公开(公告)号：CN1738071A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510027788.6

申请日：2005-07-15

申请人： 复旦大学

发明人： 张群 ,  李喜峰 ,  章壮健 ,  黄丽 ,  缪维娜

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L21/283

摘要： 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3∶Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3∶Pt，W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3∶Pt，W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN108336146A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810133252.X

申请日：2018-02-09

申请人： 复旦大学

发明人： 任锦华 ,  张群 ,  李喜峰 ,  杨建文 ,  林东 ,  李凯文

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体为一种基于Al2O3高k介质层的GaxSn1-xO薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用溶液法在硅基片上制备Al2O3高k介质层和GaxSn1-xO沟道层，源漏电极采用ITO或Al电极，形成具有一定电学功能的底栅结构型TFT器件。本发明将传统的溶液制备Al2O3介质层技术和无铟GaxSn1-xO双金属氧化物沟道有机结合，实现了高性能的场效应TFT器件，最佳的性能参数为场效应迁移率76.3 cm2V-1s-1，饱和迁移率71.6 cm2V-1s-1，开关比1.8×107，阈值电压0.67V，亚阈值摆幅76mVdec-1。

公开(公告)号：CN1696335A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510025957.2

申请日：2005-05-19

申请人： 复旦大学

发明人： 张群 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽 ,  章壮健

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明是一种室温下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在室温下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。

公开(公告)号：CN100415930C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510025957.2

申请日：2005-05-19

申请人： 复旦大学

发明人： 张群 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽 ,  章壮健

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明是一种基板温度为0-30℃下利用反应直流磁控溅射法制备非晶掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钼铟金属镶嵌靶，在0-30℃基板温度下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有非晶结构的IMO薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在新型光电器件领域具有良好应用前景。

公开(公告)号：CN100449816C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510027788.6

申请日：2005-07-15

申请人： 复旦大学

发明人： 张群 ,  李喜峰 ,  章壮健 ,  黄丽 ,  缪维娜

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L21/283

摘要： 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3:Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3:Pt，W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3:Pt，W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN101101931A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710044240.1

申请日：2007-07-26

申请人： 复旦大学

发明人： 张群 ,  李桂锋 ,  李喜峰

IPC分类号： H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝Mo，W)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钼或钨的镶嵌靶，在基板温度为室温的条件下采用反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有非晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、相对高的载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在柔性太阳能电池领域和近红外传感器等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN2908530Y

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200520043480.6

申请日：2005-07-15

申请人： 复旦大学

发明人： 张群 ,  章壮健 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜的铟钨金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钨丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为1.0－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钨丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。

公开(公告)号：CN2789273Y

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200520041650.7

申请日：2005-05-19

申请人： 复旦大学

发明人： 张群 ,  章壮健 ,  李喜峰 ,  缪维娜 ,  黄丽

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钼氧化铟(IMO)透明导电氧化物薄膜的铟钼金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钼丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为2.5－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钼丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。