公开(公告)号：CN104040429A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280061534.4

申请日：2012-12-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： D·戈德法布 ,  M·格洛德 ,  W·S·黄 ,  金生刚 ,  W·K·李 ,  野田和美 ,  大桥正树 ,  橘诚一郎

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094 ,  G02B5/208 ,  G02B5/223 ,  G03F7/091 ,  G03F7/105 ,  G03F9/7026

Abstract: 本发明涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。