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公开(公告)号：CN119230932A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411371203.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 华中科技大学 , 江西赣锋锂电科技股份有限公司
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于固态电池材料领域，公开了一种无机电解质3D纤维骨架增强的自支撑复合电解质膜的制备方法，S1：在塑形剂辅助下将无机电解质粉体预制成纤维，纤维相互交错搭接形成无机电解质3D纤维骨架，S2：将锂盐、有机聚合物分子溶于有机溶剂中，配制聚合物电解质前驱体溶液，S3：将聚合物电解质前驱体溶液填充到无机电解质3D纤维骨架中，加热去除有机溶剂，获得无机电解质3D纤维骨架自支撑的复合电解质膜，步骤S1和S2不分先后顺序。本发明方法能克服现有的有机无机复合电解质膜制备时无机相含量低、易团聚难以分散的难题，以及复合电解质膜离子电导率不足、力学性能差的问题。
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公开(公告)号：CN118900562A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410996227.X
申请日：2024-07-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种无电容动态随机存储器及其制备方法，属于半导体技术领域，包括垂直堆叠的写入晶体管和读取晶体管，分别对应一组源极层、漏极层和栅极层；两个晶体管均使用二维绝缘材料作为封装层来保护二维半导体材料的沟道层，提高了沟道层在高温下的稳定性，减小高温下晶体管的关态泄漏电流，从而延长动态随机存储器的数据保存时间，实现了耐高温的无电容动态随机存储器；在此基础上通过引入第二绝缘层和第四绝缘层，来规避采用二维绝缘材料作为封装层所带来的栅极与沟道之间的栅极电容太小，影响数据存储时间的问题，进而在保证存储性能的条件下，提高了存储器的高温稳定性。
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公开(公告)号：CN116905033A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310710999.8
申请日：2023-06-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B11/02 , C25B11/051 , C01G39/06 , C01B25/14 , C01B32/19 , C01B32/194 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于电催化相关技术领域，其公开了一种基于铁电极化的电解水催化剂及其制备方法，其中电解水催化剂包括依次叠放的基底层、导电层、铁电材料层和过渡金属硫化物层，导电层和过渡金属硫化物层分别连接有金属电极；导电层用于通过金属电极获得电压以激发铁电材料层发生极化使得铁电材料层和过渡金属硫化物层之间发生电荷迁移，进而调控过渡金属硫化物层的电催化性能。本发明提出通过铁电材料层的极化来调控过渡金属硫化物层的电子浓度，进而实现催化活性的提升增强，对提升过渡金属硫化物层水分解催化活性具有重要指导意义，该调控结构构造简单，调控效果较好，有利于提高过渡金属硫化物层的电解水催化活性，降低电解水催化剂成本。
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公开(公告)号：CN116706215A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310750184.2
申请日：2023-06-21
Applicant: 华中科技大学 , 浙江锋锂新能源科技有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种可自支撑的卤化物固态电解质薄膜及其制备方法，属于固态电池材料领域。该自支撑的卤化物固态电解质薄膜以纳米纤维作为骨架，耐高电压的卤化物固态电解质作为填料，并通过简单的溶液法制备获得。这种无机超薄电解质膜可以与高电压正极匹配，从而提高电池的能量密度。本发明方法制备的电解质薄膜大幅度降低了电解质层的厚度，从而降低电池的内阻，减少了能量损失，有利于提高电池能量密度和倍率性能，同时其具有更好的热稳定性，有利于提高电池的安全性。本发明方法所制备的固态电解质膜具有成本优势，其操作简单，适合产业化生产。
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公开(公告)号：CN116377493A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310248061.9
申请日：2023-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: C25B11/091 , C25B11/054 , C25B11/061 , C25B11/031 , C25B1/04 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于电催化相关技术领域，其公开了一种电催化剂及其制备方法与应用，所述方法包括以下步骤：该方法包括以下步骤：采用腐蚀液与镍基底进行接触和反应以得到电催化剂。将含有氯化铁、氯化钴和硫代硫酸钠的溶液作为腐蚀溶液，可在Ni基底局域产生含Ni2+、Fe2+、Co2+、OH‑、S2‑的微环境。具体而言，S2O42‑和Cl‑共存会导致Ni基底发生孔蚀效应并释放Ni2+；S2O42‑的氧化还原性和弱碱性可释放出S2‑和OH‑；在腐蚀溶液中控制Fe和Co比例能调控Co2+的掺杂量。由于上述金属离子和阴离子所得沉淀较小的溶度剂常数，孔蚀效应和沉淀反应共存并最终达动态平衡。
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公开(公告)号：CN114566702B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202210179296.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
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公开(公告)号：CN115910798A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211588592.4
申请日：2022-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/417 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于存储器设计相关技术领域，其公开了一种边缘接触的高速浮栅存储器及其制备方法，方法包括：S1：采用半导体工艺自下而上依次构造控制栅极、底栅介层、浮栅层、隧穿层介质以及半导体沟道层；S2：将所述半导体沟道层的两端部表面暴露，采用相转变技术将暴露处的半导体相转化为金属相；S3：在所述金属相表面生成金属电极。本申请可以显著提升浮栅晶体管操作速度同时可以保持存储器所需高擦写耐久性。
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公开(公告)号：CN115863442A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211509516.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于范德华接触垂直p‑n结二极管及制备方法、半导体器件。所述二维材料垂直p‑n结二极管，包括自上而下垂直堆叠的金属顶电极、p型二维材料、n型二维材料和底电极，其中，相邻两层的材料之间通过范德华力形成范德华接触，使得相邻两层的材料相互贴合不脱落。基于范德华接触的垂直p‑n结二极管界面平整而无缺陷和晶格破坏，避免了传统蒸镀方法对二维材料晶格产生的破坏，使得器件中费米钉扎导致的肖特基势垒和隧穿电流显著降低，从而大大提升该器件的整流性能。本发明解决了现有二维材料垂直p‑n结器件具有肖特基势垒和较大隧穿电流的技术问题。
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公开(公告)号：CN114023561B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111269911.0
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非本征二维复合磁性材料、制备方法及应用，属于二维材料制备领域。所述方法包括：在基底上生长磁性薄膜，退火使其形成磁性纳米颗粒；利用化学气相沉积法的方法将二维材料包覆在磁性纳米颗粒表面，形成曲面包覆结构，得到所述非本征二维复合磁性材料。该方法形成在室温下拥有磁性的非本征的复合二维材料，可以有效地控制材料尺寸，在非易失性磁性存储和谷‑自旋电子学器件方面具有巨大应用前景。由此解决二维本征磁性材料的磁性实现都在较低温的条件下；而传统的非本征的磁性并不能很好地达到想要的效果，并且制备方法复杂、制备条件苛刻的技术问题。
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公开(公告)号：CN114552124A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210190012.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M50/429 , H01M50/403 , H01M10/0525 , H01M10/054 , H01M10/36 , H01G11/52
Abstract: 本发明公开一种富含纳米孔的纤维素膜、制备方法和应用，属于纤维素膜技术领域。本发明纤维素膜包括若干层层堆叠的结构单元和贯穿整个纤维素膜的纳米级孔道，所述结构单元为二维纤维素纳米片。本发明纤维素膜具有独特的层级结构，分布均匀的纳米级孔道，超薄的厚度，表现出高机械强度、耐酸碱、良好的亲水性和高离子电导率的优良性能，制备本发明纤维素膜的方法原料丰富、成本低廉、制备过程简单、环境友好、安全无毒。
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