公开(公告)号：CN103274435B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201310191783.1

申请日：2013-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 浦海峰 ,  张群

IPC: C01F7/02 ,  C03C17/23

Abstract: 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种氧化铝钛薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化铝钛薄膜。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为添加剂，将Al(C4H9O)3、Ti(C4H9O)4溶解其中，形成澄清稳定的前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，经预热处理及后续高温热处理得到氧化铝钛薄膜。本还涉及采用氧化铝钛作为栅介质层的薄膜晶体管的制备方法。以此作为栅介质层材料的IZO薄膜晶体管，开关电流比大于1×106，饱和迁移率大于1.1cm2/Vs，亚阈值摆幅小于1.5V/dec。

公开(公告)号：CN103489766A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310420583.9

申请日：2013-09-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 浦海峰 ,  张群

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L29/401 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明属于氧化物介质层薄膜技术领域，具体为一种氧化镁钛高介电常数薄膜及其制备方法和应用。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为稳定剂，将Mg(OC2H5)2、Ti(C4H9O)4溶解其中，形成澄清稳定的前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，经预热处理及后续高温热处理得到氧化镁钛薄膜。本发明还涉及采用氧化镁钛作为栅介质层的薄膜晶体管。以氧化镁钛薄膜作为栅介质层材料的IZO薄膜晶体管，开关电流比为6×106，饱和迁移率为3.4cm2/Vs，亚阈值摆幅为0.32V/dec。

公开(公告)号：CN103274435A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310191783.1

申请日：2013-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 浦海峰 ,  张群

IPC: C01F7/02 ,  C03C17/23

Abstract: 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种氧化铝钛薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化铝钛薄膜。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为添加剂，将Al(C4H9O)3、Ti(C4H9O)4溶解其中，形成澄清稳定的前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，经预热处理及后续高温热处理得到氧化铝钛薄膜。本还涉及采用氧化铝钛作为栅介质层的薄膜晶体管的制备方法。以此作为栅介质层材料的IZO薄膜晶体管，开关电流比大于1×106，饱和迁移率大于1.1cm2/Vs，亚阈值摆幅小于1.5V/dec。

公开(公告)号：CN102768945A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210240746.0

申请日：2012-07-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 浦海峰 ,  张群

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，具体为一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌（IGZO）半导体薄膜的低温处理方法。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，单乙醇胺为稳定剂，将In(NO3)3·4.5H2O、Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中，形成澄清稳定前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，在红外加热灯下照射得到平整透明的IGZO半导体薄膜。与传统溶胶凝胶法利用热板退火制备IGZO薄膜相比，利用红外加热灯照射的IGZO薄膜具备更优良的半导体及光学性能，且工艺温度更低，小于250℃。以此IGZO薄膜作为沟道层材料的薄膜晶体管，开关电流比大于5×106，饱和迁移率大于1.8cm2/Vs，亚阈值摆幅小于2.2V/dec。