公开(公告)号：CN108147810A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711361153.9

申请日：2017-12-18

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 仪凯 ,  张庆猛 ,  唐群 ,  杨志民 ,  杨剑 ,  毛昌辉 ,  杜军

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/495 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法。所述的制备方法工艺步骤：将玻璃陶瓷原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的玻璃液体；将熔融玻璃液快速倒入去离子水中，得到玻璃碎渣；将玻璃碎渣球磨、烘干后，制得粉体；将粉体烧结，制得MLCC电容陶瓷。本发明MLCC电容陶瓷制备方法，制备周期短，工艺简单，烧结温度低，得到的粉体成分均匀。

公开(公告)号：CN102030524B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910093586.X

申请日：2009-09-25

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  张庆猛 ,  王磊 ,  罗君 ,  唐群 ,  章林文 ,  谢卫平 ,  李洪涛 ,  王勐

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法，其组成和配比为70wt％-90wt％的Ba0.4Sr0.6TiO3和10wt％-30wt％的纳米MgO。本发明提供的钛酸锶钡基固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法可以使得钛酸锶钡的致密度提高到98.5％以上，晶粒细化到1～2微米，介电常数保持在260～500，介电损耗降低到在4～6×10-4左右，脉冲击穿场强提高到24～45kV/mm，储能密度提高到0.67～1.14J/cm3，很好的满足了固态脉冲形成线储能介质材料的应用要求。

公开(公告)号：CN103848573B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210519413.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  周毅 ,  张庆猛 ,  罗君 ,  唐群 ,  韩东方 ,  周昊

IPC: C03C10/02 ,  H01G4/08

Abstract: 一种高储能密度高温度稳定性介电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该介电玻璃陶瓷复合材料所含的化学组分为a PbO?b BaO?c Na2O?d Nb2O5?e SiO2?fR2O3，其中a、b、c、d、e、f表示各组分之间的摩尔比例，分别为0≤a≤7.1，6.2≤b≤17.1，15.5≤c≤17.1，29.7≤d≤34.3，31≤e≤38.5，0≤f≤3，R为La、Ce、Pr、Sm和Lu中的一种。该介电玻璃陶瓷复合材料通过高温熔融与可控结晶的方法制得：首先将球磨后的精细粉末采用熔融加快速冷却的方法制得透明玻璃薄片，然后经过可控结晶技术制备出玻璃陶瓷片，最后成形加工与制备金属电极得到介电玻璃陶瓷平板电容器。本发明所制备的介电玻璃陶瓷由纳米尺度高介电常数铁电铌酸盐相与无孔致密高击穿强度的非晶玻璃相构成，兼具高储能密度与高温度稳定性的优点，用于制造高压高储能电容器。

公开(公告)号：CN105800937A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201410836882.5

申请日：2014-12-29

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 周昊 ,  唐群 ,  张庆猛

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明公开了一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法，在玻璃陶瓷的原料中添加氧化铝，所添加的氧化铝与二氧化硅的摩尔比为0.1％-5％。铌酸盐基玻璃陶瓷的成分组成为：xPbO-ySrO-zNb2O5-wNa2O-vSiO2，其中的x、y、z、w、v表示各成分的摩尔数，且5≤x≤7，9≤y≤11，30≤z≤33，15≤w≤18，25≤v≤35。本发明通过添加氧化铝来改善玻璃相性能，在不改变原有制备工艺条件下提高了玻璃相绝缘电阻，降低了玻璃相的电导损耗，宏观上降低了铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器的介电损耗。

公开(公告)号：CN104678146A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310626238.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 张庆猛 ,  杜军 ,  唐群

IPC: G01R15/06

Abstract: 本发明提供一种基于玻璃陶瓷电容器的小型化全固态电容式分压器，该分压器包括依次串联在高压端子和接地端子之间的高压臂玻璃陶瓷电容器和低压臂玻璃陶瓷电容器，低压臂玻璃陶瓷电容器上设有信号采集单元，该分压器整体或仅高压臂玻璃陶瓷电容器封装在带伞裙的绝缘子中。本发明采用玻璃陶瓷电容器作为高、低压臂电容器，是一种耐压高、温度稳定性好、局部放电少的分压器。本发明不仅实现了分压器的小型化、固态化，同时由于高、低压臂玻璃陶瓷电容器采用同种介质材料，使得分压器在工作温度范围内具有高的测量精度(0.2级)，满足其在电测量领域的应用需求。因此，本发明非常适合在电测量领域中应用。

公开(公告)号：CN103848571A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210519441.3

申请日：2012-12-06

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 张庆猛 ,  唐群 ,  罗君 ,  韩东方 ,  周毅 ,  周昊 ,  杜军

