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公开(公告)号：CN119846779A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510010333.0
申请日：2025-01-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种空芯光纤与实心光纤的熔接方法，包括：取空芯反谐振光纤和大模场实芯光纤，其中，大模场实芯光纤的模场直径小于空芯反谐振光纤的模场直径；对大模场实芯光纤进行反向拉锥，使大模场实芯光纤的模场直径在所述空芯反谐振光纤的匹配范围内；分别对反向拉锥后的大模场实芯光纤和空芯反谐振光纤同时施加拉力和扭力，并通过固定切割刀完成对大模场实芯光纤和空芯反谐振光纤的斜切；采用电弧偏移再放电的熔接方式对斜切后的反向拉锥大模场实芯光纤以及斜切后的空芯反谐振光纤进行熔接。本发明首次在高功率激光传输领域采用空芯光纤角度熔接技术，可以在高功率激光传输中实现全纤化的传输方式，连接损耗低、背反射值低、连接强度高。
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公开(公告)号：CN119524893A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411696702.8
申请日：2024-11-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J27/22 , B01J37/10 , C07C29/156 , C07C31/02 , C01G49/00
Abstract: 一种用于CO2加氢制备低碳醇的Fe基催化剂及其制备方法和应用属于催化剂的领域。本发明通过水热合成法和原位碳化合成Fe5C2催化剂，并添加碱金属作为促进剂。本发明的催化剂，在单一金属Fe上实现了低碳醇的制备且性能优异，其用于催化CO2加氢合成低碳醇的转化率最高可达到42.9％，低碳醇的选择性最高可达到24.3％，低碳醇时空产率可以达到143.9mg g‑1cath‑1。
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公开(公告)号：CN119511443A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411905073.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种低损耗、高双折射多孔芯太赫兹光纤及制备方法，包括纤芯和包层；纤芯由基底材料以及分布在其内部的大圆形空气孔、小圆形空气孔和椭圆空气孔构成，一大圆形空气孔位于纤芯中心、剩余大圆形空气孔呈正三角形的方式沿截面竖直方向对称排列，两个椭圆空气孔水平位于中心的大圆形空气孔的左右两侧，用于引入非对称缺陷，增大结构双折射，实现保偏功能；两个小圆形空气孔对称设置在两个椭圆空气孔与中心的大圆形空气孔之间，用于进一步减小模场与基底材料的重叠度，降低损耗；包层包括与纤芯同轴的保护层，保护层通过呈辐射状的支撑条与纤芯相连，保护层和支撑条均为基底材料。
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公开(公告)号：CN119368149A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411586410.9
申请日：2024-11-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于材料与化工工艺研究领域,特征是涉及一种ZIF‑8材料分离C5碳氢化合物的应用。所述ZIF‑8材料制作步骤简单，可大规模合成，并且使用去离子水作为溶剂，可以实现绿色合成。所述ZIF‑8材料及其复合材料实现了蒸汽和液相C5混合物中异戊二烯的纯化。所述ZIF‑8材料吸附后非常容易再生，可以循环使用。
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公开(公告)号：CN116184570B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310164827.5
申请日：2023-02-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提出了一种基于神经网络的空芯反谐振光纤熔接方法，包括以下步骤：(1)构建神经网络模型；(2)获取学习样本；(3)训练神经网络；(4)对空芯反谐振光纤熔接进行建模。该方法选用15输入、2输出的三层BP神经网络；获取的学习样本参数包括空芯反谐振光纤参数、单模光纤参数、熔接机熔接程序参数及对应状态下光纤熔接损耗和熔接点强度；其中单模光纤首先经过处理，与空芯反谐振光纤的外径和模场直径匹配，通过MATLAB中的神经网络工具箱对采样获取的原始样本集进行训练，实现空芯反谐振光纤熔接的建模，克服熔接过程中存在的随机性导致的熔接过程重复率低、普适性差的问题，大幅度提高空芯反谐振光纤熔接的精度与效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116525692A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310531961.4
申请日：2023-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 一种用于硅异质结太阳电池提效降本的栅线制备方法，属于太阳电池领域。通过用激光的方式在沉积了氮化硅的衬底上形成栅线图案，经过碱洗工艺后去除损失层后，再沉积钝化层与背场层可以有效避免激光造成的钝化层损伤问题，避免了正面非晶硅层与TCO的寄生吸收。
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公开(公告)号：CN114752545A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210297669.6
申请日：2022-03-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C12N1/36 , C12N1/20 , C02F3/34 , C12R1/01 , C02F101/16
Abstract: 一种高耐盐性的反硝化细菌菌群筛选培养方法，属于污、废水处理领域。以污水处理厂二沉池的回流污泥作为接种污泥，人工配制微生物所需要的碳源，氮源以及微量元素等物质，利用高浓度底物流加和间歇式运行实现对盐度值4％培养环境的建立与维持，对运行参数如pH，温度等进行严格的控制，并通过对出水各项指标的检测来调整进水负荷，以此成功筛选培养出一种高耐盐性的反硝化细菌菌群。
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公开(公告)号：CN113461958B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110683117.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 两种三齿羧酸配体的In基金属有机骨架材料合制备方法及应用，属于晶态多孔材料制备的技术领域。这两种MOF材料分别由有机配体1,3,5‑三(4‑羧基苯基乙炔基)苯(BTETA)和2，4，6‑三甲基‑1,3,5‑三(4‑羧基苯基乙炔基)苯(TTETA)与硝酸铟在溶剂热条件下合成。两种MOF材料互为同构，都具有较高的孔隙率以及笼状结构，各个笼之间通过孔道连接，有助于被检测物分子与MOF骨架之间的相互作用。这两种MOF材料均对三种硝基呋喃类污染物(NZF、NFT、FZD)存在较好的荧光淬灭作用，对于此类污染物的检测具有应用前景。
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公开(公告)号：CN113410328A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110520121.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种晶硅异质结太阳能电池，属于太阳能光伏技术领域。在硅片的正面也通过沉积上本征氢化非晶硅钝化膜来钝化悬挂键，但是为了减少掺杂氢化非晶硅和TCO的吸收损失，在上本征氢化非晶硅钝化膜正面的掺杂氢化非晶硅只覆盖了小部分面积来作为电子的选择性传输通道。减少n型掺杂氢化非晶硅的覆盖面积是基于太阳电池的衬底也为n型掺杂，电子为多数载流子，其在衬底中有良好的传输能力。虽然减少了前表面场的覆盖面积会使电子的扩散距离变大，但良好的传输能力可避免引起传输损失。同样地，正面的透明导电氧化物薄膜也仅沉积在n型掺杂氢化非晶硅上部，透明导电氧化物薄膜上部有金属电极来形成紧密欧姆接触。
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