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公开(公告)号：CN116501642A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310520371.1
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京大学
IPC: G06F11/36
Abstract: 本申请公开了一种算子的测试方法及装置、非易失性存储介质、电子设备。其中，该方法包括：确定用于接收多个待测试算子库的宏函数接口，其中，多个待测试算子库基于不同的算子库框架；通过宏函数接口对多个待测试算子库中每个待测试算子的算子信息和每个待测试算子对应的测试操作进行提取；将提取到的算子信息与标准算子库中的标准算子信息进行对比，确定待测试算子中的目标待测试算子；分别基于提取到的测试操作和标准算子库中的标准测试操作对目标待测试算子进行测试，生成测试结果。本申请解决了由于无法基于不同框架的算子库中的不同算子进行测试造成的算子测试效率低下的技术问题。
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公开(公告)号：CN112380003B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202011203928.1
申请日：2020-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种GPU处理器上的K‑NN的高性能并行实现装置，用于提高在GPU处理器上分类的并行加速实现。本发明装置包括：数据读入模块将应用场景中的训练数据和测试数据存成矩阵形式；样本距离计算模块计算每个测试样本与所有训练样本的距离；Top‑K选择模块利用预训练好的决策树模型判断执行粒度，包括线程级别优化、线程束级别优化、线程块级别优化、多线程块级别优化以及基于基数排序优化，选取前k个元素；标签选择模块为测试样本设置类别标签。本发明使用基于分治法的Top‑K并行框架，大大减少不必要的操作，能更充分的利用硬件资源，达到在GPU处理器上提高K‑NN并行效率、实现时间性能加速的目的。
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公开(公告)号：CN113256610A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110675127.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 北京大学口腔医学院
IPC: G06T7/00
Abstract: 本发明涉及口腔曲面体层片应用技术领域，尤其是涉及口腔曲面体层片识别点的筛选方法、装置、设备及存储介质。所述筛选方法包括：构建图片组库步骤，标记识别点步骤，计算匹配比率步骤和输出筛选结果步骤，本发明提供的筛选方法能够快速、准确地在曲面体层片中确定口腔颌面部具有特异性的识别点，可以简化编码体系，在图像标记过程中减少标记的识别点数量，在后续图像筛选过程中可以减少候选图像数量，以此加快筛选可能对应的个体生前图像的速度，提高个体识别的匹配效率。进而基于此筛选方法，提供了对应筛选装置、设备和存储介质，并成功应用于法医学个体识别中。
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公开(公告)号：CN112686342A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202110270550.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开的实施例提供了SVM模型的训练方法、装置、设备和计算机可读存储介质。所述方法包括获取数据集；加载所述数据集；通过自动调优框架在线预测所述数据集的最优存储格式并进行格式转换；执行SMO算法对SVM模型进行训练。以此方式，能够根据输入的数据集自动的选择最优的数据存储格式与算法；全局循环层次基于所述最优数据存储格式进行大量的更加高效的矩阵乘法运算计算kernel matrix；局部SMO求解器层次，使用GPU的寄存器通信技术与合并访存方法进行了更加细致的内存优化，充分利用硬件平台的计算资源。
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公开(公告)号：CN104825452B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410048305.X
申请日：2014-02-12
Applicant: 北京大学
IPC: A61K31/4709 , A61K31/5377 , A61K31/496 , A61K31/55 , A61K31/4725 , A61K31/4985 , A61P7/10
Abstract: 本发明公开了一种尿素通道蛋白抑制剂优利的应用。该尿素通道蛋白抑制剂的结构式如I所示。本发明应用红细胞模型筛选得到抑制尿素通道蛋白的化合物，实验结果表明，该类化合物（如优利）可抑制尿素通道蛋白UT‑B介导的红细胞膜对尿素的通透，且其作用呈剂量依赖关系；在有效剂量范围内优利对MDCK细胞无细胞毒性作用，说明优利抑制细胞通透尿素的作用与其细胞毒性无关；优利对尿素通道蛋白UT‑B的抑制作用逐渐增强；优利对UT‑B的抑制作用是可逆的；体内试验结果表明，优利可显著增多大鼠排尿量；降低大鼠尿中尿素的浓度；并降低其渗透压，表明优利在体内产生了尿素选择性利尿作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103295890B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310208388.X
申请日：2013-05-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02321 , H01L21/0206 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0234 , H01L21/28255 , H01L21/28264 , H01L21/31155 , H01L21/324 , H01L21/3245 , H01L29/517
Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。
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公开(公告)号：CN102903625B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210397259.5
申请日：2012-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。
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公开(公告)号：CN104825452A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201410048305.X
申请日：2014-02-12
Applicant: 北京大学
IPC: A61K31/4709 , A61K31/5377 , A61K31/496 , A61K31/55 , A61K31/4725 , A61K31/4985 , A61P7/10
Abstract: 本发明公开了一种尿素通道蛋白抑制剂优利的应用。该尿素通道蛋白抑制剂的结构式如I所示。本发明应用红细胞模型筛选得到抑制尿素通道蛋白的化合物，实验结果表明，该类化合物（如优利）可抑制尿素通道蛋白UT-B介导的红细胞膜对尿素的通透，且其作用呈剂量依赖关系；在有效剂量范围内优利对MDCK细胞无细胞毒性作用，说明优利抑制细胞通透尿素的作用与其细胞毒性无关；优利对尿素通道蛋白UT-B的抑制作用逐渐增强；优利对UT-B的抑制作用是可逆的；体内试验结果表明，优利可显著增多大鼠排尿量；降低大鼠尿中尿素的浓度；并降低其渗透压，表明优利在体内产生了尿素选择性利尿作用。
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公开(公告)号：CN102664144B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210156456.8
申请日：2012-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02052 , C23C22/58 , C23G1/10 , H01L21/02057
Abstract: 本发明提供了一种适于锗基器件的界面处理方法，属于超大规模集成电路（ULSI）工艺制造技术领域。该方法采用15%～36%浓盐酸溶液去除锗基衬底表面的自然氧化层，然后用5%～10%稀盐酸溶液对表面悬挂键进行钝化，在表面形成一层稳定的钝化层，为之后在清洗钝化过的锗基衬底表面上淀积high-K（高介电常数）栅介质做好准备，提高栅介质层与衬底之间的界面质量，改善锗基MOS器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN102655112B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210115455.9
申请日：2012-04-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/02052 , H01L21/02236 , H01L21/02255 , H01L21/28255 , H01L21/32 , H01L21/7621 , H01L21/763
Abstract: 本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。
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