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公开(公告)号：CN115863442A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211509516.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种基于范德华接触垂直p‑n结二极管及制备方法、半导体器件。所述二维材料垂直p‑n结二极管，包括自上而下垂直堆叠的金属顶电极、p型二维材料、n型二维材料和底电极，其中，相邻两层的材料之间通过范德华力形成范德华接触，使得相邻两层的材料相互贴合不脱落。基于范德华接触的垂直p‑n结二极管界面平整而无缺陷和晶格破坏，避免了传统蒸镀方法对二维材料晶格产生的破坏，使得器件中费米钉扎导致的肖特基势垒和隧穿电流显著降低，从而大大提升该器件的整流性能。本发明解决了现有二维材料垂直p‑n结器件具有肖特基势垒和较大隧穿电流的技术问题。
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