发明公开
CN101851720A 一种微波衰减器材料及其制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种微波衰减器材料及其制备方法
- 专利标题(英): Microwave attenuator material and preparation method thereof
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申请号: CN200910080974.4申请日: 2009-03-31
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公开(公告)号: CN101851720A公开(公告)日: 2010-10-06
- 发明人: 董桂霞 , 马书旺 , 于红 , 毛昌辉 , 杨志民 , 杜军
- 申请人: 北京有色金属研究总院
- 申请人地址: 北京市海淀区新街口外大街2号
- 专利权人: 北京有色金属研究总院
- 当前专利权人: 北京有色金属研究总院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区新街口外大街2号
- 代理机构: 北京北新智诚知识产权代理有限公司
- 代理商 耿小强
- 主分类号: C22C29/16
- IPC分类号: C22C29/16 ; C22C1/05
摘要:
本发明涉及一种微波衰减器材料及其制备方法,特别涉及一种AlN-Mo微波衰减器材料及其制备方法,属于微波电子真空技术领域,其包括金属相Mo:20~25vol.%;烧结助剂CaF2:2~5vol.%;其余为介质相AlN;采用浆料包覆法制备AlN-Mo复合粉体,再经过单向轴压成型,然后进行冷等静压成型,得到AlN-Mo复合生坯;将生坯置于ZrO2或AlN坩埚中进行氮气氛下常压烧结,即得到AlN-Mo复合块体材料。本发明方法降低了烧结温度,缩短了烧结时间,提高了金属-介质复合微波衰减材料的烧结致密度,利于批量生产;可获得高致密度、无缺陷及均匀性、一致性好的金属-介质微波衰减器材料。