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公开(公告)号：CN116525692A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310531961.4
申请日：2023-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/074 , H01L31/18
Abstract: 一种用于硅异质结太阳电池提效降本的栅线制备方法，属于太阳电池领域。通过用激光的方式在沉积了氮化硅的衬底上形成栅线图案，经过碱洗工艺后去除损失层后，再沉积钝化层与背场层可以有效避免激光造成的钝化层损伤问题，避免了正面非晶硅层与TCO的寄生吸收。
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