-
公开(公告)号：CN112034681B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010490327.7
申请日：2020-06-02
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良，成为散逸气体的升华物成分少，并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#该通式(1A)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环，W1为下列通式(1B)中的任意者，也可组合使用2种以上的W1；W2为碳数1～80的2价有机基团；#imgabs1#该通式(1B)中的R1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，R2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
-
公开(公告)号：CN112213919B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202010660845.9
申请日：2020-07-10
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及有机膜形成用组合物、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供通过使用含有碳含量高的茚并芴结构且具有热固化性的聚合物，而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性的有机膜形成用组合物；并提供使用该有机膜形成用组合物的图案形成方法、以及提供这样的有机膜形成用组合物的聚合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1A)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1A)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，R为氢原子或碳数2～10的具有不饱和键的1价有机基团，R’为单键或W1，且W1为具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
-
公开(公告)号：CN112859516B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202011354547.3
申请日：2020-11-27
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。#imgabs0#上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
-
公开(公告)号：CN118507340A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410163477.5
申请日：2024-02-05
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： H01L21/3105 , G03F7/004 , H01L21/311 , H01L21/32 , G03F7/00 , G03F7/11
摘要： 本发明涉及图案形成方法。本发明提供不会对基板造成损伤而能简便且有效率地形成微细的图案的图案形成方法。一种图案形成方法，于被加工基板上形成有机下层膜、含锡中间膜及上层抗蚀剂膜，形成上层抗蚀剂图案，将上层抗蚀剂图案转印于含锡中间膜，形成含锡中间膜的一部分残留于图案的上部的有机下层膜图案，将含锡中间膜的一部分以干蚀刻除去，以覆盖有机下层膜图案的方式，形成无机含硅膜，使有机下层膜图案的上部露出，将有机下层膜图案除去，来形成图案节距为上层抗蚀剂图案的1/2的无机含硅膜图案，将无机含硅膜图案作为掩膜使用来加工被加工基板，而于被加工基板形成图案。
-
公开(公告)号：CN112034681A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010490327.7
申请日：2020-06-02
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良，成为散逸气体的升华物成分少，并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。 该通式(1A)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环，W1为下列通式(1B)中的任意者，也可组合使用2种以上的W1；W2为碳数1～80的2价有机基团；该通式(1B)中的R1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，R2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
-
公开(公告)号：CN118642329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410280006.2
申请日：2024-03-12
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其特征为具备：涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，加热步骤，将前述已涂布的基板于氧浓度未达1体积％的环境中，以450℃以上且800℃以下的温度进行加热；其是使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)、及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#[化3]#imgabs2#
-
公开(公告)号：CN112859516A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011354547.3
申请日：2020-11-27
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
-
公开(公告)号：CN118672060A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410293211.2
申请日：2024-03-14
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、及图案形成方法。本发明课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及图案形成方法。该课题解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其包括：(i)涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，(ii)借由将前述已涂布的基板以100℃以上且600℃以下的温度，进行10秒至7,200秒的热处理并使其硬化形成硬化膜，及(iii)对该硬化膜照射等离子，并形成抗蚀剂下层膜；使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN118561892A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410220978.2
申请日：2024-02-28
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用了该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为前述含金属的膜形成用化合物含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子及1种以上来自下列通式(1‑A)～(1‑D)表示的化合物的配位子。[化1]#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN118330991A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410030331.3
申请日：2024-01-09
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料显示了极优良的干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜形成用组成物、使用该组成物于抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为：含有(A)具有下列通式(1A)表示的结构的聚合物、(B)下列通式(B‑1)表示的结构的交联剂、及(C)有机溶剂，且前述(A)聚合物不含羟基，前述(B)交联剂的含量相对于前述(A)聚合物100质量份为5～50质量份。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
12 条记录 (耗时 0.028 秒)
