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公开(公告)号：CN205645859U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620196473.8
申请日：2016-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
Abstract: 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管的生产技术领域，包括依次设置的衬底一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在N电极连接在裸露的N‑GaN层上，在电流扩展层上设置网格状金属纳米线P电极。本实用新型通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极，网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸，使电流分布更均匀的同时，还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用，提高LED的发光效率和亮度。
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公开(公告)号：CN205595365U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201620277105.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/44
Abstract: 本实用新型公开一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管芯片，在衬底上依次形成N‑GaN、有源区和P‑GaN，该N‑GaN、有源区和P‑GaN形成外延结构；通过刻蚀将N‑GaN裸露，在裸露的N‑GaN上形成N电极，在P‑GaN表面形成电流扩展层，在电流扩展层上形成P电极；在外延结构的表面及侧面设计增透层，增透层由多层高低折射率的绝缘材料层交替堆叠，层数至少为3层，折射率排布为低/高/…/低/高/低，增透层总厚度为1000Å‑10000Å。本实用新型可以降低发光二极管芯片的表面光反射，提升二极管芯片的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205645877U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620337327.2
申请日：2016-04-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/54
Abstract: 一种氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管技术领域。包括依次设置在衬底同一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在刻蚀形成的裸露的N‑GaN层上设置N电极，在电流扩展层上设置P电极，在有源区、P‑GaN层和电流扩展层的外表面分别设置PV层，其特征在于在电流扩展层上表面的PV层呈凹凸形。本实用新型通过电流扩展层上表面呈凹凸形状的PV层，使PV层的等效折射率发生渐变，从而增强表面多角度的透射率，使更多的光能够出射，增加LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN205645854U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620351092.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种垂直结构发光二极管，涉及发光二极管生产技术领域。在衬底的一侧通过金属键合层连接布拉格反射镜层，在布拉格反射镜层的一侧通过刻蚀的沟槽分别设置至少两个元胞，在沟槽内的金属层与N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层之间分别设置侧向布拉格反射镜层，所述侧向布拉格反射镜层在沟槽内端与上述布拉格反射镜层相连。本实用新型可以有效地提高电流的扩展能力，提高散热能力，增强光效，并在元胞侧壁形成DBR结构，可大大增强侧壁的光反射率，增强光效。
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公开(公告)号：CN205645860U
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201620282727.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种提高电流扩散的LED芯片，涉及LED的生产技术领域。在基板的同一侧设置N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层和透明导电扩散层，其特征在于LED还设置电阻高于透明导电扩散层的透明导电Barrier层，所述N型层、发光层、P型层、透明导电欧姆接触层、透明导电Barrier层和透明导电扩散层依次设置在基板的同一侧。本实用新型在现有的传统的透明导电层结构基础之上，增加了透明导电Barrier层结构，以改善现有传统的透明导电层结构电流扩展均匀性的问题，使LED芯片的发光效率得以提升。
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公开(公告)号：CN205428991U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620103259.3
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本实用新型包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本实用新型的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN205428930U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620140940.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种高压LED，涉及LED的制造技术领域。包括设置在衬底上的多个元胞，各元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间设置金属连接层；每个元胞包括N?GaN层、量子阱层和P?GaN层，在P?GaN层上设置第一电极，在N?GaN层上设置第二电极，其特征在于在各元胞的量子阱层侧壁、N?GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N?GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P?GaN层侧壁及P?GaN层表面设置DBR绝缘层。由于以上设置，可减少因为N极挡住的光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
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