公开(公告)号：CN101299423B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200810039208.9

申请日：2008-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  黄延伟 ,  李桂峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/441 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，制备获得具有非晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有电阻率低、载流子迁移率高、可见光范围透射率高、以及近红外范围透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器和太阳能电池领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101299423A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810039208.9

申请日：2008-06-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  黄延伟 ,  李桂峰

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/441 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，制备获得具有非晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有电阻率低、载流子迁移率高、可见光范围透射率高、以及近红外范围透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器和太阳能电池领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101413099A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810203477.4

申请日：2008-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  黄延伟 ,  李桂峰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为一种掺钨二氧化锡(SnO2:W)多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在温度为室温的石英玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，在适当的靶材成分、沉积压强、脉冲电流、脉冲电压以及后热处理技术下制备获得具有多晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围(400－700nm)高透射率、以及近红外范围(700－2500nm)高透射率等优良的光学和电学特性。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器、特别是近红外传感器以及太阳能电池等领域具有良好的应用前景。