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公开(公告)号：CN102280456A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110121051.6
申请日：2011-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102270603B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110230266.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述硅晶圆背面制作电镀掩膜，电镀导电材料填充硅通孔，形成凸点；然后在凸点上制作焊盘，并暴露出凸点周围的绝缘层；5)将所述硅晶圆背面粘接到一晶圆上，剥离所述玻璃晶圆；在所述硅晶圆正面，刻蚀掉硅通孔底部所沉积的绝缘层，制作一重新布线层电连接硅通孔中所沉积的种子层与所述微电子电路，并制作所述重新布线层的焊盘。本发明便于种子层沉积效果、电镀填充效果监测，降低了工艺的技术难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN102270603A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110230266.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔互连结构的制作方法，属于微电子封装领域。本方法为：1)在硅晶圆正面粘接一玻璃晶圆；2)将所述硅晶圆背面减薄至目标厚度，并制备所述硅晶圆的硅通孔；3)在所述硅晶圆背面依次沉积绝缘层、种子层；4)在所述硅晶圆背面制作电镀掩膜，电镀导电材料填充硅通孔，形成凸点；然后在凸点上制作焊盘，并暴露出凸点周围的绝缘层；5)将所述硅晶圆背面粘接到一晶圆上，剥离所述玻璃晶圆；在所述硅晶圆正面，刻蚀掉硅通孔底部所沉积的绝缘层，制作一重新布线层电连接硅通孔中所沉积的种子层与所述微电子电路，并制作所述重新布线层的焊盘。本发明便于种子层沉积效果、电镀填充效果监测，降低了工艺的技术难度，提高成品率。
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公开(公告)号：CN102214662A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110105424.0
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/22 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶圆上设有硅通孔微互连，红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比，本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离，降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量，提高了信号处理电路的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN102280456B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110121051.6
申请日：2011-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。
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公开(公告)号：CN102214662B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110105424.0
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/22 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶圆上设有硅通孔微互连，红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比，本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离，降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量，提高了信号处理电路的性能与可靠性。
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