公开(公告)号：CN104040429A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280061534.4

申请日：2012-12-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： D·戈德法布 ,  M·格洛德 ,  W·S·黄 ,  金生刚 ,  W·K·李 ,  野田和美 ,  大桥正树 ,  橘诚一郎

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/094 ,  G02B5/208 ,  G02B5/223 ,  G03F7/091 ,  G03F7/105 ,  G03F9/7026

Abstract: 本发明涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。

公开(公告)号：CN111512417B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201880081456.1

申请日：2018-12-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·德希尔瓦 ,  D·戈德法布 ,  N·费利克斯 ,  D·科利斯 ,  R·沃吉特基

IPC: H01L21/302

Abstract: 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。

公开(公告)号：CN111512417A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN201880081456.1

申请日：2018-12-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·A·德希尔瓦 ,  D·戈德法布 ,  N·费利克斯 ,  D·科利斯 ,  R·沃吉特基

IPC: H01L21/302

Abstract: 光刻构图方法包括：在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，该构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及在抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层。该方法进一步包括使多层构图材料膜叠层暴露于通过含金属的顶涂层的构图辐射以在抗蚀剂层中形成期望的图案，去除含金属的顶涂层，对在抗蚀剂层中形成的图案显影，根据显影的图案蚀刻至少一层底层，并去除抗蚀剂层的剩余部分。可以例如通过在抗蚀剂层上的原子层沉积或旋涂沉积，或通过从抗蚀剂层的自分离来形成含金属的顶涂层。