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公开(公告)号：CN116435432A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310317682.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
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公开(公告)号：CN116344724A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310195073.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，本发明提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
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公开(公告)号：CN115548182A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211213055.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，实现了多个垂直结构发光单元的并联，可分流LED芯片的总电流，以降低LED芯片的整体电压；同时，将LED芯片刻蚀形成多个发光阵列，有效增大了侧面的出光面积，尤其对短波长的紫外LED芯片，更多TM模出光，具有明显的出光效果。此外，第一电极连通层设置于各所述分割道的底面且相互连通，并在靠近所述第一型半导体层的一侧表面具有电极引出区，从而使得第一电极不额外占据发光面积，同时通过第一电极连通层极大提升的电流扩展均匀性，保证LED发光的均匀性，进一步降低LED芯片的工作电压，提升电光转化效率。
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公开(公告)号：CN113130717B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110397862.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可实现光均匀分布的mini‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底表面依次堆叠外延叠层、非掺杂层及第二型半导体薄层；同时，在所述第二型半导体薄层的表面设有透明导电层，且所述透明导电层通过沟槽嵌入的方式与所述第二型半导体层形成接触，且所述绝缘层附着于所述通孔侧壁并延伸至所述透明导电层的部分表面。使得当电流从电极注入后，通过所述凹槽均匀扩展至所述第二型半导体层，从而缩小所述透明导电层的中心与边缘所存在的电势差，使得电流能很均匀地分布，避免mini‑LED出现电流拥挤的现象。
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公开(公告)号：CN113363370A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110613538.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层的侧壁涂覆有遮挡层，用于遮挡LED芯片的侧向溢出光；在所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面涂覆有荧光粉；在利用垂直结构LED芯片的出光形貌呈近朗伯分布的优势的同时，通过荧光粉和遮挡层的涂覆可明显提升LED芯片出光的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130717A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110397862.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可实现光均匀分布的mini‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底表面依次堆叠外延叠层、非掺杂层及第二型半导体薄层；同时，在所述第二型半导体薄层的表面设有透明导电层，且所述透明导电层通过沟槽嵌入的方式与所述第二型半导体层形成接触，且所述绝缘层附着于所述通孔侧壁并延伸至所述透明导电层的部分表面。使得当电流从电极注入后，通过所述凹槽均匀扩展至所述第二型半导体层，从而缩小所述透明导电层的中心与边缘所存在的电势差，使得电流能很均匀地分布，避免mini‑LED出现电流拥挤的现象。
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公开(公告)号：CN112201650A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011094769.6
申请日：2020-10-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/46 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法，通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜，其中，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层；所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；同时，第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接；第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计，避免电极挡光，使LED芯片的发光面积增大；同时，通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极，有利于电极打线时的精准对位控制。
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公开(公告)号：CN111969087A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010881721.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法，将所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，且在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有第一扩展电极层；所述第一电极沉积于贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔，并与所述第一扩展电极层形成电接触；所述第二电极与所述金属电极层形成电接触。即，本申请在所述外延叠层的两个对立表面均可以较好地实现电流的均匀扩展，且使通过第一型半导体层和第二型半导体层注入到有源区的电流为垂直注入，类似垂直结构LED芯片，可以有效改善LED芯片的电流阻塞效应；此外，本申请所提供的LED芯片的结构具备很好的兼容性，可实现透明衬底在不同色系LED芯片的应用。
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公开(公告)号：CN110112274B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910428186.3
申请日：2019-05-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N型半导体，透明导电层和金属电极均固定在N型半导体背离导电基板的一面，且金属电极同时与透明导电层和N型半导体电连接。缓解了现有技术中的垂直结构芯片中N型金属电极容易影响外量子效率的技术问题。
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公开(公告)号：CN118676281A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410795595.8
申请日：2024-06-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘介质结构、欧姆接触层、金属反射结构、透明导电层以及外延叠层；其中，金属反射结构沿背离外延叠层的方向依次包括层叠的金属反射镜和金属保护层；且通过金属保护层、第二型半导体层及部分绝缘介质结构形成封闭式结构将金属反射镜包覆，防止金属反射镜脱落，及金属反射镜的金属材料扩散至芯片的四周，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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