公开(公告)号：CN101230450B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200710120872.1

申请日：2007-08-28

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 杜军 ,  王毅 ,  刘保亭 ,  魏峰 ,  杨志民 ,  毛昌辉

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

摘要： 一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法，采用溅射法在经过标准RCA清洗过程后的Si片沉积100nm厚的Pt，随后将镀铂的Si片在管式炉中200-500℃退火1小时作为衬底，随后对满足化学剂量比(Ba+Sr＝1)的BST陶瓷靶预溅射24小时，随后在Ar∶O2＝1.5-1，总压10-100mTorr，衬底温度为550-700℃，靶和基片的距离为40-80mm的条件下，采用射频溅射法沉积220nm厚的BST介电陶瓷薄膜，溅射完毕后，在总压为2×103-5×104Pa的氧气气氛下缓慢冷却到室温。本发明制备的介电陶瓷薄膜，在直流电场下具有近50％的可调性，介电常数达680以上，介电损耗为1.5％，室温下，450kV/cm的场强时漏电流仅为10-8A/cm2数量级。

公开(公告)号：CN101230450A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710120872.1

申请日：2007-08-28

申请人： 北京有色金属研究总院

发明人： 杜军 ,  王毅 ,  刘保亭 ,  魏峰 ,  杨志民 ,  毛昌辉

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

摘要： 一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法，采用溅射法在经过标准RCA清洗过程后的Si片沉积100nm厚的Pt，随后将镀铂的Si片在管式炉中200－500℃退火1小时作为衬底，随后对满足化学剂量比(Ba+Sr＝1)的BST陶瓷靶预溅射24小时，随后在Ar∶O2＝1.5－1，总压10－100mTorr，衬底温度为550－700℃，靶和基片的距离为40－80mm的条件下，采用射频溅射法沉积220nm厚的BST介电陶瓷薄膜，溅射完毕后，在总压为2×103－5×104Pa的氧气气氛下缓慢冷却到室温。本发明制备的介电陶瓷薄膜，在直流电场下具有近50％的可调性，介电常数达680以上，介电损耗为1.5％，室温下，450kV/cm的场强时漏电流仅为10－8A/cm2数量级。