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公开(公告)号：CN115643764A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210473679.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例涉及存储器单元，其中界面层位于铁电层的底部上，位于底部电极和铁电层之间。界面层是与底部电极和铁电层不同的材料，并且具有与底部电极的顶面相比具有高纹理均匀性的顶面。例如，界面层可以是电介质、金属氧化物或金属，该电介质、金属氧化物或金属是：(1)非晶的；(2)单晶的；(3)具有低晶粒尺寸变化的晶体；(4)具有高百分比的共享共同取向的晶粒的晶体；(5)具有高百分比的具有小晶粒尺寸的晶粒的晶体；或(6)前述的任何组合。应该理解，这样的材料导致界面层的顶面处的高纹理均匀性。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)芯片及其形成方法。
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公开(公告)号：CN115346572A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210007416.0
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/22
Abstract: 一种用于唤醒铁电存储器的方法被提供。一晶片是形成有多个第一信号线、多个第二信号线、多个第三信号线、及构成一铁电存储器阵列的多个铁电存储器单元。所述铁电存储器单元中的每一者是电连接至所述第一信号线中的一者、所述第二信号线中的一者及所述第三信号线中的一者。电压信号是同时施加至所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线以在所述铁电存储器单元中引发一唤醒效应发生。
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公开(公告)号：CN110970438A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910917271.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 一些实施例涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。该FeRAM器件包括：底部电极结构和位于底部电极结构上面的顶部电极。顶部电极具有在顶部电极的最外侧壁之间测量的第一宽度。铁电结构将底部电极结构与顶部电极分隔开。铁电结构具有在铁电结构的最外侧壁之间测量的第二宽度。第二宽度大于第一宽度，使得铁电结构包括反映第一宽度和第二宽度之间的差的凸缘。介电侧壁间隔件结构设置在凸缘上，并且覆盖顶部电极的最外侧壁。本发明的实施例还涉及存储器器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411503A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810325697.8
申请日：2018-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L27/22 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本申请的各个实施例涉及形成用于存储器的平坦的通孔顶面的方法以及由该方法产生的集成电路(IC)。在一些实施例中，在所述介电层中实施蚀刻以形成开口。形成覆盖介电层并且内衬于开口的衬垫层。形成覆盖介电层并且填充位于衬垫层上方的开口的剩余部分的下部主体层。将下部主体层的顶面和衬垫层的顶面凹进到介电层的顶面下面以部分地清除开口。形成覆盖介电层并且部分地填充开口的同质的上部主体层。对同质的上部主体层实施平坦化直到到达介电层。本发明实施例涉及一种集成电路及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108987429A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711063342.8
申请日：2017-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 一种半导体装置，包含金属间介电层、记忆单元、储存单元、晶体管和介电层。记忆单元包含位于金属间介电层顶表面的金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)结构。晶体管位于金属间介电层的下方。介电层在晶体管上延伸并沿着金属介电层的顶表面延伸。介电层自金属-绝缘体-金属结构分离。
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公开(公告)号：CN104659050A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410333765.7
申请日：2014-07-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/122 , H01L45/124 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1666 , H01L45/1683
Abstract: 一种集成电路器件包括：形成在衬底上方的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元。RRAM单元包括具有上表面的顶电极。阻挡层覆盖上表面的一部分。通孔延伸在电介质的基质内的顶电极之上。顶电极的上表面包括与阻挡层交界的区域和与通孔交界的区域。与通孔交界的上表面的区域环绕与阻挡层交界的上表面的区域。当以这种方式构建时，在加工期间，阻挡层用以保护RRAM单元不受蚀刻破坏，从而不干扰上面的通孔和顶电极之间的接触。本发明包括RRAM器件的顶电极阻挡层。
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公开(公告)号：CN104167422A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410206061.3
申请日：2014-05-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1253 , H01L45/1616 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括存储区。在存储区上设置存储器结构。存储器结构包括第一电极、可变电阻层、保护间隔件以及第二电极。第一电极具有位于存储区上的顶面和第一外侧壁表面。可变电阻层具有第一部分和第二部分。第一部分设置在第一电极的顶面的上方而第二部分从第一部分处向上延伸。保护间隔件设置在第一电极的顶面的部分的上方并且至少包围可变电阻层的第二部分。保护间隔件可被配置为保护可变电阻层内的至少一条导电路径。保护间隔件具有与第一电极的第一外侧壁表面基本对齐的第二外侧壁表面。第二电极设置在可变电阻层的上方。本发明还提供了一种形成可变电阻存储器结构的方法。
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