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公开(公告)号：CN119493337A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411112335.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 由等离子体照射显示优异的耐干式蚀刻性、膜厚均匀性的抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法包括(i)涂布含(A)聚合物和(B)有机溶剂的组合物进行热处理的工序；(ii)进行等离子体照射形成抗蚀剂下层膜的工序，(A)聚合物含式(1)的结构单元，重均分子量2500～20000。式(1)中Ar1、Ar2为苯环或萘环，X为式(1A)的结构，Y为有机基团，k为0或1。式(1A)中n1为0或1，n2为1或2，R2为氢原子、有机基团或式(1B)的结构。R3为氢原子、烷基、芳基或式(1C)的基团，n3为0～2。式(1B)中RA为有机基团，RB为氢原子或有机基团。式(1C)中R4为氢原子或烃基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118642329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410280006.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其特征为具备：涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，加热步骤，将前述已涂布的基板于氧浓度未达1体积％的环境中，以450℃以上且800℃以下的温度进行加热；其是使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)、及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#[化3]#imgabs2#
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公开(公告)号：CN112859516A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011354547.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN119270590A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410890067.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供能形成显示出优异的耐干式蚀刻性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成方法和图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法的特征在于，为在基板上形成抗蚀剂下层膜的方法，包括如下工序：(i)在前述基板上涂布包含(A)聚合物和有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物而得到涂膜，将该涂膜供于在100℃以上且800℃以下的温度下10秒～7,200秒钟的热处理而使其固化，由此形成下层膜前体膜的工序；及，(ii)通过等离子体照射使前述下层膜前体膜发生固化，形成抗蚀剂下层膜；作为前述(A)聚合物，使用在构成前述聚合物的重复单元中不含羟基和下述通式(1)所示的有机基团的含芳香环树脂。(通式(1)中，p为0或1，*为键合部。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119101081A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410713945.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、含金属的膜形成用化合物的制造方法、及图案形成方法。本发明提供对比已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋特性及/或高程度的平坦化特性的含金属的膜形成用化合物。一种含金属的膜形成用化合物，是(A)含金属的膜形成用化合物，是来自将式(A‑1)表示的金属化合物予以水解或缩合、或水解缩合而获得的含金属的化合物的化合物，更带有来自下式(1)表示的有机化合物的配位子。M(OR1A)4 (A‑1)，R2ACOXCOOH (1)#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112213919B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010660845.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供通过使用含有碳含量高的茚并芴结构且具有热固化性的聚合物，而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成用组合物；并提供使用该有机膜形成用组合物的图案形成方法、以及提供这样的有机膜形成用组合物的聚合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1A)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1A)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，R为氢原子或碳数2～10的具有不饱和键的1价有机基团，R’为单键或W1，且W1为具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN112859516B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011354547.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN119528853A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411179162.6
申请日：2024-08-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D303/32 , C07D305/06 , C07D309/06 , C07C31/20 , C07C59/347 , C07C63/64 , C07C65/03 , C07F7/08 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题是，以提供在半导体装置制造步骤中的微细图案化流程中，可获得良好的图案形状，且给予具有与抗蚀剂上层膜的高密接性且抑制微细图案的崩塌的抗蚀剂中间膜的含金属的形成用化合物、使用了该化合物的含金属的形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法为目的。本发明的解决手段是，一种含金属的膜形成用化合物，其特征在于，该含金属的膜形成用化合物具有选自于由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种的金属原子、及配位于该金属原子的含有碳数2～13的环状醚结构的多齿配位子。
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公开(公告)号：CN119285667A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410906713.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、图案形成方法、及含金属的膜形成用化合物的制造方法。本发明提供给予在半导体装置制造步骤的微细图案化处理中，可获得良好的图案形状且和抗蚀剂上层膜有高密合性并会抑制微细图案崩塌的含金属的膜的含金属的膜形成用化合物、使用该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，其特征为：前述含金属的膜形成用化合物含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、及配位在前述金属原子的配位基，前述配位基含有(a‑1)至(a‑3)表示的基团中的任意者。#imgabs0#R1为氢原子或碳数1～10的有机基团，＊表示键结部。
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公开(公告)号：CN118507340A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410163477.5
申请日：2024-02-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/3105 , G03F7/004 , H01L21/311 , H01L21/32 , G03F7/00 , G03F7/11
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供不会对基板造成损伤而能简便且有效率地形成微细的图案的图案形成方法。一种图案形成方法，于被加工基板上形成有机下层膜、含锡中间膜及上层抗蚀剂膜，形成上层抗蚀剂图案，将上层抗蚀剂图案转印于含锡中间膜，形成含锡中间膜的一部分残留于图案的上部的有机下层膜图案，将含锡中间膜的一部分以干蚀刻除去，以覆盖有机下层膜图案的方式，形成无机含硅膜，使有机下层膜图案的上部露出，将有机下层膜图案除去，来形成图案节距为上层抗蚀剂图案的1/2的无机含硅膜图案，将无机含硅膜图案作为掩膜使用来加工被加工基板，而于被加工基板形成图案。
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