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公开(公告)号：CN118307584A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410005941.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供具有相对于以往的抗蚀剂下层膜材料优异的干蚀刻耐性，且兼具高程度填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用了该组成物的图案形成方法。本发明为一种含金属的膜形成用化合物，是使用于含金属的膜形成用组成物，其特征在于：前述化合物以下列通式(M)表示。[化1]Tn‑Sn‑Qm(M)。
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公开(公告)号：CN118507340A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410163477.5
申请日：2024-02-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/3105 , G03F7/004 , H01L21/311 , H01L21/32 , G03F7/00 , G03F7/11
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供不会对基板造成损伤而能简便且有效率地形成微细的图案的图案形成方法。一种图案形成方法，于被加工基板上形成有机下层膜、含锡中间膜及上层抗蚀剂膜，形成上层抗蚀剂图案，将上层抗蚀剂图案转印于含锡中间膜，形成含锡中间膜的一部分残留于图案的上部的有机下层膜图案，将含锡中间膜的一部分以干蚀刻除去，以覆盖有机下层膜图案的方式，形成无机含硅膜，使有机下层膜图案的上部露出，将有机下层膜图案除去，来形成图案节距为上层抗蚀剂图案的1/2的无机含硅膜图案，将无机含硅膜图案作为掩膜使用来加工被加工基板，而于被加工基板形成图案。
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公开(公告)号：CN118496262A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410168199.2
申请日：2024-02-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、图案形成方法。本发明提供含金属的膜形成用化合物，提供具有优良干蚀刻耐性且兼顾高填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用组成物。一种下列通式(M)表示的含金属的膜形成用化合物。Tn‑Sn‑Qm(M)T为下列通式(1)表示的单元。Q表示有取代或无取代的碳数1～20的烷基、有取代或无取代的3～20的环烷基、含有1个以上的双键或三键的有取代或无取代的碳数2～20的脂肪族不饱和有机基团、有取代或无取代的碳数6～30的芳基、有取代或无取代的碳数7～31的芳基烷基或它们的组合，#imgabs0#通式(1)中，RA为因酸及热中的任一者或两者的作用导致保护基团脱离而产生1个以上的羟基或羧基的有机基团。
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公开(公告)号：CN117700444A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311168766.6
申请日：2023-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物和组成物、图案形成方法及半导体光致抗蚀剂材料。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、将前述组成物使用于抗蚀剂材料的图案形成方法、使用了前述组成物的半导体光致抗蚀剂材料。一种含金属的膜形成用化合物，是半导体制造中使用的含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物以下列通式(M‑1)或(M‑2)表示。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119528966A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411172562.4
申请日：2024-08-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/22 , G03F1/80 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供相对于已知的有机下层膜材料具有优异的干式蚀刻耐性，且兼具高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物；使用该化合物的含金属的膜形成用组成物；将该组成物使用于抗蚀剂下层膜材料中的图案形成方法。本发明的解决手段为一种含金属的膜形成用化合物，是分子内具有2个以上的二醇结构的化合物与Sn化合物的反应产物，其特征为：是一分子内包含2个以上的Sn原子的单分子型化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119105234A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410733204.X
申请日：2024-06-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供一种含金属的膜形成用组成物，给予能获得良好的图案形状而且能抑制微细图案的崩塌的含金属的膜。一种含金属的膜形成用组成物，其特征为：含有(A)金属化合物、(B)表面改质剂、及(C)溶剂，金属化合物含有选自由Ti、Zr及Hf构成的群组中的至少1种金属原子，(B)表面改质剂为含有下列通式(1)表示的重复单元及下列通式(2)表示的重复单元中的一者或两者的高分子化合物，高分子化合物不含含有羟基的重复单元。[化1]#imgabs0#式中，R1为氢原子或甲基，R2为含有杂环结构的碳数2～20的1价有机基团，R3为氢原子或碳数1～3的直链或分支状的烷基。
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公开(公告)号：CN118221949A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311749844.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G79/12 , C09D185/00 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用聚合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供具有优异的干蚀刻耐性，且兼具高程度填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用聚合物、使用了该聚合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法。本发明为一种含金属的膜形成用聚合物，其特征在于：前述聚合物具有下列通式(1A)表示的重复单元，[化1]#imgabs0#式中，W1为碳数1～31的2价有机基团，Q表示选自由碳数1～20的烷基、碳数3～20的环烷基、含有1个以上的双键或三键的碳数2～20的脂肪族不饱和有机基团、碳数6～30的芳基、碳数7～31的芳烷基构成的群组中的基团。
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公开(公告)号：CN119861529A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411449783.1
申请日：2024-10-17
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/00 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的制造方法、图案形成方法、及半导体装置的制造方法。本发明的课题为提供一种可形成会表现优异的加工耐性及优异的气体穿透性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组成物。本发明的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，包含：(A)含有下列通式(I)表示的重复单元的聚醚化合物、及(B)有机溶剂。#imgabs0#Ar1为有取代或无取代的碳数6～30的芳基等，R1为有取代或无取代的碳数1～20的直链状或分支状或环状的饱和或不饱和的2价烃基、或有取代或无取代的碳数1～20的直链状或分支状或环状的杂亚烷基，n及m为0以上的整数。
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公开(公告)号：CN119846902A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411427818.1
申请日：2024-10-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、抗蚀剂下层膜、抗蚀剂下层膜的制造方法、图案形成方法、及半导体装置的制造方法。本发明的课题为提供一种可形成会表现优异的加工耐性及优异的气体穿透性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组成物。其解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，包含：(A)具有下列通式(I)及/或(II)表示的重复单元结构的酚醛清漆树脂、及(B)有机溶剂。#imgabs0#R1在同一树脂中，为至少2种以上的组合，为氢原子、取代或非取代的碳数1～20的直链状或分支状或环状的烷基、取代或非取代的碳数2～20的直链状或分支状或环状的烯基、或取代或非取代的碳数2～20的直链状或分支状或环状的炔基。n1为1以上的整数。
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公开(公告)号：CN119087741A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410712822.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有(A)树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂，前述(A)树脂的重均分子量为3,000～10,000，前述(A)树脂是(A‑1)含有苯酚性羟基及苯酚性羟基被修饰的基团的树脂、或(A‑2)含有苯酚性羟基的树脂及含有苯酚性羟基被修饰的基团的树脂的混合物，当前述(A)树脂中含有的苯酚性羟基的比例为a、苯酚性羟基被修饰的基团的比例为b时，符合a+b＝1、0.1≤a≤0.5、0.5≤b≤0.9的关系。
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