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公开(公告)号：CN109841689A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910071910.1
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种非对称峰值掺杂结合梯度掺杂的黑磷场效应管，包括与黑磷原子层平行的源极、漏极以及沟道，所述沟道从源极至漏极依次包括第一N型重掺杂区、第一梯度掺杂结构、峰值掺杂结构、本征黑磷、第二梯度掺杂结构和第二N型重掺杂区。本发明对黑磷场效应管的沟道进行峰值对称梯度掺杂，具有更大的阈值电压、更低的关态电流、更好的开关特性、更好的高频特性，表明该器件能更好的抑制漏致势垒降低效应，更低的亚阈区栅压摆幅，说明该器件拥有更优的栅控能力，能更好的抑制短沟道效应，梯度掺杂结构的引入，使得器件抑制热载流子效应的能力也增强。在较低的工作电压下，能够获得较大的驱动电流，并有望在数字电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN108447912A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810258145.X
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/4958 , H01L29/4983
Abstract: 本发明公开了一种三材料异质栅结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述的导电沟道、源区和漏区均采用黑磷材料制作，在所述的导电沟道、源区和漏区外有栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为栅极，所述的栅极采用三种不同功函数的导电金属制作，形成三材料异质栅结构的黑磷场效应管的异质栅，基于非平衡格林函数的方法，本发明给出了异质栅功函数的分配规则。当三种材料的功函数从源极向漏极逐步减小，或是中间功函数最大，靠漏极一侧功函数最小时，该种结构能有效的改善性能，具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低效应。
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公开(公告)号：CN103227204B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310112320.1
申请日：2013-04-01
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明是一种晕掺杂的双材料异质栅石墨烯条带场效应管，该场效应管整体为上下对称结构，从沟道中间向外上、下依次为石墨烯纳米条带（1）、覆盖石墨烯纳米条带的绝缘层（2）、位于绝缘层外的双栅（3），分为顶栅（31）和底栅（32），绝缘层的长度与石墨烯纳米条带（1）相同；在石墨烯纳米条带（1）的左右两端分别设有源极（4）、漏极（5），与源极、漏极相连的石墨烯纳米条带部分分别设有长度相同的源区（41）、漏区（51），源区（41）、漏区（51）均采用相同参数的N型重掺杂；石墨烯纳米条带中间部分为沟道区（7），沟道区（7）在靠近源区（4）一侧，设有HALO掺杂区（6），采用P型重掺杂，剩余沟道部分不掺杂；该种结构能有效改善器件的亚阈值性能，提高器件的高频特性。
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公开(公告)号：CN104103692A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410334950.8
申请日：2014-07-14
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L29/0669 , B82Y10/00 , H01L29/36 , H01L29/7831
Abstract: 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场效应管电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略CNTFET的电学特性对比分析，发现这种掺杂结构的碳纳米场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅，更高的截止频率和更小的延迟时间，即表明采用HALO-Linear掺杂策略的CNTFET具有更好的栅控能力，更好的开关特性，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
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公开(公告)号：CN103094347A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310010494.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管。该场效应管包括：导电沟道（1）、源区（2）、漏区（3）、栅极氧化层（4）、源极（S）、漏极（D）、栅极（G）；所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）均采用碳纳米管材料制作，在所述的导电沟道（1）、源区（2）和漏区（3）外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层（4），在栅极氧化层（4）外再沉淀一层金属电极，作为双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的栅极（G），所述的栅极（G）采用两种不同功函数的导电金属制作，形成双材料欠叠异质栅结构的碳纳米管场效应管的异质栅；具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更能抑制漏致势垒降低(DIBL)效应，并能够较好满足ITRS’10相关性能指标要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103077968A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310001214.6
申请日：2013-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/772 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种非对称峰值轻掺杂漏结构的石墨烯纳米条带场效应管。基于量子力学非平衡Green函数理论框架，在开放边界条件下，通过自洽求解三维泊松（3D-Poisson）和薛定谔（Schrödinger）方程，构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算非对称HALO-LDD掺杂策略对石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析，发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
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公开(公告)号：CN103077965A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310010499.X
申请日：2013-01-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种新型沟道为硅的一种双栅自旋场效应晶体管，该场效应管包括：位于同一轴线上的半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）、源极（S）和漏极（D），位于半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）外周的栅氧化层（5）、金属栅（6）和栅极（G）；分别在铁磁平行与反平行的情况下，对两种输运下的输出特性、转移特性等电学特性对比分析，发现该器件拥有很高的磁阻比率，并且在铁磁平行条件下，考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小，而在铁磁反平行的条件下，结果则与铁磁平行时的结果相反。
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公开(公告)号：CN119432165A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411526605.4
申请日：2024-10-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种喷墨打印用钙钛矿纳米颗粒墨水及其应用，属于电子印刷技术领域。所述墨水的溶质为形状各向异性的钙钛矿纳米颗粒、或由形状各向同性与形状各向异性的钙钛矿纳米颗粒混合构成。此类溶质能够在溶剂中稳定分散，基于形状各向异性的纳米颗粒的引入，沉积过程中溶质的迁移行为得到有效控制，咖啡环效应被显著抑制，进而获得均匀、粗糙度低的高质量钙钛矿薄膜，能满足高性能电致发光器件的应用需求；且成膜过程中形状各向异性的、具有线性偏振性的钙钛矿纳米颗粒得到有序沉积排列的情况下，制得的钙钛矿薄膜也具有线性偏振性，能用于线性偏振电致发光器件的制备，在辐射测量、生物成像及三维显示等领域展现出优异的应用前景。
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公开(公告)号：CN116656181A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310852345.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于喷墨打印的有机发光材料墨水、有机发光薄膜的制备及其应用，涉及印刷电子技术领域。该墨水包含溶质和溶剂，其中溶质包括有机空穴传输材料和有机发光染料，溶剂包含苯甲酸丁酯和邻二氯苯，苯甲酸丁酯和邻二氯苯的体积比为1:0.01~1:10。本发明通过使用聚合物‑小分子二元主体材料方法解决了喷墨打印时材料结晶提高薄膜粗糙度的问题；通过使用二元混合溶剂解决了打印墨滴干燥后的液滴形貌不均匀问题，获得了均匀的有机发光薄膜。
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公开(公告)号：CN110993782B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201911288639.3
申请日：2019-12-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于钙钛矿型异质结衬底及锯齿型隧穿异质结的自旋轨道动量矩磁存储器，该自旋轨道动量矩磁存储器由上到下包括顶电极、反铁磁金属层、SOT‑MTJ和衬底，所述SOT‑MTJ包括由上至下依次设置的参考层、隧穿势垒层、重金属层Ru、自由层，所述隧穿势垒层为两层氧化物混合的不均称锯齿结构，衬底为两层钙钛矿型氧化物异质结的结构。通过在基板上生长双分子层，可以控制磁易轴稍微偏离z方向，从而实现电流诱导的无场磁化。通过读写分离的操作，解决了传统的MRAM所存在的问题，实现了无需外部磁场即可进行读写，加快了非易失存储器领域发展的步伐。
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