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公开(公告)号：CN1186786C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02113081.7
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体的方法：采用溶胶-凝胶法并结合掺杂铁磁性离子如Fe、Co或Mn、Ni等制备ZnO基稀释磁性半导体薄膜：先制备ZnO胶体溶液，将一定量分析纯醋酸锌和磁性金属盐，铁和锌的原子浓度比为1～15%，溶解在无水乙醇中，均匀搅拌，最终得到ZnO胶体溶液，ZnO胶体溶液滴加匀涂覆在旋转的Si片上，将薄膜在室温～100℃下放置一段时间后，然后在240℃～300℃热处理数分钟后，在500℃～900℃，氮气气氛下热处理0.5-1.5小时。溶胶-凝胶法制备薄膜材料具有技术简单，低耗费，易于获得大面积的薄膜等优点。可以制得多组分均匀混合物。
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公开(公告)号：CN1563481A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410014336.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300－500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300－500℃。本发明在衬底表面预沉积适量的金属In，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合。
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公开(公告)号：CN1555073A
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN200310112720.9
申请日：2003-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源－HCl－N2管道和金属锰源－HCl管道，对金属锰源－HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3－6sccm，Ar气流量为100－300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820－860℃，反应区域温度，即蓝宝石α－Al2O3衬底所在位置的温度为；生长时间为8－20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
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公开(公告)号：CN1545132A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310106426.7
申请日：2003-11-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 利用氢化物气相外延制备GaMnN铁磁性薄膜的方法，氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料，在电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源－HCl－N2管道，包括一路金属镓源－HCl－N2管道，并将反应物GaCl－N2均匀输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区，添加一路HCl气体，将金属Mn载入反应区域，使得Mn可以参加到GaN合成反应过程中。通过质量流量计来控制反应中携带Mn的HCl的流量，就可以控制Mn的载入量。本发明可以获得完全的GaMnN和GaN薄膜材料。HVPE生长GaMnN合金薄膜具有生长速率高、可以生长大面积薄膜，反应物中Mn的掺杂量可控等优点。
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公开(公告)号：CN1529183A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03158338.5
申请日：2003-09-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种以价廉、极化电压低的材料作为样品来测量电滞回线的实验装置，它将放置在样品架中的样品、电容和电源串联连接；电阻R1和电阻R2串联在一起并与电源并联连接；电阻R2两端的极化电压信号和电容两端的电压信号通过模数转换电路进入计算机系统处理，从而得到样品的有关参数。本发明解决了目前国内各高校在物理教学实验中，没有适合教学要求的铁电体电滞回线的实验测量仪器的状况。它实验数据稳定，重复性好，可以方便、完整地绘制出电滞回线，本发明广泛应用于测量铁电体电滞回线的物理实验中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1529154A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03158339.3
申请日：2003-09-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N25/18
Abstract: 本发明公开了一种在测量热导率过程中对温度进行调制的装置，它包括带有进水口和出水口的水冷环、加热器和用来协调加热器和电磁阀门工作状态的控制单元，水冷环套在加工成规则形状的导热体上，加热器套在导热体的加热端。与现有技术相比，本发明采用了电磁阀门控制水流，同时用以微处理器为核心的控制单元来协调加热器和电磁阀门的工作状态。测量结果准确，用于教学演示，效果显著。本发明所述的装置在测量良导热体的热导率过程中具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1140931C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN02112695.X
申请日：2002-02-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器，在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料：以AlN为缓冲层并外延生长GaN，然后在GaN层上生长AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN应变异质结构，x、y值取0.15-0.35，AlxGa1-xN、GaN、AlyGa1-yN的厚度分别为15-30nm、50-80nm、15-30nm。并在最上层AlyGa1-yN材料上设有导电电极。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子-空穴对，以降低其直接复合损失，从而提高光生载流子寿命；通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的GaN层，减少了载流子的表面复合损失，提高了收集效率。
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公开(公告)号：CN1140654C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01108247.X
申请日：2001-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法，采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。NH4OH溶液浓度控制在5-25%，腐蚀温度在60～85℃之间。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比，而且与常规微电子集成电路工艺兼容，且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。
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公开(公告)号：CN1371133A
公开(公告)日：2002-09-25
申请号：CN02112695.X
申请日：2002-02-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于III族氮化物异质结构极化效应的高响应光导型探测器,在硅衬底或兰宝石衬底材料上生长下述应变异质结构的材料:以AlN为缓冲层并外延生长GaN,然后在GaN层上生长AlxGa1－xN/GaN/AlyGa1－yN应变异质结构,x、y值取0.15－0.35,AlxGa1－xN、GaN、AlyGa1－yN的厚度分别为15－30nm、50－80nm、15－30nm。并在最上层AlyGa1－yN材料上设有导电电极。利用这种应变异质结构所特有的自发、压电极化效应所产生的高极化电场来有效分离光生电子－空穴对,以降低其直接复合损失,从而提高光生载流子寿命;通过一定条件的合金化使金属电极通过表层伸入到内部的GaN层,减少了载流子的表面复合损失,提高了收集效率。
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公开(公告)号：CN1305232A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN01108248.8
申请日：2001-02-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/105
Abstract: 锗/硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器,即金属－氧化物－半导体存储器,以锗/硅复合纳米晶粒镶嵌在二氧化硅中浮栅存储器结构,本发明提出了一种采用锗/硅复合纳米晶粒替代硅纳米晶粒作为NOSFET存储器,即电荷存储单元,使其在较快的擦写时间条件下,仍然有很长的存储时间。
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