公开(公告)号：CN102280456A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110121051.6

申请日：2011-05-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  朱蕴晖 ,  孙新 ,  金玉丰 ,  陈兢 ,  缪旻

IPC: H01L27/144 ,  G01J5/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。

公开(公告)号：CN101661944B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200810118876.0

申请日：2008-08-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 张盛东 ,  王漪 ,  金玉丰

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H04N5/30

Abstract: 本发明公开了一种紫外图像传感器的像素单元及其制备方法。该传感器像素单元包括一衬底，在衬底上集成两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管为驱动晶体管，包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极、遮光层和钝化层；另一个薄膜晶体管为探测晶体管，该探测晶体管包括栅电极、栅介质、有源层、源/漏电极和钝化层。驱动晶体管的栅电极与图像传感器的行扫描线相连，驱动晶体管的漏电极与图像传感器的列数据线相连；探测晶体管的漏电极与驱动晶体管的源电极相连，探测晶体管的源电极接地或接到下一行的行扫描线，探测晶体管的栅电极接地或偏置。本发明不同于传统的单晶半导体器件，具有更强的灵活性和更低的成本，其分辨率和灵敏度得到显著提高。

公开(公告)号：CN101634662B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910090736.1

申请日：2009-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 缪旻 ,  张杨飞 ,  张静 ,  金玉丰

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/12 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81C5/00

Abstract: 本发明公开了一种微加速度计及其制备方法，属于微惯性器件的加工技术领域。该微加速度计设置在封装基板上，封装基板由上、下表面板和若干个中间基板堆叠而成，加速度计的信号检测电路附着在上表面板上，加速度计的敏感元件内嵌于中间基板，即带有空腔的中间基板构成敏感元件的框架，敏感元件的挠性悬挂和敏感质量块设置在空腔内，挠性悬挂的一端连接敏感质量块，另一端固定在框架上，且在敏感质量块和与敏感质量块对应的框架表面上分别溅射金属电极，形成平板式敏感电容，或在挠性悬挂与框架内侧面连接处的位置淀积金属压阻厚膜图形，构成金属压阻应变计。本发明制备的微加速度计敏感度高，且可以耐高温，与系统级封装基板融合为一体，其加工难度和成本低。

公开(公告)号：CN101540295B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910082236.3

申请日：2009-04-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 纪明 ,  朱韫晖 ,  马盛林 ,  缪旻 ,  金玉丰 ,  王玮

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。

公开(公告)号：CN1953315B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200610113570.7

申请日：2006-09-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  郝一龙 ,  金玉丰 ,  田大宇 ,  王颖 ,  陈治宇

IPC: H02N1/00 ,  H02N1/08

Abstract: 本发明公开了加工基于无机驻极体的MEMS微发电机的方法。本发明加工方法，包括如下步骤：1)在无机衬底表面光刻、溅射金属电极，剥离得到下金属电极；2)在无机衬底表面沉积无机驻极体薄膜，经光刻腐蚀形成驻极体图形；3)在硅衬底上表面光刻，腐蚀出浅槽，并在硅表面注入硼；4)将所述硅衬底与所述无机衬底表面牢固结合在一起，其中，硅衬底带有浅槽的表面与无机衬底带有驻极体图形的表面相对；5)通过光刻并刻蚀上层硅衬底形成上极板，刻蚀位置与驻极体图形的位置相对应；6)在无机驻极体薄膜内注入电荷，得到所述MEMS微发电机。本发明方法具有与集成电路工艺兼容性好，可批量生产，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN101661943A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810118875.6

申请日：2008-08-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 张盛东 ,  王漪 ,  金玉丰

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了一种紫外图像传感器及其像素单元以及制备方法。紫外图像传感器包括行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素阵列，每个像素单元包括信号放大器电路和光探测元件。图像传感器的行扫描/驱动电路、列信号读出/驱动电路和像素单元的信号放大器电路均采用硅CMOS技术制作，同步集成于同一衬底，且光探测元件位于信号放大器电路之上，光探测元件与信号放大器电路之间由介质层隔离，两者通过上述介质层的通孔实现电连接。本发明实现了单片集成，因此具有更高的性能和更低的成本，并显著提高了紫外图像传感器的分辨率和灵敏度。

公开(公告)号：CN101286536A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810105938.4

申请日：2008-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 李科佳 ,  王金延 ,  田大宇 ,  张录 ,  张太平 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。

公开(公告)号：CN101256105A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810101680.0

申请日：2008-03-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦文 ,  金玉丰 ,  周吉龙

IPC: G01L21/12 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅横向MEMS微型皮拉尼计及其制备方法，该微型皮拉尼计包括衬底和一硅结构，硅结构分为两部分，一为散热结构，包括两个相互对称的散热体，每个散热体由一个锚点和与锚点固定连接的若干个梳齿构成，散热体之间的梳齿相互咬合，散热结构通过上述锚点与衬底固定；另一部分为加热结构，包括一根环绕在散热体梳齿间的弯曲加热体，在上述加热体的两端分别设置锚点和金属电极，加热结构通过加热体两端的锚点与衬底固定。本发明采用单晶硅材料，微型皮拉尼计的加热体的高度与散热体梳齿和加热体的间距的比值高，其制备采用高深宽比体硅MEMS工艺，成品率高、工艺简单、可靠性高、可批量生产。

公开(公告)号：CN1363509A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN02100469.2

申请日：2002-02-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 金玉丰 ,  张锦文 ,  缪旻 ,  郝一龙

IPC: B81C5/00

Abstract: 本发明涉及一种微机电系统器件的真空封装方法,采用了蒸镀的方法,在一批多个封装外壳内壁的一部或全部同时建立吸气薄膜结构,能有效吸附真空封装过程中释放的残余气体和器件寿命期漏入或内部结构放出的气体,从而起到维持真空的作用。其有效面积大,吸气能力强,真空度保持效果好;附着力强,固定性好,几乎不占用空间,而且适用于形状各异、尺寸微小的封装腔体。其工艺流程与现有微机械加工技术衔接好、成本低、便于批量加工、成品率高、真空保持时效长、真空度高等特点,可用于射频、惯性、真空微电子等MEMS器件芯片的器件级封装和芯片级封装的真空封装。

公开(公告)号：CN1314689A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN01102116.0

申请日：2001-01-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 金玉丰 ,  张锦文 ,  郝一龙 ,  张大成 ,  王阳元

IPC: H01H13/702

Abstract: 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关,其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成,介质膜制备在活动桥上,而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案,消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗,减小RF MEMS开关的插入损耗;以硅为桥膜,提高RF MEMS开关的开关性能、使用寿命和可靠性,也便于实现RFMEMS开关的制备工艺与IC工艺的兼容。