有机介质层薄膜上制备栅电极。所述靶材中的In∶Zn的原子比为0.5至5.0。本方法可制备具有良好电子光学性能的新型透明薄膜晶体管，其制备温度低，工艺简单，有利于大面积生产，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102110492A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910200573.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于透明电子学研究领域，具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，该薄膜是化学配比为Ni1-xCuxO的掺铜氧化镍薄膜，0＜x≤0.3。本发明以普通玻璃为基板，利用Ni1-xCuxO的陶瓷靶，通过脉冲等离子体沉积技术，在适当的基板温度、氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电性能。同时，其制备方法具有操作简便，设备价格相对低廉的优越性。因此，本发明所获得的新型薄膜材料及制备方法，在半导体光电子领域具有一定的应用潜力。
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公开(公告)号：CN101299423B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810039208.9
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/441 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，制备获得具有非晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有电阻率低、载流子迁移率高、可见光范围透射率高、以及近红外范围透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器和太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101567390A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052552.6
申请日：2009-06-04
Applicant: 上海广电(集团)有限公司中央研究院 , 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L29/12 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及透明氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管的栅极、源极和漏极采用高迁移率掺杂氧化铟IMeO透明导电氧化物薄膜制作，并以透明氧化物半导体TOS为沟道层，构成TOS－IMeO全透明氧化物薄膜晶体管。所述制备方法以普通玻璃为基板，在300～350℃温度下进行磁控溅射2～30分钟，根据顶栅结构和底栅结构按各自不同的顺序形成透明氧化物半导体薄膜晶体管。所制作的薄膜晶体管具有良好的电导率、载流子迁移率以及光学透明性，本发明获得的全透明氧化物半导体薄膜晶体管在平板显示领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100477133C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300-350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700-2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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