公开(公告)号：CN1500291A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN02807542.0

申请日：2002-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  小谷光司 ,  须川成利

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。

公开(公告)号：CN1460287A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800920.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也 ,  本乡俊明

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种具有放射线槽天线的微波等离子体处理装置，可抑制异常放电，提高微波等离子体的激发效率。在放射线槽天线与同轴波导管的连接部中，使同轴波导管中的供电线前端部离开构成辐射面的槽板。

公开(公告)号：CN1460286A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800919.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理装置，由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以及面对上述被处理基板设置在上述保持台上的被处理基板与上述等离子体气体供给部之间的处理气体供给部；构成。上述处理气体供给部由：形成于上述处理容器中内、使等离子体通过的多个第1开口部；可连接于处理气体源的处理气体通路；与上述处理气体通路连通的多个第2开口部；以及相对上述第2开口部设置、使由上述第2开口部排放出的处理气体扩散的扩散部；构成。

公开(公告)号：CN1510755B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，硅表面通过降低OH浓度的RCA标准清洗-1工序、并通过淀积自牺牲氧化物膜而具有不大于0.15nm的规定的表面算术平均差Ra，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n-MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN100563404C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN03819972.6

申请日：2003-08-25

Applicant: 日本瑞翁株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大 ,  加藤丈佳 ,  胁坂康寻

IPC: H05K1/03 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H05K3/26 ,  H05K3/42 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K3/4676 ,  H05K3/4688

Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。

公开(公告)号：CN100370339C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200410031748.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  大见忠弘

Inventor： 加藤祥文 ,  大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大

IPC: G02F1/13357 ,  H05B33/00

CPC classification number: G02F1/133385 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/38 ,  H01L27/14658 ,  H01L51/529 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。

公开(公告)号：CN1291461C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01821536.X

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/318 ,  H01L27/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法，这是以硅为衬底并包含多个晶体管或电容器的半导体器件的成膜方法，其中，氢至少预先存在于所述硅表面的一部分上，将所述硅的表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而，在所述硅气体的表面上形成一种硅化合物层，所述硅化合物层包含构成所述气体分子的至少一部分的元素。

公开(公告)号：CN1806332A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016270.6

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03F3/34 ,  H03F3/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H03F3/343 ,  H03F3/45183 ,  H03F2200/372

Abstract: 高度为HB宽度为WB的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上，并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上，从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路。这样，直流放大器能够呈现更大的增益。

公开(公告)号：CN1510755A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。

公开(公告)号：CN1502121A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02807489.0

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。