IPC: C03C8/14

Abstract: 一种提高玻璃陶瓷电容器交流电压击穿强度的半导体玻璃釉及其制备方法，该半导体玻璃釉包括具有非线性电阻特性陶瓷粉、低熔点玻璃粉及乙基纤维素，具有非线性电阻特性陶瓷粉由以下重量百分含量的原料经烧结、研磨、过筛制得：94％～96％ZnO粉、2％～3.0％MnO2粉、1％～1.5％Cr2O3粉、1％～1.5％Bi2O3粉；具有非线性电阻特性陶瓷粉与低熔点玻璃粉的重量比为100∶(75～125)；乙基纤维素的含量为陶瓷粉与低熔点玻璃粉总重量的30％。其制备方法为：将陶瓷粉与过400目筛的低熔点玻璃粉按比例混合均匀；然后向得到的混合粉末中加入乙基纤维素，然后混合均匀。将该玻璃釉涂覆于留边型玻璃陶瓷高压电容器电极边缘对电极边缘进行保护，可明显提高玻璃陶瓷高压电容器交流电压击穿强度。

公开(公告)号：CN102054585A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910236079.7

申请日：2009-10-27

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  罗君 ,  王磊 ,  唐群 ,  朱君 ,  张庆猛 ,  章林文 ,  谢卫平 ,  李洪涛 ,  王勐

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/005 ,  H01G4/08 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明涉及一种微型高压电容器及其制备方法，电介质层由玻璃陶瓷材料构成，电极由内到外依次为金膜内电极、银浆过渡电极、In-Sn50合金薄片和紫铜片外电极端头，灌封材料为环氧树脂。本发明提供了一种直径Φ10～25mm，厚度1～2mm，标称电容量10pF～1nF，额定直流电压10～20kV，温度特性为X7R的微型高压电容器。该电容器的体积显著减小，电容器所采用的内外电极设计工艺，既可保证内电极的致密和连续性，又能减弱电极边缘效应，提高电容器的耐压强度，同时消除焊接过程造成片层介质材料脆性断裂的影响，为高压电容器的“小型化”、“薄片化”提供了一种新的设计思路和制备方法。

公开(公告)号：CN101659546A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810118990.3

申请日：2008-08-27

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  张庆猛 ,  王磊 ,  唐群 ,  罗君

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明涉及一种钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法，其特征在于：其组成和配比为：80vol％～98vol％的Ba x Sr 1-x TiO 3 ，2vol％～20vol％的BaO-SiO 2 -B 2 O 3 系玻璃；所述Ba x Sr 1-x TiO 3 中的x取值范围为0.2～0.5；所述的BaO-SiO 2 -B 2 O 3 系玻璃中各成分的摩尔含量为BaO 48％～49％、SiO 2 20％～21％、B 2 O 3 26％～27％、SrO 1％～2％、ZrO 2 1％～2％、Al 2 O 3 0.5％～1％、MgO 0.1％～0.4％、Bi 2 O 3 0.1％～0.3％。本发明提供的钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法可以使得钛酸锶钡的烧结温度降低250℃～400℃，保温时间降低到1个小时，晶粒细化至1～3微米，介电损耗保持在1×10 -3 左右，脉冲击穿场强提高到～40kV/mm，很好的满足了陶瓷电容器的要求。

公开(公告)号：CN104681273A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310625982.9

申请日：2013-11-28

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杜军 ,  周昊 ,  唐群 ,  张庆猛

IPC: H01G4/005

Abstract: 一种新型高压陶瓷电容器电极及其制备方法，该电极包括采用丝网印刷技术印刷在玻璃陶瓷片上下表面的活性焊料层和采用丝网印刷技术印刷在该活性焊料层表面的银浆层，由双面印刷有活性焊料和银浆的玻璃陶瓷片在空气气氛下烧结而成。该电极采用以下方法制得：采用丝网印刷技术在玻璃陶瓷片上下表面印刷活性焊料层，烘干后采用丝网印刷技术在该活性焊料层表面印刷银浆层，将双面印刷有活性焊料和银浆的玻璃陶瓷片在空气气氛下进行烧结形成致密无孔隙且导电性良好的电极。本发明可避免常规银浆电极-陶瓷界面孔隙带来的电场集中效应，提高高压陶瓷电容器直流电压击穿强度。本发明采用银浆保护焊料技术，制备得到致密无孔隙金属电极，工艺简单。

公开(公告)号：CN104671665A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310625971.0

申请日：2013-11-28

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 罗君 ,  杜军 ,  张庆猛 ,  唐群

IPC: C03C10/02

Abstract: 一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的成分组成为：aBaO-bSrO-cNb2O5-dZnO-xSiO2-yB2O3-zREO，其中，a、b、c、d、x、y、z为摩尔比表示成分之间的摩尔比，REO表示稀土氧化物；且满足：0≤a≤10.35，9.97≤b≤20.70，20.19≤c≤20.70，14.80≤d≤15.50，14.56≤x≤15.00，27.51≤y≤28.10，0≤z≤3.00。其制备方法为：根据所述玻璃陶瓷的成分组成选择原料，按比例混合，高温熔融；将熔融均匀的玻璃液体快速倒入预热的金属模具中，冷却成型，去应力退火；将得到的玻璃片进行可控结晶处理即可。本发明的玻璃陶瓷实现了无铅元素、环境友好，其交流击穿场强可达到18kV／mm以上，介电常数在60～90之间。本发明的玻璃陶瓷的介电损耗可降低至0.02％，介电常数的频率稳定性好，适合作为高压电容器介质。