-
公开(公告)号：CN102103918A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910241997.9
申请日：2009-12-18
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种低频吸波材料，该低频吸波材料是由60vol.％-75vol.％的FeCo合金粉和25-40vol.％的酚醛树脂粉末混合后，热压成型而制成，其中，FeCo合金粉的平均粒度为0.25μm～0.35μm，并在该FeCo合金粉上包覆厚度为25nm～35nm的氧化铝层。该低频吸波材料的方法方法包括：(1)制备平均粒度为0.25μm～0.35μm的FeCo合金粉；(2)用化学法在FeCo合金粉上包覆氧化铝粉体，在该FeCo合金粉上包覆的氧化铝层厚度为25nm～35nm；(3)将步骤(2)中得到的包覆氧化铝层的FeCo合金粉和酚醛树脂粉末在球磨机上进行湿混，湿混后经烘干，热压成型而制成。此材料在1-4GHz具有较高的磁导率和磁损耗，1.1～2mm厚的材料在1-4GHz频段范围内最高有-16dB的微波吸收性能。
-
公开(公告)号：CN101851720A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910080974.4
申请日：2009-03-31
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种微波衰减器材料及其制备方法，特别涉及一种AlN-Mo微波衰减器材料及其制备方法，属于微波电子真空技术领域，其包括金属相Mo：20～25vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％；其余为介质相AlN；采用浆料包覆法制备AlN-Mo复合粉体，再经过单向轴压成型，然后进行冷等静压成型，得到AlN-Mo复合生坯；将生坯置于ZrO2或AlN坩埚中进行氮气氛下常压烧结，即得到AlN-Mo复合块体材料。本发明方法降低了烧结温度，缩短了烧结时间，提高了金属-介质复合微波衰减材料的烧结致密度，利于批量生产；可获得高致密度、无缺陷及均匀性、一致性好的金属-介质微波衰减器材料。
-
公开(公告)号：CN101748319A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810239845.0
申请日：2008-12-19
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法，所述抗电子屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相，其量为15-35vol.％；AlN为低Z介质相，其量为85-65vol.％。本发明的抗电子辐射屏蔽材料是具有高的屏蔽效率、高导热率、绝缘的高能电子屏蔽材料，此材料具有比高原子序数金属(钽、钨、铅等)更高的屏蔽效率，可以使电子辐照沉积剂量降低两个数量级以上，并且不破坏元器件原有的散热条件，保证元器件工作时芯片的温度满足正常工作的要求。
-
公开(公告)号：CN101734907A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910242480.1
申请日：2009-12-16
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/04 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种过渡族元素掺杂的钛酸锶钡基复合陶瓷，其组成包括40wt％的xM-Ba0.6Sr0.4TiO3和60wt％的MgO，其中M为过渡金属，x为过渡金属M与Ba0.6Sr0.4TiO3的摩尔比，取值范围为0.25％～1.25％。由于过渡族元素的掺杂，提高了M-Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO复合陶瓷的压控可调率，大幅度降低了微波介电损耗，同时陶瓷块体的击穿场强均大于28kV/mm，完全可以满足微波介质材料的使用要求。
-
公开(公告)号：CN101230450A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710120872.1
申请日：2007-08-28
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法，采用溅射法在经过标准RCA清洗过程后的Si片沉积100nm厚的Pt，随后将镀铂的Si片在管式炉中200－500℃退火1小时作为衬底，随后对满足化学剂量比(Ba+Sr＝1)的BST陶瓷靶预溅射24小时，随后在Ar∶O2＝1.5－1，总压10－100mTorr，衬底温度为550－700℃，靶和基片的距离为40－80mm的条件下，采用射频溅射法沉积220nm厚的BST介电陶瓷薄膜，溅射完毕后，在总压为2×103－5×104Pa的氧气气氛下缓慢冷却到室温。本发明制备的介电陶瓷薄膜，在直流电场下具有近50％的可调性，介电常数达680以上，介电损耗为1.5％，室温下，450kV/cm的场强时漏电流仅为10－8A/cm2数量级。
-
