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公开(公告)号：CN104409465A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410666659.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联连接，形成一体的芯片模块，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104377219A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104241480A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410457188.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/641 , H01L33/0062 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L2933/0075
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管制作方法，包括以下步骤：一，提供外延发光结构，在外延发光结构上生长外延保护层；二，采用微波化学气相沉积法，在低温的条件下，在外延保护层表面沉积金刚石薄膜，形成高热导介质层；三，采用化学气相沉积法，在低温的条件下，沉积碳化钛在金刚石薄膜表面，形成过渡层；四，在过渡层表面形成金属反射镜，金属反射镜通过导电通道与外延发光结构连接导通；五，在金属反射镜表面键合具有导电功能的基板；六，在外延发光结构上形成第一电极，在基板上形成第二电极。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104201277A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410457030.5
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/0095 , H01L33/647 , H01L2933/0075
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104201268A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410433711.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/405
Abstract: 本发明公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，在外延衬底上依次形成腐蚀截止层、粗化层、欧姆接触层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层；在第二型电流扩展层上蒸镀形成金属反射镜层；将金属反射层键合在基板上；去除外延衬底、腐蚀截止层，露出粗化层；在粗化层表面形成扩展电极图形的沟槽，沟槽深度至露出欧姆接触层；在沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极；在粗化层表面制作焊盘电极，且焊盘电极与扩展电极连接相通；在基板背面蒸镀背电极，去除焊盘电极、扩展电极的保护层，裂片后得到。本发明可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104167478A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391491.7
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，在粗化层上形成第一电极，在基板另一面形成第二电极；采用干法蚀刻在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至第二粗化层接触表面；用粗化液蚀刻最外层粗化层及第二粗化层露出部分表面及侧面，形成粗化界面；用ICP在露出第二粗化层表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至第三粗化层接触表面；用粗化液蚀刻第二粗化层及第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；重复操作步骤四及步骤五，至露出N层粗化层表面及侧面，形成粗化界面。本发明增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN204303856U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420601218.8
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本实用新型可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
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公开(公告)号：CN204257688U
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201420601237.0
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种具有电极出光的发光二极管，在外延发光结构上形成第一电极及第二电极，其中，第一电极或第二电极作为焊台电极，在作为焊台电极的第一电极或第二电极内部设置若干规则的微细透明柱体，且透明柱体与外延发光结构形成连接。本实用新型可以减少电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN204243043U
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201420699609.8
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本实用新型可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN203659913U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201420001218.4
申请日：2014-01-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/22
Abstract: 本实用新型公开一种新型结构的发光二极管，包括透明基板、外延片、第一电极和第二电极，所述外延片依次包括n型欧姆层、n型粗化层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型粗化层、p型欧姆层，所述n型欧姆层端面的面积小于n型粗化层端面的面积，所述p型欧姆层端面的面积小于p型粗化层端面的面积，外延片靠p型粗化层和p型欧姆层的一侧通过透明导电胶层粘接在透明基板上，第一电极连接在n型欧姆层上，第二电极连接在透明导电胶层上，所述n型粗化层和p型粗化层的外表面经腐蚀液蚀刻成凹凸状；所述p型欧姆层的外端面还镀有合金层；本实用新型有效降低发光二极管内部全反射造成出射光的损耗，提高了出光效率。
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