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公开(公告)号：CN111057088A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910984985.9
申请日：2019-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]
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公开(公告)号：CN107540491A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710387797.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。
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公开(公告)号：CN104040429A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280061534.4
申请日：2012-12-13
Applicant: 国际商业机器公司 , 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。
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公开(公告)号：CN113281964B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202110190159.4
申请日：2021-02-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题是提供可形成溶剂耐性、耐热性、填埋特性、平坦化特性及图案形成能力优异的有机膜的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有以下列通式(1A)表示的结构作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1A)中，W1表示4价有机基团，W2表示单键或下式(1B)表示的连接基团，R1表示氢原子或碳数1～10的1价有机基团，n1表示0或1的整数，n2及n3满足0≤n2≤6及0≤n3≤6且1≤n2+n3≤6的关系。#imgabs1#R2及R3各自独立地为氢、碳数为1～30个的有机基团，有机基团R2与有机基团R3亦可通过在分子内键结而形成环状有机基团。
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公开(公告)号：CN118795733A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410434699.6
申请日：2024-04-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及分子抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中感度、分辨性及LWR优异的分子抗蚀剂组成物、以及使用该分子抗蚀剂组成物的图案形成方法。本发明的解决手段为一种负型分子抗蚀剂组成物，含有：包含具有环状醚部位的阳离子的鎓盐、及有机溶剂，且不含有基础聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117700444A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311168766.6
申请日：2023-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、将前述组成物使用于抗蚀剂材料的图案形成方法、使用了前述组成物的半导体光致抗蚀剂材料。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物以下列通式(M‑1)或(M‑2)表示。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117590684A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311025664.9
申请日：2023-08-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及图案形成方法，其在半导体装置制造步骤中的微细图案化处理中可以获得良好的图案形状，使用了与抗蚀剂上层膜具有高密合性并防止微细图案崩塌的密合膜。所述方法使用含有(A)高分子化合物、(B)热酸产生剂及(C)有机溶剂的密合膜形成用组成物并具有下列步骤：(I‑1)于被加工基板上涂布前述密合膜形成用组成物后，利用热处理以形成密合膜，(I‑2)在前述密合膜上使用抗蚀剂上层膜形成用组成物形成抗蚀剂上层膜，(I‑3)将前述抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影，而在前述抗蚀剂上层膜上形成电路图案，(I‑4)将前述已形成电路图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，以干蚀刻将图案转印在前述密合膜和前述被加工基板。
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公开(公告)号：CN109956853B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201811592498.X
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 群荣化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种二羟基萘的提纯方法，该方法能够抑制软颗粒的产生，得到作为过滤性良好的树脂、组合物的原料的二羟基萘。所述二羟基萘的提纯方法具有通过吸附剂去除所述二羟基萘中的硫成分的工序，并将中性氧化铝用作所述吸附剂。
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公开(公告)号：CN111825533B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010295641.X
申请日：2020-04-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C39/17 , C07C233/75 , C07D207/404 , C07D209/48 , C07D403/14 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，能形成耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成用材料。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)下述通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。[化1][化2][化3][化4]但，上述通式(1B)中，W1为[化5]时，R1不为[化6]中的任一者。
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公开(公告)号：CN111423587B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx‑1)、(Sx‑2)、及(Sx‑3)表示的结构单元中的任一种以上。式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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