公开(公告)号：CN109942195A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711389364.3
申请日：2017-12-20
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO-ySrO-zPbO-wTiO2-vSiO2-tNb2O5，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：2.5≤x≤14，14≤y≤20，0≤z≤10，4≤w≤12，16≤v≤22，10≤t≤30。其制备方法是：将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1450℃的高温下保温3个小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作高压电容器介质。
-
公开(公告)号：CN109920711A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201711336254.0
申请日：2017-12-13
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种碱金属释放剂所用释放器的制备方法，包括以下步骤：(1)清洗和烘干镍铬合金管，镍铬合金管的外径为4.0-7.0mm，璧厚为0.05-0.10mm；(2)采用混粉装置将高纯碱金属盐和还原剂粉末混合均匀，并将混合后的粉末灌入镍铬合金管；(3)将装粉后的镍铬合金管冷拉拔，拉拔至外径为1.0-1.5mm、璧厚0.03-0.06mm，所需道次为8-40；(4)在惰性气体保护下激光打孔；(5)释放剂主体部分切割；(6)主体部分两端连接端电极；(7)将制备好的释放器真空封装。采用本发明的制备方法可提高碱金属释放剂所用释放器的生产效率，且显著提高释放剂的释放器的性能一致性和稳定性。进而保证了释放剂薄膜在光电阴极表面的厚度一致性，保证了光电阴极性能的一致性和稳定性。
-
公开(公告)号：CN109868467A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711265538.5
申请日：2017-12-04
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种铝合金表面抗辐射加固复合涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)对基材铝合金表面进行预处理；(2)将预处理后的铝合金片固定至不锈钢球磨罐底部，将钨粉、铝粉或铝合金粉按配比混合后放入球磨罐中，不锈钢磨球与粉料重量比为5∶1，使用行星式球磨机在真空或氩气保护的环境中以转速为100转/分钟球磨1小时，再以转速为300转/分钟高能球磨5～20小时，即可得到的铝合金表面抗辐射加固复合涂层；(3)采用真空热压致密化处理的方法进行致密化；(4)经表面修整和机加工得到铝合金表面抗辐射加固复合涂层。采用本发明的方法制备的铝合金表面抗辐射加固复合涂层，具有致密度高、界面结合力强、屏蔽性能好的特点，具有较大的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN106676333B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201611129388.0
申请日：2016-12-09
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明公开了一种属于封装材料领域的具有抗辐射加固功能的高导热电子封装材料。所述封装材料是一种Al‑W‑Si三元体系的复合材料，其中W的质量分数为20～40％，Si的质量分数为10～60％，其余为Al，该材料的密度为2.9～4.01g/cm3，热导率为130～200W/(m×K)，热膨胀系数为8～19×10‑6/K，厚度为2mm的该材料对40KeV能量的X射线屏蔽效能超过75％，对60KeV能量的X射线屏蔽效能超过40％。本发明制备的封装材料具有低比重、高热导率、低膨胀系数的特性，同时兼具抗辐射加固性能，可以满足某些特殊应用环境下对器件小型化、轻量化和多功能集成的要求。
-
公开(公告)号：CN106571282B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610965774.7
申请日：2016-11-04
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01J7/18
摘要： 本发明属于吸气剂制造技术领域，特别涉及一种吸气剂的低温成型制备方法。将吸气剂粉末与叔丁醇基溶剂混合配制成具有一定流动性的吸气粉末浆料，然后将浆料注入到预制模具中，经快速冷冻处理实现低温成型，再将成型的坯材经真空低温脱醇处理，最后进行真空烧结，制得吸气元件。本发明的制备方法极大地提高了吸气元件的制备效率和尺寸精度，制备的吸气元件性能较传统工艺制备的产品更优，具有表面积大、激活温度低、孔隙率高、吸气速率高、吸气容量大等特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
99 条记录 (耗时 0.035 秒)
