公开(公告)号：CN104091829A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410335055.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  高健 ,  张露 ,  岳工舒

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明公开了一种双线性掺杂漏异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管(DL-HTFETs)。该场效应管在源区/漏区进行P/N型重掺杂，源，漏两端靠近沟道区域进行线性掺杂，靠近源极的氧化层采用低K氧化物(SiO2)，靠近漏极的氧化层采用高K氧化物(HfO2)，我们采用了一种量子力学模型构建了新型双线性掺杂异质材料栅氧化层石墨烯隧穿场效应管的输运模型，利用该模型比较分析了高K隧穿场效应管(HK-TFETs)、普通栅氧化物隧穿场效应管(LK-TFETs)、异质栅氧化物隧穿场效应管(HTFETs)、普通场效应管和DL-HTFETs的电学特性。研究结果表明，DL-HTFETs具有更低的泄漏电流，更高的电流开关比，更低的功耗，更短的延迟时间等优点。

公开(公告)号：CN104103692A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410334950.8

申请日：2014-07-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王伟 ,  高健 ,  张露 ,  岳工舒 ,  张婷 ,  李娜 ,  杨晓

IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0669 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7831

Abstract: 本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管，构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型，利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场效应管电学特性的影响。通过与采用其他掺杂策略CNTFET的电学特性对比分析，发现这种掺杂结构的碳纳米场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅，更高的截止频率和更小的延迟时间，即表明采用HALO-Linear掺杂策略的CNTFET具有更好的栅控能力，更好的开关特性，能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。