公开(公告)号：CN113690374A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110951853.3

申请日：2021-08-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈小青 ,  程健功 ,  张逍博 ,  严辉 ,  张永哲

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/44 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。

公开(公告)号：CN113690374B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202110951853.3

申请日：2021-08-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 陈小青 ,  程健功 ,  张逍博 ,  严辉 ,  张永哲

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/88 ,  H10K50/84

Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结加工方法，涉及光电器件的微纳加工领域。其步骤是：1)制备均匀的钙钛矿薄膜并放置两个电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子(如碘离子、MA离子等)的特定浓度分布；3)通过第1步中的电极向薄膜施加电压，驱动第2步中游离离子空间重排，改变钙钛矿薄膜在不同位置的成分和费米能级，使其符合微纳PN结的要求；4)通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳PN结。