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公开(公告)号：CN118983353A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411052431.2
申请日：2024-08-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , G01J1/42 , H01L31/0232 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种高能激光探测器及其制备方法，涉及激光探测器领域。主体采用InGaAs为材料进行设计，包括沉积于衬底背部的薄膜周期结构，薄膜周期结构包括相互交替的Ta2O5层与SiO2层，利用不同折射率材料界面的反射作用，降低了1064nm高能激光的透过率，从而使InGaAs光电探测器具有1064nm高能激光的能力。并设计出针对1064nm、1315nm和1540nm三个波段激光的反射膜且进行了模拟，同样适用于此器件；还公开了高能激光探测器的制备方法，利用传统的微纳加工工艺进行高能激光探测器的制备，该制备方法工艺简单，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN108226099B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201711478375.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种太赫兹无损检测硅片电阻率的装置及其使用方法，涉及太赫兹技术领域。包括太赫兹辐射源、准直扩束系统、样品台、太赫兹探测器、计算机、机械吸盘、返工片收集盒；太赫兹辐射源设置在最下方，太赫兹辐射源垂直向上辐射太赫兹波，准直扩束系统设置在太赫兹辐射源的正上方，所述太赫兹探测器设置在准直扩束系统正上方，太赫兹探测器与准直扩束系统之间有一段间距，太赫兹探测器的探头朝下，用于接收太赫兹辐射，样品台设置在太赫兹探测器与准直扩束系统之间，能够沿水平面移动，计算机与太赫兹探测器数据线相连，机械吸盘与计算机数据线连接，返工片收集盒独立。可在不接触硅片的情况下，无损地测量硅片的电阻率，不会对硅片造成损伤。
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公开(公告)号：CN110116698B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910350593.7
申请日：2019-04-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B60R21/015 , B60Q9/00 , B60R16/023 , B60N2/00
Abstract: 一种儿童遗留高温车内预警装置，属于预警技术领域。将利用纳米摩擦发电原理形成的压力传感器与温度传感器结合，检测高温车内遗留的儿童，并通过芯片触发车内警报系统，进而使儿童及时获救，避免儿童长时间遗留在高温车内而造成伤害。
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公开(公告)号：CN113690374B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110951853.3
申请日：2021-08-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。
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公开(公告)号：CN116465496A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310396982.X
申请日：2023-04-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01J4/04
Abstract: 一种高精度线偏振信息测量装置，涉及半导体线偏振光信息测量相关技术领域。包括探测单元模块、电压处理模块、计算及输出模块三部分。两组通过电路串联且最大偏振敏感方向分别相差45°的4个探测器作为探测单元模块，当线偏振光照射下，在一定电源偏置下，探测单元模块产生两路电压，产生的电压仅与偏振角度有关；两路电压经过电压处理模块，分别通过编程增益的电压放大器和差值处理电路得到一路过滤了共模干扰的电压信号；最后将处理后的电压信号传递给计算及输出模块，模块中的计算单元通过计算处理通过通信的方式交给显示设备，得到可视化的线偏振信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692539A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211394928.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种可实现动态目标探测的视网膜形态光电探测器，属于光电探测器领域。光电探测器自上而下依次包括上电极(1)、绝缘层(2)、光吸收层(3)、下电极(4)，其中上电极为钛和金，绝缘层为二氧化硅，光吸收层为本征硅，下电极为铜。上电极(1)为多独立闭环排列组成，闭环数量对应图像传感器的像素数量，数量越多可以实现更加清晰的图像探测结果。并在每一个闭环一侧引出引线。每个闭环结构：下层为10nm厚的钛，上层为70nm厚的金。对于不变的光强信号本探测器不会输出信号，而当光强发生变化时，本探测器会输出一个脉冲电信号，脉冲强度与光强变化前后的比值呈正比关系。
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公开(公告)号：CN115332374A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210935224.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种二类二维异质结层间激发态光吸收跃迁增强的器件，属光电探测技术领域。所述二类二维异质结包括两种上下两层二维材料叠加形成的异质结，在两层二维材料层间夹杂有金属单原子，支撑上述异质结的为衬底，二类二维异质结的上下两层二维材料分别设有实现光电信号抽取的金属电极即。利用金属原子可以促使电子‑空穴离域，增强电子‑空穴的功函数交叠，进而增大吸收跃迁偶极矩的对基于此能级跃迁偶极矩的特点，提升红外光响应度，有效克服了该类器件响应差的问题，在新型红外探测器技术领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN113702451A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110957687.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。
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公开(公告)号：CN110808281A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911084034.2
申请日：2019-11-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/225 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法，属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理，实现对应钼、钨两种金属的前驱体源在不同温度挥发，通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质结。本发明生长横向异质结的方法是，在可精确控温的管式炉中，使用惰性气体作为反应源(钼源、钨源和硫源)的输运气体，控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质结。本发明制备的单层MoS2-WS2横向异质结，具有微米级清晰的异质结分界线，横向尺寸可达到一百微米以上。该方法生长过程可控性高，能够有效的扩宽生长温度窗口，降低生长温度，实现尺寸、界面可控生长。
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公开(公告)号：CN107017556B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710229794.2
申请日：2017-04-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/34
Abstract: 基于多层二维材料异质结的量子级联激光器，属于激光器技术领域。包括多层二维材料异质结的超晶格、由氮化硅和氢硅倍半环氧乙烷构成的光学谐振腔、硅衬底、沉积在衬底两侧的金电极和泵浦源；超晶格由为激光工作物质，电子在其中的子能级中跃迁并发出一定波长的激光；由氮化硅和氢硅倍半环氧乙烷构成的光学谐振腔使在超晶格中产生的光子在腔体中往复折射振荡产生高增益，并保证将所输出激光为高单色性和高方向性；衬底为高掺杂的n型硅；电极用以连接外接直流电源及工作物质；所述泵浦源为直流电源，对作为超晶格的工作物质时行激励，以实现粒子数反转。本发明量子级联激光器具有不考虑晶格失配降和材料选择丰富的优势。
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